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第三章　階段重點(diǎn)突破練(三)
(分值：100分)
(選擇題1~13題，每小題5分，共65分)
一、分子晶體和共價(jià)晶體的結(jié)構(gòu)分析及應(yīng)用
1.下列說法正確的是 (　　)
A.分子晶體中一定存在分子間作用力和共價(jià)鍵
B.分子晶體的熔點(diǎn)一般比共價(jià)晶體的熔點(diǎn)高
C.稀有氣體形成的晶體屬于分子晶體
D.CO2晶體是分子晶體，可推測(cè)SiO2晶體也是分子晶體
2.下列說法正確的是 (　　)
A.干冰升華時(shí)破壞了共價(jià)鍵
B.共價(jià)晶體中，共價(jià)鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高
C.分子晶體中，共價(jià)鍵鍵能越大，該分子晶體的熔、沸點(diǎn)一定越高
D.分子晶體中，分子間作用力越大，對(duì)應(yīng)的物質(zhì)越穩(wěn)定
3.如圖為碘晶體晶胞結(jié)構(gòu)。下列有關(guān)說法正確的是 (　　)
A.碘晶體熔化時(shí)需克服分子間作用力
B.用均攤法可知平均每個(gè)晶胞中有4個(gè)碘原子
C.碘晶體為無限延伸的空間結(jié)構(gòu)，是共價(jià)晶體
D.碘晶體中的碘原子間存在非極性鍵和范德華力
4.下列各組晶體物質(zhì)中：①SiO2和SO3；②晶體硼和HCl；③CO2和SO2；④晶體硅和金剛石；⑤晶體氖和晶體氮；⑥硫黃和碘，化學(xué)鍵類型相同，晶體類型也相同的是 (　　)
A.①②③ B.④⑤⑥
C.③④⑥ D.①③⑤
5.某無機(jī)化合物的二聚分子結(jié)構(gòu)如圖，該分子中A、B兩種元素都是第三周期的元素，分子中所有原子最外層都達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。下列關(guān)于該化合物的說法不正確的是 (　　)
A.化學(xué)式是Al2Cl6
B.不存在離子鍵和非極性共價(jià)鍵
C.在固態(tài)時(shí)所形成的晶體是分子晶體
D.在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電
6.(2023·桂林高二月考)以NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法正確的是 (　　)
A.18 g冰中含氫鍵數(shù)目為4NA
B.28 g晶體硅中含有Si—Si數(shù)目為4NA
C.88 g干冰中含有0.5NA個(gè)晶胞結(jié)構(gòu)單元
D.12 g石墨烯中含C—C數(shù)目為3NA
7.干冰晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，即8個(gè)CO2分子占據(jù)立方體的頂角，且在6個(gè)面的中心又各有1個(gè)CO2分子。在每個(gè)CO2分子周圍距離a(其中a為立方體棱長(zhǎng))的CO2分子有 (　　)
A.4個(gè) B.8個(gè)
C.12個(gè) D.6個(gè)
8.(2024·貴陽(yáng)高二檢測(cè))自從第一次合成稀有氣體元素的化合物XePtF6以來，人們又相繼發(fā)現(xiàn)了氙的一系列化合物，如XeF2、XeF4等。圖甲為XeF4的結(jié)構(gòu)示意圖，圖乙為XeF2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)圖。下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是 (　　)
A.XeF4是由極性鍵構(gòu)成的非極性分子
B.XeF2晶體屬于分子晶體
C.1個(gè)XeF2晶胞中實(shí)際擁有2個(gè)XeF2
D.XeF2晶體中距離最近的2個(gè)XeF2之間的距離為a(a為晶胞邊長(zhǎng))
9.P元素有白磷、紅磷、黑磷三種常見的單質(zhì)。黑磷是一種黑色有金屬光澤的晶體，是一種比石墨烯更優(yōu)秀的新型材料。白磷、紅磷都是分子晶體，黑磷晶體具有與石墨類似的層狀結(jié)構(gòu)，如圖所示。下列有關(guān)黑磷晶體的說法正確的是 (　　)
A.黑磷晶體中磷原子的雜化方式為sp2雜化
B.黑磷晶體中層與層之間的作用力是分子間作用力
C.黑磷晶體的每一層中磷原子都在同一平面上
D.P元素三種常見的單質(zhì)中，白磷的熔、沸點(diǎn)最高
二、分子晶體、共價(jià)晶體的性質(zhì)分析及應(yīng)用
10.根據(jù)下列幾種物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)判斷，下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是 (　　)
物質(zhì) AlCl3 SiCl4 單質(zhì)B
熔點(diǎn)/℃ 190 -70 2 300
沸點(diǎn)/℃ 180.0 57.6 2 500
注：AlCl3熔點(diǎn)在2.02×105 Pa條件下測(cè)定。
A.SiCl4是分子晶體
B.單質(zhì)B是共價(jià)晶體
C.AlCl3加熱能升華
D.單質(zhì)B和AlCl3晶體類型相同
11.X是核外電子數(shù)最少的元素，Y是地殼中含量最豐富的元素，Z在地殼中的含量?jī)H次于Y，W可以形成自然界中硬度最大的共價(jià)晶體。下列敘述錯(cuò)誤的是 (　　)
A.X2Y晶體的熔點(diǎn)高于WX4晶體的熔點(diǎn)
B.固態(tài)X2Y2是分子晶體
C.ZW是共價(jià)晶體，其硬度比Z晶體的大
D.Z、W是同一主族的元素，Z、W與元素Y形成的晶體都是共價(jià)晶體
12.北京工商大學(xué)蘇發(fā)兵課題組最近合成CuO/ZnO納米材料提高有機(jī)硅單體合成反應(yīng)(Rochow—Müller Process)的選擇性和產(chǎn)率。化學(xué)反應(yīng)如下：
下列有關(guān)敘述正確的是 (　　)
A.甲分子是正四面體形非極性分子
B.乙晶體是含非極性鍵的共價(jià)晶體
C.催化劑中所含元素的第一電離能：Cu>Zn>O
D.熔點(diǎn)：丙>甲>乙
13.《科學(xué)》雜志曾報(bào)道合成了一種新的具有超高熱導(dǎo)率的半導(dǎo)體材料——砷化硼(BAs)。通過反應(yīng)4BI3(g)+As4(g)4BAs(s，晶體)+6I2(g)可制備BAs晶體。下列說法錯(cuò)誤的是 (　　)
A.圖(a)表示As4的結(jié)構(gòu)，As4分子中成鍵電子對(duì)與孤電子對(duì)數(shù)目之比為3∶1
B.圖(b)表示晶態(tài)單質(zhì)硼的B12基本結(jié)構(gòu)單元，該基本結(jié)構(gòu)單元為正二十面體
C.圖(b)所示晶態(tài)單質(zhì)硼的熔點(diǎn)為2 180 ℃，它屬于共價(jià)晶體
D.圖(c)表示BAs晶胞結(jié)構(gòu)，As原子的配位數(shù)為4
14.(15分)鈦被稱為繼鐵、鋁之后的第三金屬，制備金屬鈦的一種流程如下：
(1)已知TiCl4在通常情況下是無色液體，熔點(diǎn)為-37 ℃，沸點(diǎn)為136 ℃，可知TiCl4為　　　　晶體。
(2)鈣鈦礦晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，鈦離子位于立方晶胞的頂角，被　　　　個(gè)氧離子包圍成配位八面體；鈣離子位于立方晶胞的體心，被　　　　個(gè)氧離子包圍。
(3)納米TiO2是一種應(yīng)用廣泛的催化劑，其催化的一個(gè)實(shí)例如下：
化合物甲中C原子的雜化方式為　　　　；化合物乙的沸點(diǎn)明顯高于化合物甲，主要原因是　　　　
　　　　　　　　　　　。
15.(20分)(2023·沈陽(yáng)高二期中)Ⅰ.氮化硼晶體的結(jié)構(gòu)與金剛石相似，其晶胞如圖所示。
(1)在一個(gè)晶胞中，含有硼原子　　　個(gè)，氮原子　　　個(gè)。
(2)已知氮化硼晶胞參數(shù)為γ cm，則在此晶胞中，氮原子和硼原子之間的最短距離是　　　 cm，DE原子之間的距離是　　　 cm。
(3)以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的相對(duì)位置，稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。已知三個(gè)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)：A為(0，0，0)、B為(0，1，1)、C為(1，1，0)，則E原子為　　　　　。
(4)氮化硼晶胞的俯視投影圖是　　　(填字母)。
(5)設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，則氮化硼晶體的密度為　　　　　 g·cm-3(用代數(shù)式表示)。
Ⅱ.在硅酸鹽中，Si四面體(如圖為俯視投影圖)通過共用頂角氧原子可形成鏈狀、環(huán)狀等多種結(jié)構(gòu)。
(6)如圖為一種無限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si與O的原子數(shù)之比為　　　，化學(xué)式為　　　　　　。
答案精析
1.C　［分子晶體中一定存在分子間作用力，不一定存在共價(jià)鍵，如稀有氣體分子形成的晶體，故A錯(cuò)誤；分子晶體的熔點(diǎn)一般比共價(jià)晶體的熔點(diǎn)低，故B錯(cuò)誤；稀有氣體為單原子分子，形成的晶體屬于分子晶體，故C正確；CO2晶體是分子晶體，但SiO2晶體是共價(jià)晶體，故D錯(cuò)誤。］
2.B　［干冰升華為物理變化，只破壞分子間作用力，故A錯(cuò)誤；共價(jià)晶體中，共價(jià)鍵決定熔點(diǎn)，則共價(jià)鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高，故B正確；分子晶體中，分子間作用力越大，分子晶體的熔、沸點(diǎn)一定越高，共價(jià)鍵鍵能越大，該物質(zhì)越穩(wěn)定，故C、D錯(cuò)誤。］
3.A　［每個(gè)晶胞中有4個(gè)碘分子，B項(xiàng)錯(cuò)誤；碘晶體是分子晶體，C項(xiàng)錯(cuò)誤；碘原子間只存在非極性共價(jià)鍵，范德華力存在于分子之間，D項(xiàng)錯(cuò)誤。］
4.C　［①二氧化硅是含有共價(jià)鍵的共價(jià)晶體，三氧化硫是含有共價(jià)鍵的分子晶體，故不符合題意；②晶體硼是含有共價(jià)鍵的共價(jià)晶體，氯化氫是含有共價(jià)鍵的分子晶體，故不符合題意；③二氧化碳和二氧化硫都是含有共價(jià)鍵的分子晶體，故符合題意；④晶體硅和金剛石都是含有共價(jià)鍵的共價(jià)晶體，故符合題意；⑤晶體氖是不含有共價(jià)鍵的分子晶體，晶體氮是含有共價(jià)鍵的分子晶體，故不符合題意；⑥硫黃和碘都是含有共價(jià)鍵的分子晶體，故符合題意。］
5.D
6.C　［由圖可知，每個(gè)水分子與4個(gè)水分子形成4個(gè)氫鍵，每個(gè)水分子形成的氫鍵數(shù)目為4×=2，則18 g冰中含氫鍵的物質(zhì)的量為×2=2 mol，數(shù)目為2NA，故A錯(cuò)誤；由圖可知，晶體硅中每個(gè)硅原子與4個(gè)硅原子形成4個(gè)Si—Si，每個(gè)硅原子形成的Si—Si數(shù)目為4×=2，則28 g晶體硅中含Si—Si的物質(zhì)的量為×2=2 mol，數(shù)目為2NA，故B錯(cuò)誤；由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中含有二氧化碳的個(gè)數(shù)為8×+6×=4，則88 g干冰中含有的晶胞結(jié)構(gòu)單元的物質(zhì)的量為×=0.5 mol，數(shù)目為0.5NA，故C正確；由圖可知，石墨烯中每個(gè)碳原子與3個(gè)碳原子形成C—C，每個(gè)碳原子形成的C—C數(shù)目為3×=1.5，則12 g石墨烯中含C—C的物質(zhì)的量為×1.5=1.5 mol，數(shù)目為1.5NA，故D錯(cuò)誤。］
7.C　［根據(jù)題圖，以頂角CO2分子為研究對(duì)象，在該CO2分子周圍距離為a的CO2分子有12個(gè)，均處于面心位置，C正確。］
8.D　［根據(jù)XeF4的結(jié)構(gòu)示意圖判斷，Xe和F之間形成極性鍵，該分子為平面正方形，正、負(fù)電荷中心重合，為非極性分子，故A正確；1個(gè)XeF2晶胞中實(shí)際擁有XeF2的數(shù)目為8×+1=2，故C正確；根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)分析，體心的XeF2與每個(gè)頂角的XeF2之間的距離最近，為a，故D錯(cuò)誤。］
9.B　［由結(jié)構(gòu)可知黑磷晶體中磷原子的雜化方式為sp3雜化，故A錯(cuò)誤；黑磷晶體中層與層之間的作用力是分子間作用力，故B正確；磷原子的雜化方式為sp3雜化，每一層的各原子不可能都在同一平面內(nèi)，故C錯(cuò)誤。］
10.D　［由表中數(shù)據(jù)可知，四氯化硅是熔、沸點(diǎn)較低的分子晶體，故A正確；單質(zhì)B是熔、沸點(diǎn)很高的共價(jià)晶體，故B正確；氯化鋁的沸點(diǎn)比熔點(diǎn)低，所以氯化鋁加熱能升華，故C正確；單質(zhì)B是共價(jià)晶體，氯化鋁是分子晶體，兩者晶體類型不同，故D錯(cuò)誤。］
11.D　［X2Y晶體是冰，含氫鍵，熔點(diǎn)高于CH4晶體，A正確；固態(tài)X2Y2是H2O2，構(gòu)成微粒為分子，屬于分子晶體，B正確；SiC的結(jié)構(gòu)與金剛石相似，為共價(jià)晶體，C—Si強(qiáng)度大于Si—Si，SiC的硬度比晶體硅的大，C正確；CO2、CO是分子晶體，SiO2是共價(jià)晶體，D錯(cuò)誤。］
12.B　［甲分子中4個(gè)共價(jià)鍵不完全相同，呈四面體形，A錯(cuò)誤；乙晶體是硅晶體，它是共價(jià)晶體，B正確；銅、鋅基態(tài)原子價(jià)層電子排布分別為3d104s1、3d104s2，全充滿結(jié)構(gòu)比半充滿結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定，即鋅的第一電離能大于銅，且三種元素中氧的第一電離能最大，C錯(cuò)誤；共價(jià)晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體，乙、丙、甲熔點(diǎn)依次降低，D錯(cuò)誤。］
13.A　［As是第ⅤA族元素，As4分子中成鍵電子對(duì)數(shù)目為6，孤電子對(duì)數(shù)目為4，故成鍵電子對(duì)與孤電子對(duì)數(shù)目之比為3∶2，故A錯(cuò)誤；=20，可知該基本結(jié)構(gòu)單元為正二十面體，故B正確；晶態(tài)單質(zhì)硼具有較高熔點(diǎn)，屬于共價(jià)晶體，故C正確；由題圖可知，大球表示As原子，As原子的配位數(shù)為4，故D正確。］
14.(1)分子　(2)6　12　(3)sp2和sp3　化合物乙分子間形成氫鍵
解析　(3)化合物甲中甲基(—CH3)、亞甲基(—CH2—)中碳原子含有4個(gè)σ鍵且不含孤電子對(duì)，所以采取sp3雜化，酮羰基()中碳原子含有3個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵，且不含孤電子對(duì)，所以采取sp2雜化，化合物乙因分子間存在氫鍵，分子間作用力大，則化合物乙的沸點(diǎn)比化合物甲高。
15.(1)4　4　(2)γ　γ　(3)　(4)b　(5)　(6)1∶3　Si或［SiO3
解析　(1)硼原子位于晶胞內(nèi)，氮原子位于頂角和面心，則在一個(gè)晶胞中，含有硼原子4個(gè)，氮原子8×+6×=4個(gè)。(2)已知氮化硼晶胞參數(shù)為γ cm，則在此晶胞中，氮原子和硼原子之間的最短距離為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)的，是γ cm，DE原子即晶體中兩個(gè)距離最近的B原子，二者之間的距離為晶胞面對(duì)角線長(zhǎng)的，即是γ cm。(5)1個(gè)氮化硼晶胞內(nèi)含有的氮原子和硼原子均為4個(gè)，則晶胞的質(zhì)量為 g，氮化硼晶胞參數(shù)為γ cm，則晶胞體積為γ3 cm3，晶體的密度為= g·cm-3。(6)觀察題圖可知，每個(gè)四面體通過兩個(gè)氧原子與其他四面體連接形成鏈狀結(jié)構(gòu)，所以每個(gè)四面體中的硅原子數(shù)是1，氧原子數(shù)是2+2×=3，即Si與O的原子數(shù)之比為1∶3；化學(xué)式為Si或［SiO3。(共39張PPT)
階段重點(diǎn)突破練(三)
第三章
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一、分子晶體和共價(jià)晶體的結(jié)構(gòu)分析及應(yīng)用
1.下列說法正確的是
A.分子晶體中一定存在分子間作用力和共價(jià)鍵
B.分子晶體的熔點(diǎn)一般比共價(jià)晶體的熔點(diǎn)高
C.稀有氣體形成的晶體屬于分子晶體
D.CO2晶體是分子晶體，可推測(cè)SiO2晶體也是分子晶體
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分子晶體中一定存在分子間作用力，不一定存在共價(jià)鍵，如稀有氣體分子形成的晶體，故A錯(cuò)誤；
分子晶體的熔點(diǎn)一般比共價(jià)晶體的熔點(diǎn)低，故B錯(cuò)誤；
稀有氣體為單原子分子，形成的晶體屬于分子晶體，故C正確；
CO2晶體是分子晶體，但SiO2晶體是共價(jià)晶體，故D錯(cuò)誤。
2.下列說法正確的是
A.干冰升華時(shí)破壞了共價(jià)鍵
B.共價(jià)晶體中，共價(jià)鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高
C.分子晶體中，共價(jià)鍵鍵能越大，該分子晶體的熔、沸點(diǎn)一定越高
D.分子晶體中，分子間作用力越大，對(duì)應(yīng)的物質(zhì)越穩(wěn)定
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干冰升華為物理變化，只破壞分子間作用力，故A錯(cuò)誤；
共價(jià)晶體中，共價(jià)鍵決定熔點(diǎn)，則共價(jià)鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高，故B正確；
分子晶體中，分子間作用力越大，分子晶體的熔、沸點(diǎn)一定越高，共價(jià)鍵鍵能越大，該物質(zhì)越穩(wěn)定，故C、D錯(cuò)誤。
3.如圖為碘晶體晶胞結(jié)構(gòu)。下列有關(guān)說法正確的是
A.碘晶體熔化時(shí)需克服分子間作用力
B.用均攤法可知平均每個(gè)晶胞中有4個(gè)碘原子
C.碘晶體為無限延伸的空間結(jié)構(gòu)，是共價(jià)晶體
D.碘晶體中的碘原子間存在非極性鍵和范德華力
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每個(gè)晶胞中有4個(gè)碘分子，B項(xiàng)錯(cuò)誤；
碘晶體是分子晶體，C項(xiàng)錯(cuò)誤；
碘原子間只存在非極性共價(jià)鍵，范德華力存在
于分子之間，D項(xiàng)錯(cuò)誤。
4.下列各組晶體物質(zhì)中：①SiO2和SO3；②晶體硼和HCl；③CO2和SO2；④晶體硅和金剛石；⑤晶體氖和晶體氮；⑥硫黃和碘，化學(xué)鍵類型相同，晶體類型也相同的是
A.①②③ B.④⑤⑥
C.③④⑥ D.①③⑤
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①二氧化硅是含有共價(jià)鍵的共價(jià)晶體，三氧化硫是含有共價(jià)鍵的分子晶體，故不符合題意；
②晶體硼是含有共價(jià)鍵的共價(jià)晶體，氯化氫是含有共價(jià)鍵的分子晶體，故不符合題意；
③二氧化碳和二氧化硫都是含有共價(jià)鍵的分子晶體，故符合題意；
④晶體硅和金剛石都是含有共價(jià)鍵的共價(jià)晶體，故符合題意；
⑤晶體氖是不含有共價(jià)鍵的分子晶體，晶體氮是含有共價(jià)鍵的分子晶體，故不符合題意；
⑥硫黃和碘都是含有共價(jià)鍵的分子晶體，故符合題意。
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5.某無機(jī)化合物的二聚分子結(jié)構(gòu)如圖，該分子中A、B兩種元素都是第三周期的元素，分子中所有原子最外層都達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。下列關(guān)于該化合物的說法不正確的是
A.化學(xué)式是Al2Cl6
B.不存在離子鍵和非極性共價(jià)鍵
C.在固態(tài)時(shí)所形成的晶體是分子晶體
D.在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電
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6.(2023·桂林高二月考)以NA表示阿伏加德羅
常數(shù)的值，下列說法正確的是
A.18 g冰中含氫鍵數(shù)目為4NA
B.28 g晶體硅中含有Si—Si數(shù)目為4NA
C.88 g干冰中含有0.5NA個(gè)晶胞結(jié)構(gòu)單元
D.12 g石墨烯中含C—C數(shù)目為3NA
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由圖可知，每個(gè)水分子與4個(gè)水分子形成4個(gè)氫鍵，每個(gè)水分子形成的氫鍵數(shù)目為4×=2，則18 g冰中含氫鍵的物質(zhì)的量為×2=2 mol，數(shù)目為2NA，故A錯(cuò)誤；
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由圖可知，晶體硅中每個(gè)硅原子與4個(gè)硅原子形成4個(gè)Si—Si，每個(gè)硅原子形成的Si—Si數(shù)目為4×=2，則28 g晶體硅中含Si—Si的物質(zhì)的量為×2=2 mol，數(shù)目為2NA，故B錯(cuò)誤；
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由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中含有二氧化碳的個(gè)數(shù)為8×+6×=4，則88 g干冰中含有的晶胞結(jié)構(gòu)單元的物質(zhì)的量為×=0.5 mol，數(shù)目為0.5NA，故C正確；
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由圖可知，石墨烯中每個(gè)碳原子與3個(gè)碳原子形成C—C，每個(gè)碳原子形成的C—C數(shù)目為3×=1.5，則12 g石墨烯中含C—C的物質(zhì)的量為× 1.5=1.5 mol，數(shù)目為1.5NA，故D錯(cuò)誤。
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7.干冰晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，即8個(gè)CO2分子占據(jù)立方體的頂角，且在6個(gè)面的中心又各有1個(gè)CO2分子。在每個(gè)CO2分子周圍距
離a(其中a為立方體棱長(zhǎng))的CO2分子有
A.4個(gè) B.8個(gè)
C.12個(gè) D.6個(gè)
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根據(jù)題圖，以頂角CO2分子為研究對(duì)象，在該CO2分子周圍距離為a的CO2分子有12個(gè)，均處于面心位置，C正確。
8.(2024·貴陽(yáng)高二檢測(cè))自從第一次合成稀有氣體元素的化合物XePtF6以來，人們又相繼發(fā)現(xiàn)了氙的一系列化合物，如XeF2、XeF4等。圖甲為XeF4的結(jié)構(gòu)示意圖，圖乙為XeF2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)圖。下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是
A.XeF4是由極性鍵構(gòu)成的非極性分子
B.XeF2晶體屬于分子晶體
C.1個(gè)XeF2晶胞中實(shí)際擁有2個(gè)XeF2
D.XeF2晶體中距離最近的2個(gè)XeF2之間的
　距離為a(a為晶胞邊長(zhǎng))
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根據(jù)XeF4的結(jié)構(gòu)示意圖判斷，Xe和
F之間形成極性鍵，該分子為平面正
方形，正、負(fù)電荷中心重合，為非極
性分子，故A正確；
1個(gè)XeF2晶胞中實(shí)際擁有XeF2的數(shù)目為8×+1=2，故C正確；
根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)分析，體心的XeF2與每個(gè)頂角的XeF2之間的距離最近，為a，故D錯(cuò)誤。
9.P元素有白磷、紅磷、黑磷三種常見的單質(zhì)。黑磷是一種黑色有金屬光澤的晶體，是一種比石墨烯更優(yōu)秀的新型材料。白磷、紅磷都是分子晶體，黑磷晶體具有與石墨類似的層狀結(jié)構(gòu)，如圖所示。下列有關(guān)黑磷晶體的說法正確的是
A.黑磷晶體中磷原子的雜化方式為sp2雜化
B.黑磷晶體中層與層之間的作用力是分子間作用力
C.黑磷晶體的每一層中磷原子都在同一平面上
D.P元素三種常見的單質(zhì)中，白磷的熔、沸點(diǎn)最高
√
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由結(jié)構(gòu)可知黑磷晶體中磷原子的雜化方式為sp3雜化，故A錯(cuò)誤；
黑磷晶體中層與層之間的作用力是分子間作用力，故B正確；
磷原子的雜化方式為sp3雜化，每一層的各原子不可能都在同一平面內(nèi)，故C錯(cuò)誤。
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二、分子晶體、共價(jià)晶體的性質(zhì)分析及應(yīng)用
10.根據(jù)下列幾種物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)判斷，下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是
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物質(zhì) AlCl3 SiCl4 單質(zhì)B
熔點(diǎn)/℃ 190 -70 2 300
沸點(diǎn)/℃ 180.0 57.6 2 500
注：AlCl3熔點(diǎn)在2.02×105 Pa條件下測(cè)定。
A.SiCl4是分子晶體 B.單質(zhì)B是共價(jià)晶體
C.AlCl3加熱能升華 D.單質(zhì)B和AlCl3晶體類型相同
√
由表中數(shù)據(jù)可知，四氯化硅是熔、沸點(diǎn)較低的分子晶體，故A正確；
單質(zhì)B是熔、沸點(diǎn)很高的共價(jià)晶體，故B正確；
氯化鋁的沸點(diǎn)比熔點(diǎn)低，所以氯化鋁加熱能升華，故C正確；
單質(zhì)B是共價(jià)晶體，氯化鋁是分子晶體，兩者晶體類型不同，故D錯(cuò)誤。
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物質(zhì) AlCl3 SiCl4 單質(zhì)B
熔點(diǎn)/℃ 190 -70 2 300
沸點(diǎn)/℃ 180.0 57.6 2 500
11.X是核外電子數(shù)最少的元素，Y是地殼中含量最豐富的元素，Z在地殼中的含量?jī)H次于Y，W可以形成自然界中硬度最大的共價(jià)晶體。下列敘述錯(cuò)誤的是
A.X2Y晶體的熔點(diǎn)高于WX4晶體的熔點(diǎn)
B.固態(tài)X2Y2是分子晶體
C.ZW是共價(jià)晶體，其硬度比Z晶體的大
D.Z、W是同一主族的元素，Z、W與元素Y形成的晶體都是共價(jià)晶體
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X2Y晶體是冰，含氫鍵，熔點(diǎn)高于CH4晶體，A正確；
固態(tài)X2Y2是H2O2，構(gòu)成微粒為分子，屬于分子晶體，B正確；
SiC的結(jié)構(gòu)與金剛石相似，為共價(jià)晶體，C—Si強(qiáng)度大于Si—Si，SiC的硬度比晶體硅的大，C正確；
CO2、CO是分子晶體，SiO2是共價(jià)晶體，D錯(cuò)誤。
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12.北京工商大學(xué)蘇發(fā)兵課題組最近合成CuO/ZnO納米材料提高有機(jī)硅單體合成反應(yīng)(Rochow—Müller Process)的選擇性和產(chǎn)率。化學(xué)反應(yīng)如下：
下列有關(guān)敘述正確的是
A.甲分子是正四面體形非極性分子
B.乙晶體是含非極性鍵的共價(jià)晶體
C.催化劑中所含元素的第一電離能：
　Cu>Zn>O
D.熔點(diǎn)：丙>甲>乙
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甲分子中4個(gè)共價(jià)鍵不完全相同，
呈四面體形，A錯(cuò)誤；
乙晶體是硅晶體，它是共價(jià)晶體，
B正確；
銅、鋅基態(tài)原子價(jià)層電子排布分別為3d104s1、3d104s2，全充滿結(jié)構(gòu)比半充滿結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定，即鋅的第一電離能大于銅，且三種元素中氧的第一電離能最大，C錯(cuò)誤；
共價(jià)晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體，乙、丙、甲熔點(diǎn)依次降低，D錯(cuò)誤。
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13.《科學(xué)》雜志曾報(bào)道合成了一種新的具有超高熱導(dǎo)率的半導(dǎo)體材料——砷化硼(BAs)。通過反應(yīng)4BI3(g)+As4(g)　　　　4BAs(s，晶體)+6I2(g)可制備BAs晶體。下列說法錯(cuò)誤的是
A.圖(a)表示As4的結(jié)構(gòu)，As4分子中成鍵
　電子對(duì)與孤電子對(duì)數(shù)目之比為3∶1
B.圖(b)表示晶態(tài)單質(zhì)硼的B12基本結(jié)構(gòu)單
　元，該基本結(jié)構(gòu)單元為正二十面體
C.圖(b)所示晶態(tài)單質(zhì)硼的熔點(diǎn)為2 180 ℃，它屬于共價(jià)晶體
D.圖(c)表示BAs晶胞結(jié)構(gòu)，As原子的配位數(shù)為4
√
As是第ⅤA族元素，As4分子中成鍵
電子對(duì)數(shù)目為6，孤電子對(duì)數(shù)目為4，
故成鍵電子對(duì)與孤電子對(duì)數(shù)目之比
為3∶2，故A錯(cuò)誤；
=20，可知該基本結(jié)構(gòu)單元為正二十面體，故B正確；
晶態(tài)單質(zhì)硼具有較高熔點(diǎn)，屬于共價(jià)晶體，故C正確；
由題圖可知，大球表示As原子，As原子的配位數(shù)為4，故D正確。
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(1)已知TiCl4在通常情況下是無色液體，熔點(diǎn)為-37 ℃，沸點(diǎn)為136 ℃，可知TiCl4為　　　晶體。
分子
14.鈦被稱為繼鐵、鋁之后的第三金屬，制備金屬鈦的一種流程如下：
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(2)鈣鈦礦晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，鈦離子位于立方晶胞的頂角，被　　個(gè)氧離子包圍成配位八面體；鈣離子位于立方晶胞的體心，被　　　個(gè)氧離子包圍。
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化合物甲中C原子的雜化方式為　　　　；化合物乙的沸點(diǎn)明顯高于化合物甲，主要原因是　　　　 　　　　　　　　。
sp2和sp3
(3)納米TiO2是一種應(yīng)用廣泛的催化劑，其催化的一個(gè)實(shí)例如下：
化合物乙分子間形成氫鍵
化合物甲中甲基(—CH3)、亞甲基(—CH2—)中碳原子含有4個(gè)σ鍵且不
含孤電子對(duì)，所以采取sp3雜化，酮羰基(　　　)中碳原子含有3個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵，且不含孤電子對(duì)，所以采取sp2雜化，化合物乙因分子間存在氫鍵，分子間作用力大，則化合物乙的沸點(diǎn)比化合物甲高。
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15.(2023·沈陽(yáng)高二期中)Ⅰ.氮化硼晶體的結(jié)構(gòu)與
金剛石相似，其晶胞如圖所示。
(1)在一個(gè)晶胞中，含有硼原子　　　個(gè)，氮原
子　　　個(gè)。
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硼原子位于晶胞內(nèi)，氮原子位于頂角和面心，則在一個(gè)晶胞中，含有硼原子4個(gè)，氮原子8×+6×=4個(gè)。
(2)已知氮化硼晶胞參數(shù)為γ cm，則在此晶胞中，
氮原子和硼原子之間的最短距離是　　　 cm，
DE原子之間的距離是　　　 cm。
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已知氮化硼晶胞參數(shù)為γ cm，則在此晶胞中，氮原子和硼原子之間的最短距離為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)的γ cm，DE原子即晶體中兩個(gè)距離最近的B原子，二者之間的距離為晶胞面對(duì)角線長(zhǎng)的γ cm。
γ
γ
(3)以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的相對(duì)位置，稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。已知三個(gè)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)：A為(0，0，0)、B
為(0，1，1)、C為(1，1，0)，則E原子為　　　　　　　。
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(4)氮化硼晶胞的俯視投影圖是　　　(填字母)。
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b
(5)設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，則氮化硼晶體的密度為　　　　 g·cm-3
(用代數(shù)式表示)。
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1個(gè)氮化硼晶胞內(nèi)含有的氮原子和硼原子均為4個(gè)，則晶胞的質(zhì)量為 g，氮化硼晶胞參數(shù)為γ cm，則晶胞體積為γ3 cm3，晶體的密度為= g·cm-3。
Ⅱ.在硅酸鹽中，Si四面體(如圖為俯視投影圖)通過共用頂角氧原子可形成鏈狀、環(huán)狀等多種結(jié)構(gòu)。
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(6)如圖為一種無限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si與O的原子數(shù)之比為　　　，化學(xué)式為　　　　　　　　　。
1∶3
Si或[SiO3
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觀察題圖可知，每個(gè)四面體通過兩個(gè)氧原子與其他四面體連接形成鏈狀結(jié)構(gòu)，所以每個(gè)四面體中的硅原子數(shù)是1，氧原子數(shù)是2+2×=3，即Si與O的原子數(shù)之比為1∶3；化學(xué)式為Si或[SiO3。

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