資源簡介 (共39張PPT)第一章 原子結構與性質第一節 原子結構課時二 構造原理與電子排布式學習目標結合構造原理形成核外電子排布式書寫的思維模型,能夠熟練書寫1~36號元素的電子排布式。構造原理01構造原理能層 K L M N 能級 1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p 4d 4f填入電子數1s→2s → 2p→ 3s → 3p以基態17Cl為例,其核外電子按能級填充:【思考 討論】核外電子在能級中的排布順序:2262501構造原理每一行對應一個________。1.構造原理——核外電子的填充規律以光譜學事實為基礎,從氫開始,隨核電荷數遞增,新增電子填入能級的順序稱為構造原理。絕大多數原子核外電子的填充順序符合構造原理中的能級順序。能層每個小圈表示一個________。能級連線方向:表示_____________________。電子填入能級的順序01構造原理4f1s2s3s4s5s6s7s2p3p4p5p6p7p6d5d4d3d5f1s;2s 2p;3s 3p;存在著能級交錯構造原理規律:1s---2s---2p---3s---3p--4s--3d—4p--5s--4d---5p---6s4s 3d 4p;5s 4d 5p;6s 4f 5d 6p;7s 5f 6d01構造原理1.構造原理E(4s)<E(4p)<E(4d)<E(4f)相同能層:同類能級:E(1s)<E(2s)<E(3s)<E(4s)從第三能層開始,不同能層的能級出現“能級交錯”現象。能級交錯:隨核電荷數的遞增,電子并不總是填滿一個能層后再開始填入下一個能層的。電子填充是按3p→4s→3d的順序而不是按3p→3d→4s的順序01構造原理能層序數大,但能級的能量不一定高。部分能級有交錯現象。[思考]為什么K原子的原子結構示意圖不是 ,而是 K原子在排滿第二層后,先排布3s、3p能級,3d能級能量高于4s能級,故最后一個電子排入4s能級而不是3d能級,所以它的原子結構示意圖是 。電子排布式02電子排布式2.核外電子排布表示方法填充1) 電子排布式用能級、各能級上的電子數來表示,并按照能層從左到右的順序排列的式子電子填滿了一個能級,開始填入下一個能級。N 原子的電子排布式電子數能級符號能級序數02電子排布式1) 電子排布式從 H 到 C 的基態原子電子排布式如下: 1s1→1s2→1s22s1→1s22s2→1s22s22p1→1s22s22p2 氫 氦 鋰 鈹 硼 碳【適用范圍】基態原子、簡單離子O2-:先寫O原子的電子排布式為1s22s22p4再_________,所以O2-的電子排布式為_________。先寫原子的電子排布式→再考慮得失電子的情況。1s22s22p6得2個電子02電子排布式1s2 2s22p6 3s23p6 4s2鈣Ca+202882【鞏固 評價】根據構造原理寫出基態20Ca核外電子排布式和原子結構示意圖。02電子排布式鐵Fe+26K層L層M層28142N層1s2 2s22p6 3s23p63d6 4s2注意書寫:1s2 2s22p6 3s23p64s2 3d6【鞏固 評價】根據構造原理寫出基態26Fe核外電子排布式和原子結構示意圖。02電子排布式1-36號元素基態原子的電子排布式原子序數 元素名稱 元素符號 電子排布式K L M N O1 氫 H 1s12 氦 He 1s23 鋰 Li 1s2 2s14 鈹 Be 1s2 2s25 硼 B 1s2 2s22p16 碳 C 1s2 2s22p27 氮 N 1s2 2s22p38 氧 O 1s2 2s22p402電子排布式原子序數 元素名稱 元素符號 電子排布式K L M N O9 氟 F 1s2 2s22p510 氖 Ne 1s2 2s22p611 鈉 Na 1s2 2s22p6 3s112 鎂 Mg 1s2 2s22p6 3s213 鋁 Al 1s2 2s22p6 3s23p114 硅 Si 1s2 2s22p6 3s23p215 磷 P 1s2 2s22p6 3s23p316 硫 S 1s2 2s22p6 3s23p402電子排布式原子序數 元素名稱 元素符號 電子排布式K L M N O17 氯 Cl18 氬 Ar19 鉀 K20 鈣 Ca21 鈧 Sc22 鈦 Ti4s14s24s23d11s2 2s22p6 3s23p51s2 2s22p6 3s23p61s2 2s22p6 3s23p61s2 2s22p6 3s23p61s2 2s22p6 3s23p61s2 2s22p6 3s23p63d2 4s202電子排布式充入電子時按構造原理,而書寫時按能層次序!1) 電子排布式2.核外電子排布表示方法Fe:1s22s22p63s23p63d64s2能級交錯有些過渡金屬元素基態原子電子排布不符合構造原理,如Cr 和Cu的最后兩個能級的電子排布分別為3d54s1和3d104s1,可見構造原理是被理想化了的。書寫順序:1s、2s、2p、3s、3p、3d、4s、4p、4d、4f、5s……電子填充順序(構造原理):1s、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p、5s……02電子排布式原子序數 元素名稱 元素符號 電子排布式K L M N O23 釩 V24 鉻 Cr25 錳 Mn26 鐵 Fe27 鈷 Co28 鎳 Ni29 銅 Cu30 鋅 Zn1s2 2s22p6 3s23p63d3 4s21s2 2s22p6 3s23p63d4 4s2×3d5 4s11s2 2s22p6 3s23p63d5 4s21s2 2s22p6 3s23p63d6 4s21s2 2s22p6 3s23p63d7 4s21s2 2s22p6 3s23p63d8 4s21s2 2s22p6 3s23p63d9 4s2×3d10 4s11s2 2s22p6 3s23p63d10 4s2不符合構造原理構造原理是被理想化的02電子排布式原子序數 元素名稱 元素符號 電子排布式K L M N O31 鎵 Ga32 鍺 Ge33 砷 As34 硒 Se35 溴 Br36 氬 Ar1s2 2s22p6 3s23p63d10 4s24p11s2 2s22p6 3s23p63d10 4s24p21s2 2s22p6 3s23p63d10 4s24p31s2 2s22p6 3s23p63d10 4s24p41s2 2s22p6 3s23p63d10 4s24p51s2 2s22p6 3s23p63d10 4s24p602電子排布式2)簡化電子排布式2.核外電子排布表示方法如Na的電子排布式可簡化為[Ne]3s1,其中[Ne]表示:Na的內層電子排布與稀有氣體元素Ne的核外電子排布相同【練一練】寫出下列基態原子的簡化電子排布式①14Si:______________; ②19K:_________________;③21Sc:_____________; ④26Fe:_______________。[Ne]3s23p2[Ar]4s1[Ar]3d14s2[Ar]3d64s2稀有氣體的原子序數非常重要!02電子排布式3) 價層電子排布式為突出化合價與電子排布的關系,在化學反應中可能發生電子變動的能級稱為價電子層。如Na的簡化電子排布式 [Ne]3s1,價層電子排布為______。3s1通常,元素周期表只給出價層電子排布。價電子的位置:1)主族、零族元素:最外層電子。Cl的價層電子排布式:3s23p52)副族和第VIII族元素:價電子除最外層電子外,還可能包括次外層電子Cr的價層電子排布式為3d54s102電子排布式1.按照構造原理寫出稀有氣體2He、10Ne、18Ar、36Kr、54Xe和86Rn的基態原子的最外層電子排布;除氦外它們的通式是什么?1s22s2 2p63s2 3p64s2 4p65s2 5p66s2 6p6通式:ns2 np6【思考 討論】2He10Ne18Ar36Kr54Xe86Rn02電子排布式【思考 討論】2. 電子排布式可以簡化,如鈉的電子排布式可簡化為[Ne]3s1。 試問: [Ne]的意義是什么?仿照該式,寫出8O、14Si和22Ti的簡化電子排布式。[Ne]表示內層電子已達到稀有氣體Ne結構的部分,可稱為原子實。帶有原子實的電子排布式稱為簡化電子排布式。02電子排布式【思考 討論】2. 電子排布式可以簡化,如鈉的電子排布式可簡化為[Ne]3s1。 試問: [Ne]的意義是什么?仿照該式,寫出8O、14Si和22Ti的簡化電子排布式。8O14Si22Ti[He] 2s22p4[Ne] 3s23p2[Ar] 3d24s2該元素的上一周期的稀有氣體02電子排布式[Ne]3s111Na 1s22s22p63s13s1簡化簡化電子排布式簡化電子排布式價層電子排布式簡化電子排布式和價層電子排布式只有價電子層的電子排布式稱為價層電子排布式02電子排布式【思考 討論】3. 請寫出26Fe、33Ga基態電子排布式、簡化電子排布式和價層電子排布。基態電子排布式:1s22s22p63s23p63d64s2 1s22s22p63s23p63d104s24p1簡化電子排布式: [Ar]3d64s2 [Ar] 3d104s24p1價層電子排布式: 3d64s2 4s24p126 Fe 33Ga02電子排布式【思考 討論】4. 請寫出Na+ 、 Fe3+、Cl-電子排布式。Fe3+Na+Cl-1s22s22p63s23p61s22s22p63s23p63d64s21s22s22p63s23p51s22s22p63s23p63d51s22s22p63s11s22s22p603課堂總結構造原理與電子排布式電子排布式的書寫電子填充: 依據構造原理書寫電子排布式:按能層序號由低到高;構造原理E(4s)<E(4p)<E(4d)<E(4f)相同能層:同類能級:E(1s)<E(2s)<E(3s)<E(4s)課堂練習04課堂練習1.解釋以下問題:1)最外層不超過8個2)倒數第二層電子數不超過18個3)倒數第三層電子數不超過32個ns2 np6ns2 (n-1)d10np6ns2 (n-2)f14 (n-1)d10np6構造原理的規律 ns→(n-2)f→(n-1)d→np (n為能層序數)04課堂練習2.下列各基態原子或離子的電子排布式書寫錯誤的是A.K 1s22s22p63s23p6B.F 1s22s22p5C.Mg2+ 1s22s22p6D.O2- 1s22s22p6A04課堂練習3.A、B、C、D是四種短周期元素。A、B、C同周期,C、D同主族,A的原子結構示意圖為 ,B是同周期除稀有氣體外半徑最大的元素,C的最外層有五個電子。回答下列問題:(1)A為____(寫出元素符號,下同)。(2)B為_____,簡化電子排布式是________。(3)C為___,核外電子排布式是______________。(4)D為___,價層電子排布式是______。SiNa[Ne]3s1P1s22s22p63s23p3N2s22p304課堂練習4.判斷正誤(1)p能級的能量一定比s能級的能量高( )(2)同一原子中,2p、3p、4p能級的軌道數依次增多( )(3)2p和3p軌道形狀均為啞鈴形,能量也相等( )(4)2px、2py、2pz的能量相等( )(5)鐵元素基態原子的電子排布式為1s22s22p63s23p64s23d6( )(6)Cr的基態原子的簡化電子排布式為[Ar]3d44s2( )××××√×04課堂練習5.第三代半導體材料的優異性能和對新興產業的巨大推動作用,使得發達國家都把發展第三代半導體材料及其相關器件等列為半導體重要新興技術領域,投入巨資支持發展。第三代半導體材料有氮化鎵、碳化硅等。請回答下列問題:(1)硅原子占據電子的能級符號有__________________,其中占據電子的能量最高的能級符號為___,該能層已經容納了__個電子。1s、2s、2p、3s、3p3p204課堂練習解析:硅位于元素周期表第三周期,有3個能層,分別為K、L、M,每個能層的能級數分別為1、2、2,其能級符號為1s、2s、2p、3s、3p,其中占據電子的最高能級為3p,s能級最多容納2個電子,p能級最多容納6個電子,故3p能級容納的電子數為14-2-2-6-2=2。04課堂練習解析:N原子位于元素周期表第二周期,共2個能層,符號分別為K、L,L為最高能層,該能層包括2s能級的2個電子和2p能級的3個電子,共5個電子。(2)N原子中,有電子占據的最高能層符號為____,該能層已經容納的電子數為___個。L504課堂練習(3)鎵為元素周期表中第31號元素,位于元素周期表第四周期。鎵原子具有___個能層,每個能層已經容納的電子數之比為______________。解析:通過比較,可以得出規律,能層數與元素原子所在的周期數相等,故Ga有4個能層,每層的電子數為2、8、18、3。42∶8∶18∶304課堂練習6.根據構造原理,試比較下列能級的能量高低(填“>”或“<”)。①4s____3d;②6s____4f____5d。3、根據構造原理,寫出下列基態原子的核外電子排布式①2He:____; ②8O:_________;③10Ne:_________; ④14Si:______________;⑤18Ar:______________; ⑥19K:_________________;⑦21Sc:__________________; ⑧27Co:___________________。<< <1s21s22s22p41s22s22p61s22s22p63s23p21s22s22p63s23p61s22s22p63s23p64s11s22s22p63s23p63d14s21s22s22p63s23p63d74s2感謝觀看THANK YOU 展開更多...... 收起↑ 資源預覽 縮略圖、資源來源于二一教育資源庫