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第三章 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
第三節(jié) 金屬晶體與離子晶體
課時(shí)一 金屬晶體 離子晶體
學(xué)習(xí)目標(biāo)
01.知道金屬晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，能借助金屬晶體模型說明金屬晶體中粒子及粒子間的相互作用
02.能從金屬原子結(jié)構(gòu)的視角認(rèn)識(shí)金屬鍵的本質(zhì)
03.能從“電子氣理論”解析金屬具有導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和延展性的原因
04.知道離子晶體中微粒及其離子間的相互作用
05.了解離子晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，并能根據(jù)晶體的一般物理性質(zhì)做出判斷
金屬晶體
01
金屬晶體
01
金屬晶體
復(fù)習(xí)回顧
通過前面對(duì)于分子晶體與離子晶體的學(xué)習(xí)，我們可以總結(jié)研究晶體的一般思路為
根據(jù)這個(gè)思路，你能預(yù)測(cè)金屬晶體的構(gòu)成微粒和相互作用嗎？
構(gòu)成的微粒
微粒間相互作用
晶體類型
物質(zhì)的性質(zhì)
01
金屬晶體
01
金屬晶體
通過視頻我們不難發(fā)現(xiàn)：
金屬晶體是由金屬原子構(gòu)成的，它們的結(jié)構(gòu)就好像很多硬球一層一層很緊密地堆積，每一個(gè)金屬原子的周圍有較多相同的原子圍繞著。
那么金屬原子又是如何“粘結(jié)”在一起的呢？
01
金屬晶體
電子氣理論
由于金屬原子的最外層電子數(shù)較少，容易失去電子成為金屬離子，金屬脫落下來的價(jià)電子幾乎均勻分布在整個(gè)晶體中，像遍布整塊金屬的“電子氣”，從而把所有金屬原子維系在一起。這些電子又稱為自由電子。
金屬晶體的電子氣理論示意圖
01
金屬晶體
金屬鍵
金屬
陽離子
自由
電子
金屬鍵
(在金屬晶體中，原子之間以金屬鍵相互結(jié)合)
金屬鍵的本質(zhì)
金屬陽離子與自由電子之間的強(qiáng)烈的相互作用
01
金屬晶體
不同的金屬其構(gòu)成原子不同，原子間所形成的金屬鍵強(qiáng)弱不同，故物質(zhì)的物理性質(zhì)差別很大。
如何解釋呢？
01
金屬晶體
金屬晶體中，自由電子在外加電場(chǎng)作用下，發(fā)生定向移動(dòng)，形成電流，使金屬具有良好的導(dǎo)電性，金屬晶體中除自由電子外的金屬陽離子在其位置附近振動(dòng)，加熱時(shí)，金屬陽離子的振動(dòng)加強(qiáng)，阻礙自由電子的運(yùn)動(dòng)，因而金屬的電阻隨溫度升高而增大。
通性一：金屬的導(dǎo)電性以及金屬的電阻隨溫度升高而增大
“電子氣理論”解釋金屬的通性
01
金屬晶體
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
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-
金屬晶體中，自由電子在運(yùn)動(dòng)中不斷地與金屬陽離子碰撞，從而發(fā)生能量交換，當(dāng)金屬晶體的一端受熱，加強(qiáng)了該端的金屬陽離子的振動(dòng)，自由電子將熱能迅速地傳遞到另一端，使金屬整體的溫度很快的升高，所以金屬有很好的導(dǎo)熱性。
通性二：金屬的導(dǎo)熱性
“電子氣理論”解釋金屬的通性
01
金屬晶體
金屬晶體中，由于自由電子的“膠合”作用，當(dāng)金屬受到外力作用時(shí)，晶體中的各原子層就會(huì)發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)，但不會(huì)改變?cè)瓉淼呐帕蟹绞剑覐浡诮饘僭娱g的電子氣可以起到類似軸承中滾珠之間潤(rùn)滑劑的作用，所以金屬有良好的延展性。
通性三：金屬的延展性
“電子氣理論”解釋金屬的通性
01
金屬晶體
形成的金屬鍵強(qiáng)弱不同
金屬單質(zhì) 熔點(diǎn)/℃
Li 180.5
Na 97.81
K 63.65
Rb 38.89
Cs 28.40
請(qǐng)同學(xué)們運(yùn)用“電子氣理論”解釋金屬的熔點(diǎn)和硬度差大的原因以及與什么因素有關(guān)？
01
金屬晶體
金屬晶體中，除了純金屬，還有大量的合金。合金的組成和結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜多樣。大多數(shù)合金以一種金屬為主要組成，如以鐵為主要成分的碳鋼、錳鋼、不銹鋼等，以銅為主要成分的黃銅、青銅、白銅等。
Fe
C
鋼
Au
Cu
K金
01
金屬晶體
“電子氣理論”把金屬鍵描述為金屬原子脫落下來的 形成遍布整塊晶體的“_______”，被所有原子所共用，從而把所有的_________維系在一起
歸納總結(jié)：金屬鍵
價(jià)電子
電子氣
金屬原子
金屬陽離子
自由電子
①金屬鍵的強(qiáng)弱主要決定于金屬元素的原子半徑和價(jià)電子數(shù)。原子半徑越大、價(jià)電子數(shù)越少，金屬鍵越弱；反之，金屬鍵越強(qiáng)。
②金屬鍵越強(qiáng)，金屬的熔、沸點(diǎn)越高，硬度越大。如：熔點(diǎn)最高的金屬是 ，硬度最大的金屬是 。
③金屬鍵沒有方向性和飽和性。
鎢
鉻
概念
和
成鍵粒子
金屬鍵的強(qiáng)弱和對(duì)金屬性質(zhì)的影響
01
金屬晶體
試用金屬鍵解釋Na、Mg、Al的熔點(diǎn)逐漸升高的原因。
原子半徑逐漸減小，價(jià)電子數(shù)逐漸增多，金屬鍵逐漸增強(qiáng)，熔點(diǎn)逐漸升高。
Na 鈉的熔點(diǎn)：97.8 ℃
Mg 鎂的熔點(diǎn)：650 ℃
Al 鋁的熔點(diǎn)：660.4 ℃
01
金屬晶體
金屬晶體的性質(zhì)：
在金屬晶體中，原子間以 相結(jié)合。
金屬鍵
歸納總結(jié)：金屬晶體
鐵鍋
導(dǎo)熱性
銅絲
導(dǎo)電性
金箔玫瑰花
延展性
01
金屬晶體
思考討論
如何用“電子氣理論”解釋金屬的通性？
延展性
當(dāng)金屬受到外力作用時(shí)，晶體中的各原子層就會(huì)發(fā)生回相對(duì)滑動(dòng)，但排列方式不變，而且彌漫在金屬原子間的電子氣可以起到類似軸承中滾珠之間潤(rùn)滑劑的作用，所以金屬有良好的延展性。
01
金屬晶體
如何用“電子氣理論”解釋金屬的通性？
在金屬晶體中，充滿著帶負(fù)電的“電子氣”（自由電子），這些電子氣的運(yùn)動(dòng)是沒有一定方向的，但在外加電場(chǎng)的條件下，自由電子定向運(yùn)動(dòng)形成電流，所以金屬容易導(dǎo)電。
不同的金屬導(dǎo)電能力不同，導(dǎo)電性最強(qiáng)的三中金屬是：Ag、Cu、Al。
導(dǎo)電性
思考討論
01
金屬晶體
如何用“電子氣理論”解釋金屬的通性？
當(dāng)金屬晶體的某一端在受熱時(shí)，其附近內(nèi)部的自由電子做劇烈的無序運(yùn)動(dòng)，從而與金屬陽離子發(fā)生碰撞。在碰撞過程中，引起兩者能量交換，能量高的自由電子將自己的能量傳遞給金屬陽離子。
導(dǎo)熱性
01
金屬晶體
金屬晶體內(nèi)部存在自由電子，當(dāng)光線投射到金屬表面時(shí)，自由電子吸收可見光，然后又把各種波長(zhǎng)的光大部分再反射出來,這就使絕大多數(shù)金屬呈現(xiàn)銀灰色或銀白色光澤。（某些金屬因易吸收某些頻率光而呈特殊顏色）
如何用“電子氣理論”解釋金屬的通性？
金屬光澤
金屬在粉末狀態(tài)時(shí)，金屬原子的取向雜亂，排列不規(guī)則，吸收可見光后不能再反射出來，所以金屬粉末常呈暗灰色或黑色
01
金屬晶體
知識(shí)延伸
金屬晶體的堆積方式
金屬原子在二維空間（平面）上有二種排列方式
球?qū)η颉⑺那蛞豢铡⒎敲苤脤?br/>球?qū)p、三球一空、密置層
01
金屬晶體
在三維空間也可以 球?qū)η颍驅(qū)p
01
金屬晶體
1、簡(jiǎn)單立方堆積
原子位置：
配位數(shù)：
含有原子數(shù)：
相切球：
邊長(zhǎng)與半徑關(guān)系：
空間利用率：
頂點(diǎn)
6
1
邊長(zhǎng)上的兩個(gè)原子
52%
01
金屬晶體
2、體心立方堆積
原子位置：
配位數(shù)：
含有原子數(shù)：
相切球：
邊長(zhǎng)與半徑關(guān)系：
空間利用率：
頂點(diǎn)、體心
8
2
體對(duì)角線上的三個(gè)原子
68%
01
金屬晶體
1
2
3
4
5
6
1
2
3
4
5
6
A
B
，
第二層對(duì)第一層來講最緊密的堆積方式是將球?qū)?zhǔn)1，3，5 位。
(或?qū)?zhǔn) 2，4，6 位；1、3位置太近只能填一個(gè)空隙）
關(guān)鍵是第三層，對(duì)第一二層來說，第三層可有兩種最緊密堆積方式
若金屬原子均采用密堆積
01
金屬晶體
1
2
3
4
5
6
A
B
，
第二層對(duì)第一層來講最緊密的堆積方式是將球?qū)?zhǔn)1，3，5 位。
(或?qū)?zhǔn) 2，4，6 位；1、3位置太近只能填一個(gè)空隙）
1、將第三層的球?qū)?zhǔn)第一層的球
2、第三層的球?qū)?zhǔn)第一層的2、4、6位置
A
B
，
1
2
3
4
5
6
兩層形成一個(gè)周期， AB AB 方式，形成六方緊密堆積
三層形成一個(gè)周期， ABC ABC 方式，面心立方最密堆積
01
金屬晶體
3、六方最密立方堆積
原子位置：
配位數(shù)：
含有原子數(shù)：
相切球：
高與邊長(zhǎng)關(guān)系：
空間利用率：
頂點(diǎn)、體內(nèi)
12
4
四面體的四個(gè)頂點(diǎn)
74%
01
金屬晶體
4、面心立方最密堆積
原子位置：
配位數(shù)：
含有原子數(shù)：
相切球：
邊長(zhǎng)與半徑關(guān)系：
空間利用率：
頂點(diǎn)、面心
12
4
面對(duì)角線上的三個(gè)原子
74%
離子晶體
02
離子晶體
02
離子晶體
通過視頻發(fā)現(xiàn)從溶液中析出的鹽自發(fā)的呈多面體形狀，說明鹽也是晶體。
請(qǐng)你分析出構(gòu)成鹽的微粒是什么，微粒間的作用力又是什么？屬于什么晶體類型
02
離子晶體
靜電作用力
離子晶體
鈉離子、氯離子
成鍵本質(zhì)
晶體類型
成鍵微粒
NaCl晶胞
02
離子晶體
觀察氯化鈉的晶胞模型，并思考：晶胞中各離子的位置分布？
探究一
面心： _____個(gè)氯離子
體心：_____個(gè)鈉離子
棱上： _____個(gè)鈉離子
頂點(diǎn)： _____個(gè)氯離子
1
12
8
6
02
離子晶體
每個(gè)Na+同時(shí)吸引著6個(gè)Cl-，分別在前后左右上下的位置
鈉離子所處的環(huán)境
觀察氯化鈉的晶胞模型，并思考：晶胞中各離子的位置分布？
探究一
02
離子晶體
每個(gè)Cl-同時(shí)吸引著6個(gè)Na+，分別在前后左右上下的位置
觀察氯化鈉的晶胞模型，并思考：晶胞中各離子的位置分布？
探究一
氯離子所處的環(huán)境
02
離子晶體
鈉離子所
處的環(huán)境
氯離子所
處的環(huán)境
為什么會(huì)出現(xiàn)這種情況呢？
陰陽離子間的靜電作用沒有方向性，每個(gè)粒子周圍會(huì)盡可能多的吸引帶相反電荷的離子，以達(dá)到降低體系能量的目的，故離子鍵沒有方向性和飽和性。所以離子在晶體中常常也趨向于采用盡可能緊密地堆積形式，可以視為圓球的密堆積，只不過陰離子、陽離子的半徑是不同的，是不等徑圓球的密堆積
02
離子晶體
Na＋位于_______和_______
Cl－位于_______和_______
棱上位置：12× ＝3
4
1
棱上
體心
晶胞內(nèi)位置：1×1＝1
頂點(diǎn)
面心
頂點(diǎn)位置：8× ＝1
8
1
面心位置：6× ＝3
2
1
觀察氯化鈉的晶胞模型，并解釋：NaCl表示什么含義
探究二
02
離子晶體
觀察氯化鈉的晶胞模型，并解釋：NaCl表示什么含義
探究二
一個(gè)晶胞中的氯離子和鈉離子均為四個(gè)，二者的比值是1 : 1。故并不存在單獨(dú)的氯化鈉分子，只是在整個(gè)晶體中，氯離子與鈉離子的個(gè)數(shù)比為1 : 1。因此，氯化鈉的化學(xué)式表示的只是表示氯化鈉的組成。
02
離子晶體
觀察氯化鈉的晶胞模型，并解釋：NaCl的熔點(diǎn)較高、硬度較大的原因
探究二
在NaCl中，離子間存在著較強(qiáng)的離子鍵，使離子晶體的硬度較大，難于壓縮；而且，要使它們由固態(tài)變成液態(tài)或氣態(tài)，需要較多的能量破壞這些較強(qiáng)的離子鍵，因此，NaCl具有較高的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)。
02
離子晶體
分析：晶胞中各離子的位置分布情況
問題1
CsCl的晶胞中，1個(gè)銫離子處于立方體的中心，8個(gè)氯離子是位于頂點(diǎn)
銫離子所處的環(huán)境：每個(gè)Cs+同時(shí)吸引著8個(gè)Cl
氯離子所處的環(huán)境：每個(gè)Cl 同時(shí)吸引著8個(gè)Cs+
結(jié)合所學(xué)內(nèi)容并根據(jù)氯化銫的結(jié)構(gòu)分析和性質(zhì)來回答問題：
CsCl的晶胞
Cl-
Cs+
02
離子晶體
分析：晶體中是否存在氯化銫分子 CsCl表示什么含義
問題2
1
8 ＝1
8
1
Cs+位于_______
Cl－位于_______
體心
頂點(diǎn)
一個(gè)晶胞中氯離子和銫離子都是一個(gè)，兩者的比例為1 : 1。即沒有單獨(dú)存在的氯化銫分子，氯化銫這個(gè)化學(xué)式表示的就是氯化銫的組成
結(jié)合所學(xué)內(nèi)容并根據(jù)氯化銫的結(jié)構(gòu)分析和性質(zhì)來回答問題：
CsCl的晶胞
Cl-
Cs+
02
離子晶體
CsCl的熔點(diǎn)較高(645 ℃)的原因是什么？
問題3
在CsCl中，離子間存在著較強(qiáng)的離子鍵，使離子晶體的硬度較大，難于壓縮；而且，要使它們由固態(tài)變成液態(tài)或氣態(tài)，需要較多的能量破壞這些較強(qiáng)的離子鍵，因此，CsCl具有較高的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)。
結(jié)合所學(xué)內(nèi)容并根據(jù)氯化銫的結(jié)構(gòu)分析和性質(zhì)來回答問題：
CsCl的晶胞
Cl-
Cs+
02
離子晶體
Na＋、Cs＋所帶電荷一樣，但Na＋的半徑小于Cs＋的半徑，NaCl中離子鍵強(qiáng)于CsCl中離子鍵，所以NaCl的熔點(diǎn)高于CsCl的熔點(diǎn)。
NaCl的熔點(diǎn)為801 ℃，CsCl的熔點(diǎn)為645 ℃，試解釋其原因。
02
離子晶體
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
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-
-
-
-
與電源正極相連的電極
與電源負(fù)極相連的電極
金屬晶體的導(dǎo)電性與金屬晶體中自由電子有關(guān)，在外加電場(chǎng)條件下，自由電子定向運(yùn)動(dòng)而形成電流。
離子晶體的性質(zhì)探究
NaCl等離子晶體在熔融狀態(tài)下導(dǎo)電、水溶液導(dǎo)電與金屬導(dǎo)電有什么不同
探究四
02
離子晶體
離子晶體固態(tài)時(shí)不能導(dǎo)電，因?yàn)殛庩栯x子不能自由移動(dòng)，在熔融或水溶液狀態(tài)下發(fā)生電離，產(chǎn)生自由移動(dòng)的陰陽離子，離子晶體才能夠?qū)щ姟?br/>NaCl溶液能夠?qū)щ?br/>熔融的NaCl能夠?qū)щ?br/>NaCl等離子晶體在熔融狀態(tài)下導(dǎo)電、水溶液導(dǎo)電與金屬導(dǎo)電有什么不同
探究四
02
離子晶體
離子晶體較脆，延展性較差
施加外力
發(fā)生滑動(dòng)
同種電荷相互排斥，使晶面裂開
離子晶體是否具有較好的延展性
探究五
02
離子晶體
化合物 熔點(diǎn)/℃ 化合物 熔點(diǎn)/℃
CaO 2 613 Na2SO4 884
CuCl2 1 326 Ca2SiO4 2 130
NH4NO3 169.6 Na3PO4 340
BaSO4 1 580 CH3COOCs 194
LiPF6 200 (分解溫度) NaNO2 270
①?gòu)谋碇袛?shù)據(jù)可知，離子晶體的熔點(diǎn)差異也較大
離子晶體的熔點(diǎn)是否都較高？分析下表中的數(shù)據(jù)，能得出什么結(jié)論？
探究六
②從表中還發(fā)現(xiàn)，大量離子晶體的陰離子或陽離子不是單原子，離子組成差異較大，有些晶體中還存在共價(jià)鍵，然而貫穿整個(gè)晶體的主要作用力仍是陰陽離子之間的作用力。
02
離子晶體
歸納總結(jié)：離子鍵及其影響因素
離子鍵沒有方向性和飽和性
概念
離子所帶電荷數(shù) ，離子半徑 ，離子鍵越強(qiáng)。
影響因素
陰、陽離子之間通過 形成的化學(xué)鍵。
靜電作用
越多
越小
歸納總結(jié)：離子晶體及其物理性質(zhì)
概念
由 和 相互作用而形成的晶體。
①熔、沸點(diǎn)較 ，硬度較 。
②離子晶體不導(dǎo)電，但 或 后能導(dǎo)電。
③大多數(shù)離子晶體能溶于水，難溶于有機(jī)溶劑。
陽離子
陰離子
離子晶體的性質(zhì)
高
大
熔化
溶于水
02
離子晶體
柔性離子晶體管：為未來生物電子器件奠定基礎(chǔ)！
哥倫比亞大學(xué)神經(jīng)電子轉(zhuǎn)化實(shí)驗(yàn)室開發(fā)出了第一個(gè)具有生物相容性的離子驅(qū)動(dòng)的晶體管。這項(xiàng)技術(shù)在在體電生理信號(hào)采集和神經(jīng)刺激方面具有重要的意義。
有機(jī)柔性放大器領(lǐng)域中的重要工作，可能對(duì)未來的可植入設(shè)備、腦機(jī)界面等設(shè)備的形式產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。可能的設(shè)備形式比如完全柔性可長(zhǎng)期植入的神經(jīng)電極、深部腦刺激器、植入性的高分辨率心電監(jiān)護(hù)設(shè)備等等。柔性電子在將來甚至可以作為承載深度學(xué)習(xí)的計(jì)算單元而直接植入體內(nèi) 。
課堂總結(jié)
03
課堂總結(jié)
金屬鍵與金屬晶體
離子晶體
電子氣理論
概念
成鍵粒子
金屬鍵的強(qiáng)弱和對(duì)金屬性質(zhì)的影響
概念
影響因素
離子晶體的性質(zhì)
金屬晶體與離子晶體
課堂練習(xí)
04
課堂練習(xí)
1．下列變化需克服共價(jià)鍵的是
A．金剛石熔化
B．汞變成汞蒸氣
C．碘升華
D．食鹽溶于水
【答案】A
【詳解】A．金剛石為共價(jià)晶體，只存在共價(jià)鍵，熔化時(shí)克服共價(jià)鍵，故A選；
B．汞受熱變成汞蒸氣，克服金屬鍵，故B不選；
C．碘單質(zhì)為分子晶體，碘升華不破壞化學(xué)鍵，克服分子間作用力，故C不選；
D．食鹽為離子晶體，溶于水發(fā)生電離，克服離子鍵，故D不選；
故選：A。
04
課堂練習(xí)
2．三氯化鐵的熔點(diǎn)為282℃、沸點(diǎn)為315℃，易溶于水，也易溶于乙醚等有機(jī)溶劑。在400℃時(shí)，它的蒸氣中有雙聚分子Fe2Cl6存在。則三氯化鐵的晶體類型為
A．分子晶體 B．共價(jià)晶體
C．金屬晶體 D．離子晶體
【答案】A
【詳解】通常晶體熔點(diǎn)高低順序是：共價(jià)晶體＞離子晶體＞分子晶體；三氯化鐵的熔沸點(diǎn)較低，且蒸氣中有雙聚分子Fe2Cl6存在，則符合分子晶體特點(diǎn)，故選A。
04
課堂練習(xí)
3．下列敘述不正確的是
A．離子晶體中一定含有陰、陽離子
B．離子晶體都是化合物
C．固態(tài)不導(dǎo)電、溶于水能導(dǎo)電，這一性質(zhì)能說明某晶體一定是離子晶體
D．離子晶體一般具有較高的熔點(diǎn)
04
課堂練習(xí)
【答案】C
【詳解】A．離子晶體是通過離子鍵形成的，故離子晶體中一定含有陰、陽離子，A正確；
B．由陰陽離子構(gòu)成的化合物為離子晶體，B正確；
C．固體不導(dǎo)電、溶于水能導(dǎo)電的不一定是離子晶體，如AlCl3，C錯(cuò)誤；
D．離子晶體是通過離子鍵形成的，鍵能較大，故離子晶體一般具有較高的熔點(diǎn)，D正確；
故選C。
04
課堂練習(xí)
4．金屬能導(dǎo)電的原因是
A．金屬晶體中金屬陽離子與自由電子間的作用較弱
B．金屬晶體中的自由電子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng)
C．金屬晶體中的金屬陽離子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng)
D．金屬晶體在外加電場(chǎng)作用下可失去電子
【答案】B
【詳解】金屬晶體內(nèi)部是由金屬陽離子和自由移動(dòng)的電子構(gòu)成的，在外加電場(chǎng)作用下自由電子定向移動(dòng)，產(chǎn)生電流，這就是金屬導(dǎo)電的原因。
04
課堂練習(xí)
5．X、Y、Z、W 是原子序數(shù)依次增大的四種短周期元素。基態(tài)X、Z原子的電子均填充了3個(gè)能級(jí)，且均有2個(gè)未成對(duì)電子，W的核外電子數(shù)是X原子最外層電子數(shù)的3倍。下列說法正確的是
A．與Y同周期且第一電離能比Y小的元素有四種
B．元素X的氫化物的沸點(diǎn)一定比元素Y的氫化物低
C．Z與W形成WZ，屬于離子晶體可作耐高溫材料
D．簡(jiǎn)單離子半徑：r(W)>r(Z)>r(Y)
04
課堂練習(xí)
【答案】C
【分析】X、Y、Z、W 是原子序數(shù)依次增大的四種短周期元素。基態(tài)X、Z原子的電子均填充了3個(gè)能級(jí)，且均有2個(gè)未成對(duì)電子，則X為C、Z為O，那么Y為N；W的核外電子數(shù)是X原子最外層電子數(shù)的3倍，W為12號(hào)元素Mg；據(jù)此分析解答。
【詳解】A．同一周期隨著原子序數(shù)變大，第一電離能變大，N的2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能大于同周期相鄰元素，則與Y同周期且第一電離能比Y小的元素有Li、Be、B、C、O共五種，A錯(cuò)誤；
B．碳可以形成相對(duì)分子質(zhì)量很大的烴，其沸點(diǎn)可能很高，故元素X的氫化物的沸點(diǎn)不一定比元素Y的氫化物低，B錯(cuò)誤；
C．Z與W組成的化合物氧化鎂熔點(diǎn)為2800℃，可作耐高溫材，C正確；
D．電子層數(shù)越多半徑越大，電子層數(shù)相同時(shí)，核電荷數(shù)越大，半徑越小；簡(jiǎn)單離子半徑：r(Y)＞r(Z)＞r(W)，D錯(cuò)誤；
故選C。
04
課堂練習(xí)
6.下列關(guān)于金屬及金屬鍵的說法正確的是(　　)
A.金屬鍵具有方向性和飽和性
B.金屬鍵是金屬陽離子與自由電子之間的相互作用
C.金屬導(dǎo)電是因?yàn)樵谕饧与妶?chǎng)作用下產(chǎn)生自由電子
D.金屬具有光澤是因?yàn)榻饘訇栯x子吸收并放出可見光
B
04
課堂練習(xí)
7．下列有關(guān)金屬鍵的敘述中，錯(cuò)誤的是(　　)
A．金屬鍵沒有飽和性和方向性
B．金屬鍵是金屬陽離子和自由電子之間存在的強(qiáng)烈的靜電吸引作用
C．金屬鍵中的電子屬于整塊金屬
D．金屬的性質(zhì)和金屬固體的形成都與金屬鍵有關(guān)
A
04
課堂練習(xí)
8.金屬晶體的下列性質(zhì)中,不能用金屬晶體結(jié)構(gòu)加以解釋的是(　　)
A.易導(dǎo)電 B.易導(dǎo)熱
C.有延展性 D.易銹蝕
D
04
課堂練習(xí)
9.MgO、Cs2O、CaO、BaO四種離子晶體熔點(diǎn)的高低順序是(　 　)
A.MgO>Cs2O>BaO>CaO B.MgO>CaO>BaO>Cs2O
C.CaO>BaO>MgO>Cs2O D.CaO>BaO>Cs2O>MgO
B
04
課堂練習(xí)
10.為了確定SbCl3、SbCl5、SnCl4是否為離子化合物,進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)。其中合理、可靠的是(　　)
A.觀察常溫下的狀態(tài),SbCl5是蒼黃色液體,SnCl4為無色液體。結(jié)論:SbCl5和SnCl4都是離子化合物
B.測(cè)定SbCl3、SbCl5、SnCl4的熔點(diǎn)依次為73.5 ℃、2.8 ℃、-33 ℃。結(jié)論:SbCl3、SbCl5、SnCl4都不是離子化合物
C.將SbCl3、SbCl5、SnCl4溶解于水中,滴入HNO3酸化的AgNO3溶液,產(chǎn)生白色沉淀。結(jié)論:SbCl3、SbCl5、SnCl4都是離子化合物
D.測(cè)定SbCl3、SbCl5、SnCl4水溶液的導(dǎo)電性,發(fā)現(xiàn)它們都可以導(dǎo)電。結(jié)論:SbCl3、SbCl5、SnCl4都是離子化合物
B
04
課堂練習(xí)
11.鈉的鹵化物（NaX）和硅的鹵化物（SiX4）的熔點(diǎn)如圖所示
①判斷晶體的類型。
②解釋熔點(diǎn)變化的原因。
NaF
NaCl
NaBr
NaI
SiF4
SiCl4
SiBr4
SiI4
離子晶體
X-半徑增大，離子鍵減弱
分子晶體
相對(duì)分子質(zhì)量增大，
分子間作用力增加
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