資源簡(jiǎn)介 (共41張PPT)第16講 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)2023.8.8一、物質(zhì)的聚集狀態(tài)電子、陽離子和電中性粒子(分子或原子)組成的整體上呈電中性的氣態(tài)物質(zhì)晶態(tài)、非晶態(tài)、塑晶態(tài)、液晶態(tài)液態(tài)固態(tài)氣態(tài)Q:還有哪些聚集狀態(tài)?等離子體離子液體是熔點(diǎn)不高的僅由離子組成的液體物質(zhì)Q:氣態(tài)、液態(tài)物質(zhì)一定是由分子構(gòu)成的嗎?離子液體Q:純H2SO4、熔融NaCl是離子液體嗎?1-己基-3-甲基咪 四氟硼酸熱致液晶溶致液晶二、晶體與非晶體晶體:非晶體:結(jié)構(gòu)微粒呈周期性有序排列而構(gòu)成具有規(guī)則幾何外形的固體冰、碘、二氧化硅等離子晶體分子晶體共價(jià)晶體金屬晶體結(jié)構(gòu)微粒無序排列,不具有規(guī)則幾何外形的固體玻璃、橡膠、塑料、瑪瑙等Q:具有規(guī)則幾何外形的固體一定是晶體嗎?大本148 易錯(cuò)小練1.晶體與非晶體的概念2.晶體的性質(zhì)(1)自范性①定義:在適宜條件下,晶體能夠自發(fā)地呈現(xiàn)封閉的、規(guī)則的幾何多面體外形。結(jié)構(gòu)微粒周期性有序排列的宏觀表現(xiàn)②形成條件:晶體生長(zhǎng)速率適當(dāng)P70-天然水晶球的形成熔融態(tài)SiO2+地殼內(nèi)空洞外層:瑪瑙內(nèi)層:水晶(2)各向異性晶體內(nèi)部微粒的排列呈現(xiàn)周期性,而不同方向上的微粒排列情況是不同的。因此,在晶體中,不同方向上具有不同的物理性質(zhì),如導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性、硬度。例:石墨在與層平行的方向上的電導(dǎo)率數(shù)值約為在與層垂直的方向上的電導(dǎo)率數(shù)值的1萬倍。(3)有固定的熔點(diǎn)區(qū)分晶體和非晶體最好的方法:X-射線衍射衍射:當(dāng)入射光的波長(zhǎng)與光柵縫隙大小相當(dāng)時(shí),能產(chǎn)生衍射現(xiàn)象。產(chǎn)生分立的斑點(diǎn)或明銳的衍射峰。獲得晶體的三條途徑:①溶質(zhì)從溶液中析出在飽和氯化鈉溶液中滴入濃鹽酸 P71 實(shí)驗(yàn)3-1苯甲酸的重結(jié)晶②氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝華I2 + NaCl③熔融態(tài)物質(zhì)凝固P71 資料卡片3.四種常見晶體分子晶體共價(jià)晶體離子晶體金屬晶體構(gòu)成微粒分子原子陰、陽離子金屬陽離子和自由電子微粒間相互作用力分子間作用力共價(jià)鍵離子鍵金屬鍵Q:在分子晶體中一定有范德華力和化學(xué)鍵。在晶體中只要有陽離子就一定有陰離子。 大本P149常見物質(zhì)非金屬氫化物大多數(shù)非金屬單質(zhì)非金屬氧化物幾乎所有酸、絕大多數(shù)有機(jī)物金剛石 鍺 硼晶體硅 錫碳化硅 氮化硼二氧化硅金屬氧化物強(qiáng)堿絕大多數(shù)鹽(AlCl3除外)金屬嘗試判斷大本149 150出現(xiàn)的晶體為什么晶體?主要集中在周期表哪個(gè)位置?氮化硅是什么晶體?砷化鎵呢?判斷下列物質(zhì)的晶體類型:NaCl、NaOH、Na2S、H2O2、(NH4)2S、CO2、CCl4、C2H2、SiO2、SiC、晶體硅、金剛石、晶體氬、銅。2.(2021·天津,2)下列各組物質(zhì)的晶體類型相同的是A.SiO2和SO3 B.I2和NaClC.Cu和Ag D.SiC和MgO√FeCl3是什么晶體?單子8題(4)問3.四種常見晶體分子晶體共價(jià)晶體離子晶體金屬晶體硬度熔沸點(diǎn)大本P150較小大較大有的很大有的很小較低很高較高有的很高有的很低不同類型相同類型共價(jià)>離子>分子①分子晶體氫鍵>范德華力極性越大,熔點(diǎn)越高CO>N2②離子、共價(jià)、金屬晶體練習(xí):P150 5題 6題單子1題A、B選項(xiàng)單子2題單子7題單子1題C選項(xiàng)例1 (1)金剛石的熔點(diǎn)比NaCl高,原因是 。(2)SiO2的熔點(diǎn)比CO2高,原因是 。金剛石是共價(jià)晶體,而NaCl是離子晶體SiO2是共價(jià)晶體,而CO2是分子晶體答題模板:×××為×××晶體,而×××為×××晶體。鹵化物CsICl2受熱發(fā)生非氧化還原反應(yīng),生成無色晶體X和紅棕色液體Y。X為 。解釋X的熔點(diǎn)比Y高的原因。CsCl為離子晶體,ICl為分子晶體。不同類型晶體熔點(diǎn)的比較例2 (1)NH3的沸點(diǎn)比PH3高,原因是_______________________________________________________________________。(2)CO2比CS2的熔、沸點(diǎn)低,原因是___________________________________________________________。(3)CO比N2的熔、沸點(diǎn)高,原因是_______________________________________________________________。同為分子晶體,NH3分子間存在較強(qiáng)的氫鍵,而PH3分子間僅有較弱的范德華力同為分子晶體,CS2的相對(duì)分子質(zhì)量大,范德華力強(qiáng),熔、沸點(diǎn)高同為分子晶體,兩者相對(duì)分子質(zhì)量相同,CO的極性大,熔、沸點(diǎn)高答題模板:①同為分子晶體,×××存在氫鍵,而×××僅存在較弱的范德華力。②同為分子晶體,×××的相對(duì)分子質(zhì)量大,范德華力強(qiáng),熔、沸點(diǎn)高。③同為分子晶體,兩者的相對(duì)分子質(zhì)量相同(或相近),×××的極性大,熔、沸點(diǎn)高。④同為分子晶體,×××形成分子間氫鍵,而×××形成的則是分子內(nèi)氫鍵,分子間氫鍵會(huì)使熔、沸點(diǎn)升高。分子晶體熔點(diǎn)的比較的沸點(diǎn)比 高,原因是___________________________________________________________________________________________。內(nèi)氫鍵,而 形成分子間氫鍵,分子間氫鍵會(huì)使沸點(diǎn)升高形成分子S位于周期表中第______族,該族元素氫化物中,H2Te比H2S沸點(diǎn)高的原因是______________________________________________________________________,H2O比H2Te沸點(diǎn)高的原因是______________________________________。ⅥA兩者均為分子晶體且結(jié)構(gòu)相似,H2Te相對(duì)分子質(zhì)量比H2S大,分子間作用力更強(qiáng) 兩者均為分子晶體,H2O分子間存在氫鍵 Si單質(zhì)比化合物SiC的熔點(diǎn)低,理由是_______________________________________________________________________________________。已知氮化硼與砷化鎵屬于同種晶體類型。則兩種晶體熔點(diǎn)較高的是_____(填化學(xué)式),其理由是___________________________________________________________。兩種晶體均為共價(jià)晶體,N和B原子半徑較小,鍵能較大,熔點(diǎn)較高BN共價(jià)晶體熔點(diǎn)的比較答題模板:同為共價(jià)晶體,×××晶體的鍵長(zhǎng)短,鍵能大,熔、沸點(diǎn)高。晶體硅與SiC均屬于共價(jià)晶體,晶體硅中的Si—Si比SiC中Si—C的鍵長(zhǎng)長(zhǎng),鍵能低,所以熔點(diǎn)低(1)ZnO和ZnS的晶體結(jié)構(gòu)相似,熔點(diǎn)較高的是ZnO,理由是_______________________________________________________________________________。(2)FeO的熔點(diǎn)小于Fe2O3的熔點(diǎn),原因是______________________________________________________________________________。ZnO和ZnS同屬于離子晶體,O2-半徑小于S2-,故ZnO晶格能大(或離子鍵強(qiáng)),熔點(diǎn)高同為離子晶體,F(xiàn)e2+半徑比Fe3+大,所帶電荷數(shù)也小于Fe3+,F(xiàn)eO的晶格能比Fe2O3小答題模板:①陰、陽離子電荷數(shù)相等,則看陰、陽離子半徑:同為離子晶體,Rn-(或Mn+)半徑小于Xn-(或Nn+),故×××晶體晶格能大(或離子鍵強(qiáng)),熔、沸點(diǎn)高。②陰離子(或陽離子)電荷數(shù)不相等,陰離子(或陽離子)半徑不相同:同為離子晶體,Rn-(或Mn+)半徑小于Xm-(或Nm+),Rn-(或Mn+)電荷數(shù)大于Xm-(或Nm+),故×××晶體晶格能大(或離子鍵強(qiáng)),熔、沸點(diǎn)高。離子晶體熔點(diǎn)的比較分子晶體共價(jià)晶體離子晶體金屬晶體溶解性導(dǎo)電導(dǎo)熱性3.四種常見晶體相似相溶一般難溶大多數(shù)易溶于水一般難溶一般不導(dǎo)電,溶于水后有的導(dǎo)電一般不導(dǎo)電導(dǎo)電導(dǎo)熱水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電練習(xí):P149 4題題目有給出的其他信息時(shí),結(jié)合信息判斷。2.下列有關(guān)晶體類型的判斷正確的是A SiI4:熔點(diǎn)120.5 ℃,沸點(diǎn)271.5 ℃ 共價(jià)晶體B B:熔點(diǎn)2 300 ℃,沸點(diǎn)2 550 ℃,硬度大 金屬晶體C 銻:熔點(diǎn)630.74 ℃,沸點(diǎn)1 750 ℃,晶體導(dǎo)電 共價(jià)晶體D FeCl3:熔點(diǎn)282 ℃,易溶于水,也易溶于有機(jī)溶劑 分子晶體√三、配合物與超分子1.配合物(1)配位鍵思考:依據(jù)反應(yīng) NH3 +H+ == NH4+ ,從成鍵角度討論NH3是如何與H+形成NH4+的?思考:類比NH4+ 的形成,推測(cè)Cu2+與H2O是怎樣形成[Cu(H2O)4]2+的?Cu2+(具有空軌道)孤電子對(duì)OHHCu2+OH2H2OH2OH2O[Cu(H2O)4]2+H2OCu2+提供孤電子對(duì)有空軌道接受孤電子對(duì)電子對(duì)給予體電子對(duì)接受體①定義:由一個(gè)原子單獨(dú)提供孤電子對(duì),另一方提供空軌道而形成的化學(xué)鍵,即“電子對(duì)給予 — 接受”鍵。②表示方法:A B(或A—B)[Cu(H2O)4]2+NH4+嘗試畫出以下兩個(gè)微粒中的配位鍵:H2O↓H2O→Cu←OH2↑H2O2+HNHHH[ ]+←Q:NH3、H2O、NH4+、H3O+、Al2Cl6中是否存在配位鍵?③形成條件:孤對(duì)電子+空軌道(2)配位化合物Q:下列物質(zhì)是否屬于配合物?NH4Cl [Cu(NH3)4]SO4 [Ag(NH3)2]OH①概念通常由金屬離子或原子與某些分子或離子以配位鍵結(jié)合形成的化合物,簡(jiǎn)稱配合物。(稱為中心離子或原子)(稱為配位體或配體)②組成結(jié)構(gòu)[Cu(NH3)4] SO4內(nèi)界(配離子)外界中心離子配體配位數(shù)配合物 內(nèi)界 外界 中心粒子 配位體 配位數(shù)[Ag(NH3)2]OHK3[Fe(CN)6][Co(NH3)5Cl]Cl2Ni(CO)4(3)配合物的形成【實(shí)驗(yàn)3-3】向硫酸銅溶液中加入氨水再加入乙醇:【實(shí)驗(yàn)3-4】向盛有少量0.1mol/LFeCl3溶液(或任何含F(xiàn)e3+的溶液)的試管中滴加1滴0.1 mol/L硫氰化鉀(KSCN)溶液,觀察實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。(Fe3+的檢驗(yàn))【實(shí)驗(yàn)3-5】向氯化鈉溶液中滴加AgNO3和氨水(4)配合物的性質(zhì)特點(diǎn)對(duì)于具有內(nèi)外界的配合物,內(nèi)外界之間以離子鍵結(jié)合, 在水溶液中內(nèi)外界之間完全電離,但內(nèi)界離子較穩(wěn)定一般不能電離出來。如[Cu(NH3)4]SO4=[Cu(NH3)4]2++SO42-在水溶液能電離:配合物內(nèi)界難電離,不拆能力1 配合物結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1.[Co(NH3)5Cl](OH)2 是一種鈷的配合物,下列說法中正確的是( )。A.配體是OH- 、Cl- 和NH3,配位數(shù)是8B.1 mol [Co(NH3)5Cl](OH)2 中σ 鍵的數(shù)目是21NAC.內(nèi)界和外界中Cl- 、OH- 的數(shù)目之比是1∶2D.加入足量AgNO3 溶液,Cl- 一定被完全沉淀CP156 1題2.超分子由兩種或兩種以上的分子(包括離子)通過分子間相互作用形成的分子聚集體。(1)概念:(2)超分子的實(shí)例:分子識(shí)別:①“杯酚”分離 C60 和 C70自組裝②冠醚識(shí)別堿金屬離子:分子中含有多個(gè)--氧-亞甲基(CH2)--結(jié)構(gòu)單元的大環(huán)多醚書P99Q:可有不同大小的空穴適配不同大小的堿金屬離子O原子吸引陽離子冠醚 冠醚空腔直徑/pm 適合的粒子(直徑/pm)12-冠-4 15-冠-5 18-冠-6 21-冠-7 120~150 170~220 260~320 340~430 Li+(152)Na+(204)Rb+(304)Cs+(334)思考: K+ 直徑為276 pm,應(yīng)該選擇哪種冠醚呢?冠醚環(huán)的大小與金屬離子匹配,將陽離子以及對(duì)應(yīng)的陰離子都帶入有機(jī)溶劑,因而成為有機(jī)反應(yīng)中很好的催化劑。應(yīng)用:KMnO4氧化烯烴4.冠醚能識(shí)別堿金屬離子,X、Y、Z是常見的三種冠醚,Li+與X作用形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)W,其結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法錯(cuò)誤的是( )。A.冠醚分子中,所有原子不可能共平面B.冠醚與堿金屬離子之間形成的配位鍵屬于離子鍵C.冠醚Y能與K+形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)但不能與Li+形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的原因是Li+的半徑太小D.烯烴難溶于水,被酸性KMnO4溶液氧化的效果較差,若烯烴中溶入冠醚Z,則烯烴被氧化的效果會(huì)明顯提升BP156 4題四、常見晶體的結(jié)構(gòu)模型1.晶胞(1)概念:描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元(2)晶體中晶胞的排列----無隙并置2.晶胞參數(shù)的計(jì)算①粒子數(shù)目的計(jì)算均攤法頂點(diǎn)被幾個(gè)晶胞共用?體內(nèi)被幾個(gè)晶胞共用?24376185211面上及棱上被幾個(gè)晶胞共用?2134能力1 晶胞中微粒數(shù)的計(jì)算及化學(xué)式的確定1.某晶體結(jié)構(gòu)的基本單元如圖所示。A為陰離子,位于立方體內(nèi),B為陽離子,分別位于頂角和面心,則該晶體的化學(xué)式為( )。A.B2A B.BA2C.B7A4 D.B4A7BP153 1題非平行六面體—六方晶胞中不同位置的粒子對(duì)晶胞的貢獻(xiàn)頂點(diǎn)被幾個(gè)晶胞共用?體內(nèi)被幾個(gè)晶胞共用?面上及棱上被幾個(gè)晶胞共用?2.氫氣是重要的清潔能源。要利用氫氣作為能源,必須解決好儲(chǔ)存氫氣的問題。化學(xué)家研究出利用合金儲(chǔ)存氫氣的方法,其中鑭(La)鎳(Ni)合金是一種儲(chǔ)氫材料,這種合金的晶體結(jié)構(gòu)已經(jīng)測(cè)定,其基本結(jié)構(gòu)單元如圖所示,則該合金的化學(xué)式可表示為( )。A.LaNi5 B.LaNiC.La14Ni24 D.La7Ni12AP153 2題②晶體密度的計(jì)算以晶胞為研究對(duì)象,晶胞的密度即為晶體的密度求一個(gè)晶胞的質(zhì)量--g求一個(gè)晶胞的體積--cm3ρ=1nm=10-7cm 1pm=10-10cm確定晶胞參數(shù)時(shí)就轉(zhuǎn)化好長(zhǎng)度單位!③配位數(shù)的計(jì)算距離該粒子最近的粒子的個(gè)數(shù)3.常見晶體結(jié)構(gòu)模型分析①離子晶體Q1: 一個(gè)晶胞中,有 個(gè)Na+,有 個(gè)Cl-Q2: 每個(gè)Cl-周圍距離最近Na+的有 個(gè),構(gòu)成 體Q3:每個(gè)Na+周圍距離最近的Na+有 個(gè)Q4:Na+和Cl-的配位數(shù)為?Q5:晶體密度為?離子晶體中與某離子距離最近的異電性離子的數(shù)目叫該離子的配位數(shù)①離子晶體Q1: 一個(gè)晶胞中,有 個(gè)CS+,有 個(gè)Cl-Q2: 每個(gè)Cl-周圍距離最近的CS+有 個(gè)Q3:每個(gè)CS+周圍距離最近的CS+有 個(gè)Q4:CS+和Cl-的配位數(shù)為?Q5:晶體密度為?Q1: 一個(gè)晶胞中,有 個(gè)Zn2+,有 個(gè)S2-Q2:Zn2+和S2-的配位數(shù)為?Q3:Zn2+和S2-的最短距離為?Q4:晶體密度為?①離子晶體Q1: 一個(gè)晶胞中,有 個(gè)Ca2+,有 個(gè)F-Q2:Ca2+和F-的配位數(shù)為?Q3:Ca2+和F-的最短距離為?Q4:晶體密度為?能力2 晶體的微觀結(jié)構(gòu)分析3.高溫下,超氧化鉀晶體呈立方體結(jié)構(gòu),晶體中氧的化合價(jià)部分為0,部分為-2。超氧化鉀晶體的一個(gè)晶胞如圖所示,下列說法正確的是( )。A.超氧化鉀的化學(xué)式為KO2,每個(gè)晶胞含有4個(gè)K+和4個(gè)O2-B.晶體中每個(gè)K+周圍最近的O2-有8個(gè),每個(gè)O2-周圍最近的K+有8個(gè)C.晶體中與每個(gè)K+距離最近的K+有8個(gè)D.晶體中與每個(gè)K+距離最近的K+有6個(gè)AP154 3題3.(改編)鎢酸鉛(PWO)是一種閃爍晶體,晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法錯(cuò)誤的是( )。A.鎢酸根結(jié)構(gòu)式為 ,該離子中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)之比是2∶1B.PWO晶體中同時(shí)存在離子鍵和共價(jià)鍵C.1個(gè)該晶胞中含有的陰離子數(shù)為3D.若PWO的摩爾質(zhì)量為M g·mol-1,則該晶體的密度 g·cm-3CP157 3題AlF3 結(jié)構(gòu)屬立方晶系,晶胞如圖3b所示,F(xiàn)-的配位數(shù)為 。若晶胞參數(shù)為apm,晶體密度 。2023全國(guó)甲卷35題節(jié)選②共價(jià)晶體金剛石Q1: 1molC原子含C-C鍵的數(shù)目為?Q2:每個(gè)金剛石晶胞中含有 個(gè)C原子 ,最小環(huán)為 環(huán)Q3:晶體密度為?Q1: 1molSiO2含Si-O鍵的數(shù)目為?最小環(huán)為 環(huán)Q2:晶體密度為?若Si與C最近距離為d,則邊長(zhǎng)(a)與最近距離(d)的關(guān)系為?③分子晶體Q1:每個(gè)水分子與相鄰的 個(gè)水分子以氫鍵相連Q2:每個(gè)水分子實(shí)際擁有 “氫鍵”Q3:冰晶體和金剛石晶胞相似的原因?Q:每個(gè)CO2分子周圍等距且緊鄰的CO2分子有 個(gè)堆積模型 簡(jiǎn)單立方堆積 體心立方堆積(鉀型) 面心立方最密堆積(銅型)晶胞代表金屬 Po Na、K、Fe Cu、Ag、Au配位數(shù) 6 8 12晶胞占有的原子數(shù) 1 2 4原子半徑(r)與立方體邊長(zhǎng)為(a)的關(guān)系 a=2r a=4r a=4r④金屬晶體 展開更多...... 收起↑ 資源預(yù)覽 縮略圖、資源來源于二一教育資源庫