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第三章 章末檢測(cè)試卷(三)(課件 練習(xí))(共2份打包)

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第三章 章末檢測(cè)試卷(三)(課件 練習(xí))(共2份打包)

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章末檢測(cè)試卷(三)
(滿分:100分)
一、選擇題(本題共15小題,每小題3分,共45分。每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題目要求)
1.下列結(jié)構(gòu)示意圖中,表示晶胞的是 (  )
2.下列關(guān)于物質(zhì)熔、沸點(diǎn)的比較正確的是 (  )
A.CCl4、MgCl2、Si3N4的熔點(diǎn)依次升高
B.Rb、K、Na、Li的沸點(diǎn)依次降低
C.晶體硅、碳化硅晶體、金剛石的熔點(diǎn)依次降低
D.HF、HCl、HBr的沸點(diǎn)依次升高
3.設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,下列有關(guān)晶體的敘述正確的是 (  )
A.在含4 mol Si—O的二氧化硅晶體中,氧原子的數(shù)目為4NA
B.在124 g白磷(P4)晶體中,含P—P個(gè)數(shù)為4NA
C.30 g二氧化硅晶體中含有0.5NA個(gè)二氧化硅分子
D.12 g金剛石中含C—C個(gè)數(shù)為2NA
4.(2024·合肥高二月考)根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù),判斷下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是 (  )
晶體 NaCl MgCl2 AlCl3 SiCl4 單質(zhì)R
熔點(diǎn)/℃ 801 714 190 -70 2 300
沸點(diǎn)/℃ 1 465 1 418 177.8 57 2 500
A.SiCl4和AlCl3都是分子晶體,熔融狀態(tài)下不導(dǎo)電
B.MgCl2和NaCl都是離子晶體,熔融狀態(tài)能導(dǎo)電且易溶于水
C.若單質(zhì)R是共價(jià)晶體,其熔、沸點(diǎn)的高低是由共價(jià)鍵的鍵能決定的
D.固態(tài)時(shí)可導(dǎo)電的一定是金屬晶體
5.(2023·蘇州高二期末)現(xiàn)有四種晶體,其構(gòu)成粒子均為單原子核粒子,排列方式如圖所示。晶體的化學(xué)式正確的是 (  )
6.Zn(OH)2溶于氨水可生成可溶性配合物[Zn(NH3)4](OH)2,下列說(shuō)法正確的是 (  )
A.根據(jù)上述信息可推導(dǎo)出氫氧化鋅為兩性氫氧化物
B.該配合物中只有離子鍵和配位鍵
C.形成該配合物的離子方程式為Zn(OH)2+4NH3===[Zn(NH3)4]2++2OH-
D.該配離子中由NH3提供空軌道,Zn2+提供孤電子對(duì)
7. (2024·湖北,8)結(jié)構(gòu)決定性質(zhì),性質(zhì)決定用途。下列事實(shí)解釋錯(cuò)誤的是
事實(shí) 解釋
A 甘油是黏稠液體 甘油分子間的氫鍵較強(qiáng)
B 王水溶解鉑 濃鹽酸增強(qiáng)了濃硝酸的氧化性
C 冰的密度小于干冰 冰晶體中水分子的空間利用率相對(duì)較低
D 石墨能導(dǎo)電 未雜化的p軌道重疊使電子可在整個(gè)碳原子平面內(nèi)運(yùn)動(dòng)
8.二茂鐵[(C5H5)2Fe]是由1個(gè)二價(jià)鐵離子和2個(gè)環(huán)戊二烯基負(fù)離子構(gòu)成的具有芳香族性質(zhì)的有機(jī)金屬化合物,它的發(fā)現(xiàn)可以說(shuō)是有機(jī)金屬化合物研究中具有里程碑意義的新領(lǐng)域。已知:二茂鐵熔點(diǎn)是173 ℃(在100 ℃時(shí)開(kāi)始升華),沸點(diǎn)是249 ℃,不溶于水,易溶于苯、乙醚等非極性溶劑。下列說(shuō)法不正確的是 (  )
A.二茂鐵屬于分子晶體
B.在二茂鐵結(jié)構(gòu)中,C5與Fe2+之間形成的化學(xué)鍵類型是配位鍵
C.已知環(huán)戊二烯的結(jié)構(gòu)式為,則其中所有碳原子均采取sp2雜化
D.基態(tài)Fe2+的電子排布式為[Ar]3d44s2
9.科學(xué)家合成了一種新的化合物,其中W、X、Y、Z為同一短周期元素,Z核外最外層電子數(shù)是X核外電子數(shù)的一半。下列說(shuō)法正確的是 (  )
A.元素非金屬性強(qiáng)弱的順序?yàn)閄>Y>Z
B.W、Z對(duì)應(yīng)的簡(jiǎn)單離子半徑:WC.元素Z、X、W的單質(zhì)晶體熔點(diǎn)依次升高
D.該新化合物中Y不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
10.工業(yè)上常以印刷線路板堿性蝕刻廢液{主要成分為[Cu(NH3)4Cl2]}為原料制備CuCl(晶胞結(jié)構(gòu)如圖)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是 (  )
A.基態(tài)Cu+的核外電子排布式為[Ar]3d10
B.[Cu(NH3)4]2+中含有4個(gè)配位原子
C.NH3的鍵角小于CH4的鍵角
D.晶胞中距離Cu+最近且距離相等的Cl-有2個(gè)
11.鐵的晶體有多種結(jié)構(gòu),其中兩種晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲、乙所示(a cm、b cm分別為晶胞邊長(zhǎng)),下列說(shuō)法正確的是 (  )
A.兩種鐵晶體中均存在金屬陽(yáng)離子和陰離子
B.乙晶體晶胞中所含有的鐵原子數(shù)為14
C.甲、乙兩種晶胞中鐵原子的配位數(shù)之比為1∶2
D.甲、乙兩種鐵晶體的密度比為b3∶2a3
12. (2024·湖北,11)黃金按質(zhì)量分?jǐn)?shù)分級(jí),純金為24K。Au—Cu合金的三種晶胞結(jié)構(gòu)如圖,Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A.Ⅰ為18K金
B.Ⅱ中Au的配位數(shù)是12
C.Ⅲ中最小核間距Au—CuD.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中,Au與Cu原子個(gè)數(shù)比依次為1∶1、1∶3、3∶1
13.砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,熔點(diǎn)1 238 ℃。它在600 ℃以下,能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)如圖。下列說(shuō)法正確的是 (  )
A.砷化鎵是一種分子晶體
B.砷化鎵中不存在配位鍵
C.晶胞中Ga原子與As原子的數(shù)量比為4∶1
D.晶胞中Ga原子與周圍等距且最近的As原子形成的空間結(jié)構(gòu)為正四面體
14.(2023·武漢洪山高級(jí)中學(xué)高二校考)TiO2的晶胞結(jié)構(gòu)(晶胞中相同位置的原子相同)如圖所示,其中m、n、q的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為m(0,0,0);n(0.69,0.69,1);q(0.19,0.81,0.5)。下列說(shuō)法正確的是 (  )
A.圖中所示微粒中,代表O原子的是m、p
B.i的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0.81,0.81,0.5)
C.基態(tài)Ti原子的價(jià)層電子排布式為3d24s2
D.該晶體的密度為 g·cm-3
15.鐵氮化合物(FexNy)在磁記錄材料領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。某FexNy的晶胞如圖1所示,Cu可以完全替代該晶體中a位置Fe或者b位置Fe,形成Cu替代型產(chǎn)物Fe(x-n)CunNy。FexNy轉(zhuǎn)化為兩種Cu替代型產(chǎn)物的能量變化如圖2所示,下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是 (  )
A.Cu元素位于元素周期表中的ds區(qū)
B.圖1中氮原子的配位數(shù)為6
C.更穩(wěn)定的Cu替代型產(chǎn)物的化學(xué)式為FeCu3N
D.當(dāng)a位置Fe位于體心時(shí),b位置Fe位于棱上
二、非選擇題(本題共4小題,共55分)
16.(10分)第ⅤA族元素及其化合物在生產(chǎn)、生活中用途廣泛。
(1)苯胺()的晶體類型是   。苯胺與甲苯()的相對(duì)分子質(zhì)量相近,但苯胺的熔、沸點(diǎn)分別高于甲苯的熔、沸點(diǎn),原因是         。
(2)兩種氧化物的熔點(diǎn)如下表所示,解釋表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的原因:        。
氧化物 SO2 P4O6
熔點(diǎn)/℃ -75.5 23.8
(3)貴金屬磷化物Rh2P可用作電解水的高效催化劑,其立方晶胞如圖所示。已知晶胞參數(shù)為a nm,晶體中與P距離最近的Rh的數(shù)目為   ,晶體的密度為      g·cm-3(列出計(jì)算式)。
17.(14分)銅是過(guò)渡金屬元素,可以形成多種化合物。
(1)CuCl的鹽酸溶液能夠與CO發(fā)生反應(yīng):CuCl+CO+H2O===Cu(CO)Cl·H2O。
①電負(fù)性:C    (填“>”“=”或“<”)O。
②CO常溫下為氣體,固態(tài)時(shí)屬于    晶體。
(2)Cu+與NH3形成的配合物可表示成[Cu(NH3)n]+,該配合物中,Cu+的4s軌道及4p軌道通過(guò)sp雜化接受NH3提供的孤電子對(duì)。
[Cu(NH3)n]+中Cu+與n個(gè)氮原子的空間結(jié)構(gòu)呈  形,n=     。
(3)CuCl2溶液與乙二胺(H2N—CH2—CH2—NH2)可形成配離子[Cu(En)2]2+(En是乙二胺的簡(jiǎn)寫):
①配離子[Cu(En)2]2+的中心原子基態(tài)L層電子排布式為     。
②乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為   ,乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多,原因是               。
③配合物[Cu(En)2]Cl2中不存在的作用力類型有   (填字母)。
A.配位鍵 B.極性鍵
C.離子鍵 D.非極性鍵
E.氫鍵 F.金屬鍵
18.(16分)硼及其化合物在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、新型材料等方面應(yīng)用廣泛。
(1)區(qū)分晶體硼和無(wú)定形硼最可靠的科學(xué)方法為對(duì)固體進(jìn)行          ,晶體硼的單質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)單元為正二十面體,能自發(fā)呈現(xiàn)多面體外形,這種性質(zhì)稱為晶體的    。與硼處于同周期且相鄰的兩種元素和硼的第一電離能由大到小的順序?yàn)椤      ?
(2)我國(guó)科學(xué)家對(duì)硼烷化學(xué)的研究開(kāi)啟了無(wú)機(jī)化學(xué)的新篇章。
①最簡(jiǎn)單的硼烷是B2H6,其分子結(jié)構(gòu)如圖所示,B原子的雜化方式為    。
②氨硼烷(NH3BH3)被認(rèn)為是最具有潛力的新型儲(chǔ)氫材料之一,分子中存在配位鍵,提供孤電子對(duì)的原子是    。
③硼氫化鈉(NaBH4)是一種重要的儲(chǔ)氫載體,其陰離子空間結(jié)構(gòu)是      。
(3)砷化硼(BAs)為立方晶系晶體,其結(jié)構(gòu)如圖所示。
晶胞沿z軸在平面的投影圖中,B原子構(gòu)成的幾何形狀是        。已知:晶體的密度為d g·cm-3,As原子的半徑為a pm,假設(shè)B、As原子相切,則B原子的半徑為          pm(寫出計(jì)算表達(dá)式即可)。
19.(15分)早期發(fā)現(xiàn)的一種天然二十面體準(zhǔn)晶顆粒由Al、Cu、Fe三種金屬元素組成。回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)Fe原子有    個(gè)未成對(duì)電子,基態(tài)Fe3+的電子排布式為      。可用硫氰化鉀檢驗(yàn)Fe3+,形成的配合物的顏色為    。
(2)新制備的Cu(OH)2可將乙醛(CH3CHO)氧化為乙酸,而自身被還原成Cu2O。乙醛中碳原子的雜化軌道類型為    ,1 mol乙醛分子中含有的σ鍵的數(shù)目為    。乙酸的沸點(diǎn)明顯高于乙醛,其主要原因是             。Cu2O為半導(dǎo)體材料,在其立方晶胞內(nèi)部有4個(gè)氧原子,其余氧原子位于所有的面心和頂角,則該晶胞中有    個(gè)銅原子。
(3)Al單質(zhì)為面心立方晶體,其晶胞(如圖)參數(shù)a=0.405 nm,晶胞中鋁原子的配位數(shù)為    。列式表示Al單質(zhì)的密度為     g·cm-3(不必計(jì)算出結(jié)果,設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)。
答案精析
1.A
2.A [一般來(lái)說(shuō),熔點(diǎn):分子晶體<離子晶體<共價(jià)晶體,則熔點(diǎn):CCl4Si,故C錯(cuò)誤;HF分子間存在氫鍵,沸點(diǎn)最高,HCl、HBr不存在氫鍵,則沸點(diǎn):HF>HBr>HCl,故D錯(cuò)誤。]
3.D
4.D [相比之下,AlCl3、SiCl4的熔、沸點(diǎn)都很低,可以判斷二者都是分子晶體,熔融狀態(tài)下不能電離出離子,所以不能導(dǎo)電,A項(xiàng)正確;MgCl2和NaCl的熔、沸點(diǎn)都較高,可以判斷二者都是離子晶體,熔融狀態(tài)下可以電離出離子,所以能導(dǎo)電,且這兩種物質(zhì)都易溶于水,B項(xiàng)正確;R的熔、沸點(diǎn)非常高,若其為共價(jià)晶體,則其熔、沸點(diǎn)的高低是由共價(jià)鍵的鍵能決定的:共價(jià)鍵鍵能越高,該物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)也越高,C項(xiàng)正確;固態(tài)時(shí)可導(dǎo)電的不一定是金屬晶體,比如石墨不是金屬晶體,但是石墨可以導(dǎo)電,D項(xiàng)錯(cuò)誤。]
5.C [由圖可知,A原子個(gè)數(shù)為1,B原子的個(gè)數(shù)為8×=1,則晶體的化學(xué)式為AB,故A錯(cuò)誤;由圖可知,E原子和F原子的個(gè)數(shù)都為4×=,則晶體的化學(xué)式為EF,故B錯(cuò)誤;由圖可知,X原子個(gè)數(shù)為1,Y原子的個(gè)數(shù)為6×=3,Z原子的個(gè)數(shù)為8×=1,則晶體的化學(xué)式為XY3Z,故C正確;由圖可知,A原子個(gè)數(shù)為8×+6×=4,B原子個(gè)數(shù)為12×+1=4,則晶體的化學(xué)式為AB,故D錯(cuò)誤。]
6.C [NH3與Zn2+之間形成配位鍵,而OH-與[Zn(NH3)4]2+之間為離子鍵,NH3、OH-中有共價(jià)鍵,B項(xiàng)錯(cuò)誤;該配離子中提供空軌道的是Zn2+,D項(xiàng)錯(cuò)誤。]
7.B [甘油分子中有3個(gè)羥基,分子間可以形成更多的氫鍵,且O元素的電負(fù)性較大,故其分子間形成的氫鍵較強(qiáng),因此甘油是黏稠液體,A正確;王水溶解鉑,主要是因?yàn)闈恹}酸提供的Cl-能與被硝酸氧化產(chǎn)生的高價(jià)態(tài)的鉑離子形成穩(wěn)定的配合物從而促進(jìn)鉑的溶解,B不正確;冰晶體中水分子間形成較多的氫鍵,氫鍵的方向性導(dǎo)致水分子間形成氫鍵后空隙變大,冰晶體中水分子的空間利用率相對(duì)較低,密度小于干冰,C正確;在石墨晶體結(jié)構(gòu)中,每個(gè)碳原子用3個(gè)價(jià)電子通過(guò)sp2雜化軌道與相鄰的碳原子形成共價(jià)鍵,還有1個(gè)價(jià)電子處于碳原子的未雜化的2p軌道上,層內(nèi)碳原子的這些p軌道相互平行,相鄰碳原子p軌道相互重疊形成大π鍵,這些p軌道的電子可以在整個(gè)層內(nèi)運(yùn)動(dòng),因此石墨能導(dǎo)電,D正確。]
8.D [根據(jù)題給信息知,二茂鐵易升華,易溶于非極性溶劑,可以推斷它應(yīng)為分子晶體,則C5與Fe2+之間不可能形成離子鍵,應(yīng)為配位鍵,A、B項(xiàng)正確;鐵原子失去4s軌道上的2個(gè)電子即為基態(tài)Fe2+,電子排布式應(yīng)為[Ar]3d6,D項(xiàng)錯(cuò)誤。]
9.B [由題給信息可知,W、X、Y、Z分別為Na、Si、P、Cl元素。元素非金屬性強(qiáng)弱的順序?yàn)镾i10.D [已知Cu是29號(hào)元素,其基態(tài)原子的核外電子排布式為[Ar]3d104s1,故基態(tài)Cu+的核外電子排布式為[Ar]3d10,A正確;[Cu(NH3)4]2+中Cu2+為中心離子,NH3為提供孤電子對(duì)的配體,N原子為配位原子,故含有4個(gè)配位原子,B正確;NH3和CH4分子的中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)均為4,NH3中含有一個(gè)孤電子對(duì),且孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥作用力大于成鍵電子對(duì)之間的排斥作用力,故NH3的鍵角小于CH4的鍵角,C正確;由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,晶胞中距離Cu+最近且距離相等的Cl-有4個(gè),D錯(cuò)誤。]
11.D [金屬晶體由金屬陽(yáng)離子與自由電子構(gòu)成,不含陰離子,A錯(cuò)誤;乙晶體晶胞中含有的鐵原子數(shù)為8×+6×=4,B錯(cuò)誤;甲晶體晶胞結(jié)構(gòu)為體心立方堆積,配位數(shù)為8,乙晶體晶胞結(jié)構(gòu)為面心立方最密堆積,配位數(shù)為12,甲、乙兩種晶胞中鐵原子的配位數(shù)之比為8∶12=2∶3,C錯(cuò)誤。]
12.C [由24K金的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為100%,則18K金的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為×100%=75%,Ⅰ中Au和Cu原子個(gè)數(shù)比值為1∶1,則Au的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為×100%≈75%,A正確;Ⅱ中Au處于立方體的八個(gè)頂角,則Au的配位數(shù)為12,B正確;設(shè)Ⅲ的晶胞參數(shù)為a,Au-Cu的核間距為a,Au-Au的最小核間距也為 a,最小核間距Au-Cu=Au-Au,C錯(cuò)誤;Ⅰ中,Au處于內(nèi)部,Cu處于晶胞的八個(gè)頂角,其原子個(gè)數(shù)比為1∶1,Ⅱ中,Au處于立方體的八個(gè)頂角,Cu 處于面心,其原子個(gè)數(shù)比為(8×)∶(6×)=1∶3,Ⅲ中,Au處于立方體的面心,Cu處于頂角,其原子個(gè)數(shù)比為(6×)∶(8×)=3∶1,D正確。]
13.D [根據(jù)砷化鎵熔點(diǎn)數(shù)據(jù)和晶胞結(jié)構(gòu)(空間網(wǎng)狀)可知砷化鎵為共價(jià)晶體,A錯(cuò)誤;Ga最外層有3個(gè)電子,每個(gè)Ga與4個(gè)As成鍵,所以砷化鎵必有配位鍵,B錯(cuò)誤;晶胞中Ga位于頂點(diǎn)和面心,數(shù)目為8×+6×=4,As位于晶胞內(nèi),數(shù)目為4,所以晶胞中Ga原子與As原子的數(shù)目之比為1∶1,C錯(cuò)誤。]
14.C [若m、p代表O原子,則晶胞中含有O原子數(shù)為1+8×=2, Ti原子數(shù)為4×+2=4,根據(jù)TiO2的化學(xué)式可知,與晶胞結(jié)構(gòu)不符合,故代表氧原子的是n、q,代表Ti原子的是m、p,A錯(cuò)誤;根據(jù)晶胞可以知道,q、i位置的O原子與體心Ti原子處于同一直線上,且該直線與底面對(duì)角線平行,q的坐標(biāo)為(0.19,0.81,0.5),則i原子的坐標(biāo)為(0.81,0.19,0.5),B錯(cuò)誤;根據(jù)“均攤法”,每個(gè)晶胞中含有Ti原子數(shù)為1+8×=2,含有O原子數(shù)為4×+2=4,則晶胞的質(zhì)量為m(晶胞)=×80 g;晶胞的體積為V(晶胞)=(a×10-10cm)2×(c×10-10cm)=a2c×10-30cm3,故該晶體的密度為ρ===×1030 g·cm-3,D錯(cuò)誤。
15.C [Cu在周期表中位于第四周期第ⅠB族,屬于ds區(qū)元素,故A正確;由圖1可知,氮原子的上下左右前后各有1個(gè)鐵原子,故其配位數(shù)為6,故B正確;由圖2可知,Cu替代a位置Fe型的能量低,更穩(wěn)定,則1個(gè)晶胞中Fe原子數(shù)為6×=3,Cu原子數(shù)為8×=1,N原子數(shù)為1,則更穩(wěn)定的Cu替代型產(chǎn)物的化學(xué)式為Fe3CuN,故C錯(cuò)誤;根據(jù)圖1,將頂點(diǎn)置于體心(如圖所示),即當(dāng)a位置Fe位于體心時(shí),b位置Fe位于棱上,故D正確。]
16.(1)分子晶體 苯胺分子之間存在氫鍵而甲苯分子間不存在氫鍵
(2)P4O6、SO2均為分子晶體,分子間作用力:P4O6>SO2
(3)8 
解析 (1)苯胺是有機(jī)化合物,其晶體類型是分子晶體;由于苯胺分子中N原子電負(fù)性大、原子半徑小,易形成分子間氫鍵N—H…N,導(dǎo)致熔、沸點(diǎn)比相對(duì)分子質(zhì)量相近的甲苯高。(2)SO2和P4O6均為分子晶體,分子晶體中一般相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,熔點(diǎn)越高。(3)該立方晶胞含有8個(gè)白球,4個(gè)灰球,結(jié)合化學(xué)式Rh2P,則晶胞中有8個(gè)Rh和4個(gè)P,由面心的P原子推知,晶體中與P距離最近的Rh的數(shù)目為8;晶胞的體積為(a×10-7 cm)3,故晶體的密度為ρ= g·cm-3。
17.(1)①< ②分子 (2)直線 2
(3)①2s22p6 ②sp3雜化 乙二胺分子間可以形成氫鍵,三甲胺分子間不能形成氫鍵 ③EF
解析 (1)①同一周期的主族元素,元素的原子序數(shù)越大,元素的電負(fù)性就越大,所以電負(fù)性:C18.(1)X射線衍射實(shí)驗(yàn) 自范性 C>Be>B
(2)①sp3 ②N ③正四面體形 (3)(平面)正方形 ××1010-a
解析 (1)區(qū)分晶體硼和無(wú)定形硼最可靠的科學(xué)方法為對(duì)固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn),晶體硼的單質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)單元為正二十面體,能自發(fā)呈現(xiàn)多面體外形,這種性質(zhì)稱為晶體的自范性;與硼處于同周期且相鄰的兩種元素分別為Be、C,同周期元素第一電離能從左到右呈增大的趨勢(shì),但第ⅡA、ⅤA族反常,因此第一電離能由大到小的順序?yàn)镃>Be>B。(2)①根據(jù)分子結(jié)構(gòu),B的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,因此B原子的雜化方式為sp3。②氨硼烷(NH3BH3)分子中存在配位鍵,BH3中無(wú)孤電子對(duì),NH3中N有一個(gè)孤電子對(duì),因此提供孤電子對(duì)的原子是N。③硼氫化鈉(NaBH4)中陰離子B中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4+×(3+1-1×4)=4,因此其空間結(jié)構(gòu)是正四面體形。(3)可以將這個(gè)晶胞分成8個(gè)小的立方體,B原子在其中四個(gè)小的立方體的體心,晶胞沿z軸在平面的投影圖中,B原子投影在底面的面對(duì)角線的四分之一,因此構(gòu)成的幾何形狀是(平面)正方形。根據(jù)晶胞得出B有4個(gè),As有8×+6×=4個(gè),因此晶胞有4個(gè)BAs,晶胞的體積為V== cm3= cm3,晶胞參數(shù)為 cm,假設(shè)B、As原子相切,As和B原子半徑之和為體對(duì)角線的四分之一,因此兩者半徑和為× cm,As原子的半徑為a pm,則B原子的半徑為 pm。
19.(1)4 1s22s22p63s23p63d5 紅色
(2)sp3、sp2 6NA CH3COOH存在分子間氫鍵 16
(3)12 
解析 (1)基態(tài)鐵原子的3d能級(jí)上有4個(gè)未成對(duì)電子,基態(tài)Fe3+的電子排布式為1s22s22p63s23p63d5,F(xiàn)e3+與SCN-形成的配合物呈紅色。
(2)由于1個(gè)乙醛分子中含4個(gè)C—H、1個(gè)C—C、1個(gè)CO,共有6個(gè)σ鍵,故1 mol乙醛分子中含有6NA個(gè)σ鍵。根據(jù)均攤法計(jì)算,一個(gè)晶胞中含有的氧原子數(shù)為4+6×+8×=8,再結(jié)合化學(xué)式Cu2O知一個(gè)晶胞中含有16個(gè)銅原子。
(3)一個(gè)鋁晶胞中含有的鋁原子數(shù)為6×+8×=4,一個(gè)晶胞的質(zhì)量為×27 g,再利用密度與質(zhì)量、晶胞參數(shù)a的關(guān)系即可求出密度,計(jì)算中要注意1 nm=10-7 cm。(共59張PPT)
章末檢測(cè)試卷(三)
第三章
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1.下列結(jié)構(gòu)示意圖中,表示晶胞的是
選擇題

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2.下列關(guān)于物質(zhì)熔、沸點(diǎn)的比較正確的是
A.CCl4、MgCl2、Si3N4的熔點(diǎn)依次升高
B.Rb、K、Na、Li的沸點(diǎn)依次降低
C.晶體硅、碳化硅晶體、金剛石的熔點(diǎn)依次降低
D.HF、HCl、HBr的沸點(diǎn)依次升高

選擇題
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一般來(lái)說(shuō),熔點(diǎn):分子晶體<離子晶體<共價(jià)晶體,則熔點(diǎn):CCl4原子序數(shù)越大,堿金屬單質(zhì)的沸點(diǎn)越低,則沸點(diǎn):RbSi、SiC、金剛石都是共價(jià)晶體,共價(jià)鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高,共價(jià)鍵鍵長(zhǎng):C—CSi,故C錯(cuò)誤;
HF分子間存在氫鍵,沸點(diǎn)最高,HCl、HBr不存在氫鍵,則沸點(diǎn):HF>HBr>HCl,故D錯(cuò)誤。
選擇題
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3.設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,下列有關(guān)晶體的敘述正確的是
A.在含4 mol Si—O的二氧化硅晶體中,氧原子的數(shù)目為4NA
B.在124 g白磷(P4)晶體中,含P—P個(gè)數(shù)為4NA
C.30 g二氧化硅晶體中含有0.5NA個(gè)二氧化硅分子
D.12 g金剛石中含C—C個(gè)數(shù)為2NA

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4.(2024·合肥高二月考)根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù),判斷下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
選擇題
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晶體 NaCl MgCl2 AlCl3 SiCl4 單質(zhì)R
熔點(diǎn)/℃ 801 714 190 -70 2 300
沸點(diǎn)/℃ 1 465 1 418 177.8 57 2 500
A.SiCl4和AlCl3都是分子晶體,熔融狀態(tài)下不導(dǎo)電
B.MgCl2和NaCl都是離子晶體,熔融狀態(tài)能導(dǎo)電且易溶于水
C.若單質(zhì)R是共價(jià)晶體,其熔、沸點(diǎn)的高低是由共價(jià)鍵的鍵能決定的
D.固態(tài)時(shí)可導(dǎo)電的一定是金屬晶體

相比之下,AlCl3、SiCl4的熔、沸點(diǎn)都很低,可以判斷二者都是分子晶體,熔融狀態(tài)下不能電離出離子,所以不能導(dǎo)電,A項(xiàng)正確;
MgCl2和NaCl的熔、沸點(diǎn)都較高,可以判斷二者都是離子晶體,熔融狀態(tài)下可以電離出離子,所以能導(dǎo)電,且這兩種物質(zhì)都易溶于水,B項(xiàng)正確;
選擇題
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晶體 NaCl MgCl2 AlCl3 SiCl4 單質(zhì)R
熔點(diǎn)/℃ 801 714 190 -70 2 300
沸點(diǎn)/℃ 1 465 1 418 177.8 57 2 500
R的熔、沸點(diǎn)非常高,若其為共價(jià)晶體,則其熔、沸點(diǎn)的高低是由共價(jià)鍵的鍵能決定的:共價(jià)鍵鍵能越高,該物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)也越高,C項(xiàng)正確;
固態(tài)時(shí)可導(dǎo)電的不一定是金屬晶體,比如石墨不是金屬晶體,但是石墨可以導(dǎo)電,D項(xiàng)錯(cuò)誤。
選擇題
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晶體 NaCl MgCl2 AlCl3 SiCl4 單質(zhì)R
熔點(diǎn)/℃ 801 714 190 -70 2 300
沸點(diǎn)/℃ 1 465 1 418 177.8 57 2 500
5.(2023·蘇州高二期末)現(xiàn)有四種晶體,其構(gòu)成粒子均為單原子核粒子,排列方式如圖所示。晶體的化學(xué)式正確的是
選擇題

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由圖可知,A原子個(gè)數(shù)為1,B原子的個(gè)數(shù)為8×=1,則晶體的化學(xué)式為AB,故A錯(cuò)誤;
由圖可知,E原子和F原子的個(gè)數(shù)都為4×=,則晶體的化學(xué)式為EF,故B錯(cuò)誤;
選擇題
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由圖可知,X原子個(gè)數(shù)為1,Y原子的個(gè)數(shù)為6×=3,Z原子的個(gè)數(shù)為8×=1,則晶體的化學(xué)式為XY3Z,故C正確;
由圖可知,A原子個(gè)數(shù)為8×+6×=4,B原子個(gè)數(shù)為12×+1=4,則晶體的化學(xué)式為AB,故D錯(cuò)誤。
選擇題
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6.Zn(OH)2溶于氨水可生成可溶性配合物[Zn(NH3)4](OH)2,下列說(shuō)法正確的是
A.根據(jù)上述信息可推導(dǎo)出氫氧化鋅為兩性氫氧化物
B.該配合物中只有離子鍵和配位鍵
C.形成該配合物的離子方程式為Zn(OH)2+4NH3===[Zn(NH3)4]2++2OH-
D.該配離子中由NH3提供空軌道,Zn2+提供孤電子對(duì)

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NH3與Zn2+之間形成配位鍵,而OH-與[Zn(NH3)4]2+之間為離子鍵,NH3、OH-中有共價(jià)鍵,B項(xiàng)錯(cuò)誤;
該配離子中提供空軌道的是Zn2+,D項(xiàng)錯(cuò)誤。
選擇題
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7.(2024·湖北,8)結(jié)構(gòu)決定性質(zhì),性質(zhì)決定用途。下列事實(shí)解釋錯(cuò)誤的是
選擇題
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事實(shí) 解釋
A 甘油是黏稠液體 甘油分子間的氫鍵較強(qiáng)
B 王水溶解鉑 濃鹽酸增強(qiáng)了濃硝酸的氧化性
C 冰的密度小于干冰 冰晶體中水分子的空間利用率相對(duì)較低
D 石墨能導(dǎo)電 未雜化的p軌道重疊使電子可在整個(gè)碳原子平面內(nèi)運(yùn)動(dòng)

甘油分子中有3個(gè)羥基,分子間可以形成更多的氫鍵,且O元素的電負(fù)性較大,故其分子間形成的氫鍵較強(qiáng),因此甘油是黏稠液體,A正確;
王水溶解鉑,主要是因?yàn)闈恹}酸提供的Cl-能與被硝酸氧化產(chǎn)生的高價(jià)態(tài)的鉑離子形成穩(wěn)定的配合物從而促進(jìn)鉑的溶解,B不正確;
冰晶體中水分子間形成較多的氫鍵,氫鍵的方向性導(dǎo)致水分子間形成氫鍵后空隙變大,冰晶體中水分子的空間利用率相對(duì)較低,密度小于干冰,C正確;
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在石墨晶體結(jié)構(gòu)中,每個(gè)碳原子用3個(gè)價(jià)電子通過(guò)sp2雜化軌道與相鄰的碳原子形成共價(jià)鍵,還有1個(gè)價(jià)電子處于碳原子的未雜化的2p軌道上,層內(nèi)碳原子的這些p軌道相互平行,相鄰碳原子p軌道相互重疊形成大π鍵,這些p軌道的電子可以在整個(gè)層內(nèi)運(yùn)動(dòng),因此石墨能導(dǎo)電,D正確。
選擇題
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8.二茂鐵[(C5H5)2Fe]是由1個(gè)二價(jià)鐵離子和2個(gè)環(huán)戊二烯基負(fù)離子構(gòu)成的具有芳香族性質(zhì)的有機(jī)金屬化合物,它的發(fā)現(xiàn)可以說(shuō)是有機(jī)金屬化合物研究中具有里程碑意義的新領(lǐng)域。已知:二茂鐵熔點(diǎn)是173 ℃(在100 ℃時(shí)開(kāi)始升華),沸點(diǎn)是249 ℃,不溶于水,易溶于苯、乙醚等非極性溶劑。下列說(shuō)法不正確的是
A.二茂鐵屬于分子晶體
B.在二茂鐵結(jié)構(gòu)中,C5與Fe2+之間形成的化學(xué)鍵類型是配位鍵
C.已知環(huán)戊二烯的結(jié)構(gòu)式為 ,則其中所有碳原子均采取sp2雜化
D.基態(tài)Fe2+的電子排布式為[Ar]3d44s2
選擇題
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根據(jù)題給信息知,二茂鐵易升華,易溶于非極性溶劑,可以推斷它應(yīng)為分子晶體,則C5與Fe2+之間不可能形成離子鍵,應(yīng)為配位鍵,A、B項(xiàng)正確;
鐵原子失去4s軌道上的2個(gè)電子即為基態(tài)Fe2+,電子排布式應(yīng)為[Ar]3d6,D項(xiàng)錯(cuò)誤。
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9.科學(xué)家合成了一種新的化合物,其中W、X、Y、Z為同一短周期元素,Z核外最外層電子數(shù)是X核外電子數(shù)的一半。下列說(shuō)法正確的是
A.元素非金屬性強(qiáng)弱的順序?yàn)閄>Y>Z
B.W、Z對(duì)應(yīng)的簡(jiǎn)單離子半徑:WC.元素Z、X、W的單質(zhì)晶體熔點(diǎn)依次升高
D.該新化合物中Y不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)

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由題給信息可知,W、X、Y、Z分別為Na、
Si、P、Cl元素。元素非金屬性強(qiáng)弱的順序
為SiNa+有2個(gè)電子層,Cl-有3個(gè)電子層,W、Z對(duì)應(yīng)的簡(jiǎn)單離子半徑:r(Na+)元素Z、X、W的單質(zhì)分別為Cl2、Si、Na,分別屬于分子晶體、共價(jià)晶體、金屬晶體,Si的熔點(diǎn)最高,氯氣的熔點(diǎn)最低,C錯(cuò)誤;
選擇題
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2個(gè)硅原子和1個(gè)P原子形成2個(gè)共價(jià)鍵,陰離子
得到1個(gè)電子,所以該化合物中磷原子最外層
達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),D錯(cuò)誤。
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10.工業(yè)上常以印刷線路板堿性蝕刻廢液{主要成分為[Cu(NH3)4Cl2]}為原料制備CuCl(晶胞結(jié)構(gòu)如圖)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A.基態(tài)Cu+的核外電子排布式為[Ar]3d10
B.[Cu(NH3)4]2+中含有4個(gè)配位原子
C.NH3的鍵角小于CH4的鍵角
D.晶胞中距離Cu+最近且距離相等的Cl-有2個(gè)

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選擇題
已知Cu是29號(hào)元素,其基態(tài)原子的核外電子排
布式為[Ar]3d104s1,故基態(tài)Cu+的核外電子排布
式為[Ar]3d10,A正確;
[Cu(NH3)4]2+中Cu2+為中心離子,NH3為提供孤電子對(duì)的配體,N原子為配位原子,故含有4個(gè)配位原子,B正確;
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選擇題
NH3和CH4分子的中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)均為4,NH3中含有一個(gè)孤電子對(duì),且孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥作用力大于成鍵電子對(duì)之間的
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排斥作用力,故NH3的鍵角小于CH4的鍵角,C正確;
由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,晶胞中距離Cu+最近且距離相等的Cl-有4個(gè),D錯(cuò)誤。
11.鐵的晶體有多種結(jié)構(gòu),其中兩種晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲、乙所示(a cm、b cm分別為晶胞邊長(zhǎng)),下列說(shuō)法正確的是
A.兩種鐵晶體中均存在金屬陽(yáng)離子和
 陰離子
B.乙晶體晶胞中所含有的鐵原子數(shù)為14
C.甲、乙兩種晶胞中鐵原子的配位數(shù)之比為1∶2
D.甲、乙兩種鐵晶體的密度比為b3∶2a3

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金屬晶體由金屬陽(yáng)離子與自由電子構(gòu)成,
不含陰離子,A錯(cuò)誤;
乙晶體晶胞中含有的鐵原子數(shù)為8×+6
×=4,B錯(cuò)誤;
甲晶體晶胞結(jié)構(gòu)為體心立方堆積,配位數(shù)為8,乙晶體晶胞結(jié)構(gòu)為面心立方最密堆積,配位數(shù)為12,甲、乙兩種晶胞中鐵原子的配位數(shù)之比為8∶12=2∶3,C錯(cuò)誤。
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12.(2024·湖北,11)黃金按質(zhì)量分?jǐn)?shù)分級(jí),純金為24K。Au—Cu合金的三種晶胞結(jié)構(gòu)如圖,Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A.Ⅰ為18K金
B.Ⅱ中Au的配位數(shù)是12
C.Ⅲ中最小核間距Au—CuD.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中,Au與Cu原子個(gè)數(shù)比依次為1∶1、1∶3、3∶1
選擇題

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由24K金的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為100%,則18K金的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為×100%=75%,Ⅰ中Au和Cu原子個(gè)數(shù)比值為1∶1,則Au的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為× 100%≈75%,A正確;
Ⅱ中Au處于立方體的八個(gè)頂角,
則Au的配位數(shù)為12,B正確;
設(shè)Ⅲ的晶胞參數(shù)為a,Au—Cu的核間距為a,Au—Au的最小核間距也為 a,最小核間距Au—Cu=Au—Au,C錯(cuò)誤;
選擇題
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Ⅰ中,Au處于內(nèi)部,Cu處于晶胞
的八個(gè)頂角,其原子個(gè)數(shù)比為1∶1,
Ⅱ中,Au處于立方體的八個(gè)頂角,
Cu 處于面心,其原子個(gè)數(shù)比為(8×)∶(6×)=1∶3,Ⅲ中,Au處于立方體的面心,Cu處于頂角,其原子個(gè)數(shù)比為(6×)∶(8×)=3∶1,D正確。
選擇題
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13.砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,熔點(diǎn)1 238 ℃。它在600 ℃以下,能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)如圖。下列說(shuō)法正確的是
A.砷化鎵是一種分子晶體
B.砷化鎵中不存在配位鍵
C.晶胞中Ga原子與As原子的數(shù)量比為4∶1
D.晶胞中Ga原子與周圍等距且最近的As原子形成的空
 間結(jié)構(gòu)為正四面體
選擇題
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根據(jù)砷化鎵熔點(diǎn)數(shù)據(jù)和晶胞結(jié)構(gòu)(空間網(wǎng)狀)可知砷
化鎵為共價(jià)晶體,A錯(cuò)誤;
Ga最外層有3個(gè)電子,每個(gè)Ga與4個(gè)As成鍵,所以
砷化鎵必有配位鍵,B錯(cuò)誤;
晶胞中Ga位于頂點(diǎn)和面心,數(shù)目為8×+6×=4,As位于晶胞內(nèi),數(shù)目為4,所以晶胞中Ga原子與As原子的數(shù)目之比為1∶1,C錯(cuò)誤。
選擇題
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14.(2023·武漢洪山高級(jí)中學(xué)高二校考)TiO2的晶胞結(jié)構(gòu)(晶胞中相同位置的原子相同)如圖所示,其中m、n、q的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為m(0,0,0);n(0.69,0.69,1);q(0.19,0.81,0.5)。下列說(shuō)法正確的是
A.圖中所示微粒中,代表O原子的是m、p
B.i的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0.81,0.81,0.5)
C.基態(tài)Ti原子的價(jià)層電子排布式為3d24s2
D.該晶體的密度為 g·cm-3
選擇題
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若m、p代表O原子,則晶胞中含有O原子數(shù)為1+8×=2, Ti原子數(shù)為4×+2=4,根據(jù)TiO2的化學(xué)式可知,與晶胞結(jié)構(gòu)不符合,故代表氧原子的是n、q,代表Ti原子的是m、p,A錯(cuò)誤;
選擇題
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根據(jù)晶胞可以知道,q、i位置的O原子與體心Ti原子處于同一直線上,且該直線與底面對(duì)角線平行,q的坐標(biāo)為(0.19,0.81,0.5),則i原子的坐標(biāo)為(0.81,0.19,0.5),B錯(cuò)誤;
根據(jù)“均攤法”,每個(gè)晶胞中含有Ti原子數(shù)為1+8×=2,含有O原子數(shù)為4×+2=4,則晶胞的質(zhì)量為m(晶胞)=×80 g;晶胞的體積為V(晶胞)=(a×10-10cm)2×(c×10-10cm) 
選擇題
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=a2c×10-30cm3,故該晶體的密度為ρ===×1030 g·
cm-3,D錯(cuò)誤。
15.鐵氮化合物(FexNy)在磁記錄材料領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。某FexNy的晶胞如圖1所示,Cu可以完全替代該晶體中a位置Fe或者b位置Fe,形成Cu替代型產(chǎn)物Fe(x-n)CunNy。FexNy轉(zhuǎn)化為兩種Cu替代型產(chǎn)物的能量變化如圖2所示,下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是
A.Cu元素位于元素周期表中的ds區(qū)
B.圖1中氮原子的配位數(shù)為6
C.更穩(wěn)定的Cu替代型產(chǎn)物的化學(xué)式
 為FeCu3N
D.當(dāng)a位置Fe位于體心時(shí),b位置Fe位于棱上
選擇題

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Cu在周期表中位于第四周期第ⅠB族,屬于ds區(qū)元素,故A正確;
由圖1可知,氮原子的上下左右前后各有1個(gè)鐵原子,故其配位數(shù)為6,故B正確;
由圖2可知,Cu替代a位置Fe型的能量低,更穩(wěn)定,則1個(gè)晶胞中Fe原子數(shù)為6×=3,Cu原子數(shù)為8×=1,N原子數(shù)為1,則更穩(wěn)定的Cu替代型產(chǎn)物的化學(xué)式為Fe3CuN,故C錯(cuò)誤;
選擇題
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根據(jù)圖1,將頂點(diǎn)置于體心(如圖所示 ),即當(dāng)a
位置Fe位于體心時(shí),b位置Fe位于棱上,故D正確。
16.第ⅤA族元素及其化合物在生產(chǎn)、生活中用途廣泛。
(1)苯胺( )的晶體類型是    。苯胺與甲苯( )的相對(duì)分子質(zhì)量相近,但苯胺的熔、沸點(diǎn)分別高于甲苯的熔、沸點(diǎn),原因是         。
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分子晶體
苯胺分子之間存在氫鍵而甲苯分子間不存在氫鍵
苯胺是有機(jī)化合物,其晶體類型是分子晶體;由于苯胺分子中N原子電負(fù)性大、原子半徑小,易形成分子間氫鍵N—H…N,導(dǎo)致熔、沸點(diǎn)比相對(duì)分子質(zhì)量相近的甲苯高。
(2)兩種氧化物的熔點(diǎn)如下表所示,解釋表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的原因:        。
非選擇題
P4O6、SO2均為分子晶體,分子間作用力:P4O6>SO2
SO2和P4O6均為分子晶體,分子晶體中一般相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,熔點(diǎn)越高。
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氧化物 SO2 P4O6
熔點(diǎn)/℃ -75.5 23.8
(3)貴金屬磷化物Rh2P可用作電解水的高效催化劑,其立方晶胞如圖所示。已知晶胞參數(shù)為a nm,晶體中與P距離最近的Rh的數(shù)目為   ,晶體的密
度為       g·cm-3(列出計(jì)算式)。
非選擇題
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非選擇題
該立方晶胞含有8個(gè)白球,4個(gè)灰球,結(jié)合化學(xué)式Rh2P,則晶胞中有8個(gè)Rh和4個(gè)P,由面心的P原子推知,晶體中與P距離最近的Rh的數(shù)目為8;晶胞的體積為(a×10-7 cm)3,故晶體的密度為ρ= g·cm-3。
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17.銅是過(guò)渡金屬元素,可以形成多種化合物。
(1)CuCl的鹽酸溶液能夠與CO發(fā)生反應(yīng):CuCl+CO+H2O=== Cu(CO)Cl·H2O。
①電負(fù)性:C  (填“>”“=”或“<”)O。
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同一周期的主族元素,元素的原子序數(shù)越大,元素的電負(fù)性就越大,所以電負(fù)性:C②CO常溫下為氣體,固態(tài)時(shí)屬于   晶體。
非選擇題
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分子
CO常溫下為氣體,固態(tài)時(shí)屬于分子晶體。
(2)Cu+與NH3形成的配合物可表示成[Cu(NH3)n]+,該配合物中,Cu+的4s軌道及4p軌道通過(guò)sp雜化接受NH3提供的孤電子對(duì)。
[Cu(NH3)n]+中Cu+與n個(gè)氮原子的空間結(jié)構(gòu)呈   形,n=  。
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直線
該配合物中,Cu+的4s軌道及4p軌道通過(guò)sp雜化接受NH3提供的孤電子對(duì)。所以在[Cu(NH3)n]+中Cu+與n個(gè)氮原子的空間結(jié)構(gòu)呈直線形,Cu+與2個(gè)氮原子形成配位鍵。
2
(3)CuCl2溶液與乙二胺(H2N—CH2—CH2—NH2)可形成配離子[Cu(En)2]2+ (En是乙二胺的簡(jiǎn)寫):
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①配離子[Cu(En)2]2+的中心原子基態(tài)L層電子排布式為    。
②乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為    ,乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多,原因是________
_____________________________________________。
2s22p6
sp3雜化
分子間可以形成氫鍵,三甲胺分子間不能形成氫鍵
乙二胺
③配合物[Cu(En)2]Cl2中不存在的作用力類型有   (填字母)。
A.配位鍵 B.極性鍵
C.離子鍵 D.非極性鍵
E.氫鍵 F.金屬鍵
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EF
18.硼及其化合物在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、新型材料等方面應(yīng)用廣泛。
(1)區(qū)分晶體硼和無(wú)定形硼最可靠的科學(xué)方法為對(duì)固體進(jìn)行       ,晶體硼的單質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)單元為正二十面體,能自發(fā)呈現(xiàn)多面體外形,這種性質(zhì)稱為晶體的    。與硼處于同周期且相鄰的兩種元素和硼的第一電離能由大到小的順序?yàn)椤  ? 。
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X射線衍射實(shí)驗(yàn)
自范性
C>Be>B
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區(qū)分晶體硼和無(wú)定形硼最可靠的科學(xué)方法為對(duì)固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn),晶體硼的單質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)單元為正二十面體,能自發(fā)呈現(xiàn)多面體外形,這種性質(zhì)稱為晶體的自范性;與硼處于同周期且相鄰的兩種元素分別為Be、C,同周期元素第一電離能從左到右呈增大的趨勢(shì),但第ⅡA、ⅤA族反常,因此第一電離能由大到小的順序?yàn)镃>Be>B。
(2)我國(guó)科學(xué)家對(duì)硼烷化學(xué)的研究開(kāi)啟了無(wú)機(jī)化
學(xué)的新篇章。
①最簡(jiǎn)單的硼烷是B2H6,其分子結(jié)構(gòu)如圖所示,
B原子的雜化方式為_(kāi)____。
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sp3
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根據(jù)分子結(jié)構(gòu),B的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,因此B原子的雜化方式為sp3。
②氨硼烷(NH3BH3)被認(rèn)為是最具有潛力的新型儲(chǔ)氫材料之一,分子中存在配位鍵,提供孤電子對(duì)的原子是  。
非選擇題
N
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氨硼烷(NH3BH3)分子中存在配位鍵,BH3中無(wú)孤電子對(duì),NH3中N有一個(gè)孤電子對(duì),因此提供孤電子對(duì)的原子是N。
③硼氫化鈉(NaBH4)是一種重要的儲(chǔ)氫載體,其陰離子空間結(jié)構(gòu)是      。
非選擇題
正四面體形
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硼氫化鈉(NaBH4)中陰離子B中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4+×(3+1-1×4)=4,因此其空間結(jié)構(gòu)是正四面體形。
(3)砷化硼(BAs)為立方晶系晶體,其結(jié)構(gòu)如
圖所示。
晶胞沿z軸在平面的投影圖中,B原子構(gòu)成的
幾何形狀是        。已知:晶體的密度為d g·cm-3,As原子的半
徑為a pm,假設(shè)B、As原子相切,則B原子的半徑為_(kāi)__________________
pm(寫出計(jì)算表達(dá)式即可)。
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(平面)正方形
××1010-a
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可以將這個(gè)晶胞分成8個(gè)小的立方體,B原子在其中四個(gè)小的立方體的體心,晶胞沿z軸在平面的投影圖中,B原子投影在底
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面的面對(duì)角線的四分之一,因此構(gòu)成的幾何形狀是(平面)正方形。根
據(jù)晶胞得出B有4個(gè),As有8×+6×=4個(gè),因此晶胞有4個(gè)BAs,晶胞的體積為V== cm3= cm3,晶胞參數(shù)為 cm,
非選擇題
假設(shè)B、As原子相切,As和B原子半徑之和為體對(duì)角線的四分之一,因此兩者半徑
和為× cm,As原子的半徑為a pm,
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則B原子的半徑為 pm。
19.早期發(fā)現(xiàn)的一種天然二十面體準(zhǔn)晶顆粒由Al、Cu、Fe三種金屬元素組成。回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)Fe原子有  個(gè)未成對(duì)電子,基態(tài)Fe3+的電子排布式為_(kāi)________
     。可用硫氰化鉀檢驗(yàn)Fe3+,形成的配合物的顏色為   。
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1s22s22p6
3s23p63d5
紅色
基態(tài)鐵原子的3d能級(jí)上有4個(gè)未成對(duì)電子,基態(tài)Fe3+的電子排布式為1s22s22p63s23p63d5,F(xiàn)e3+與SCN-形成的配合物呈紅色。
(2)新制備的Cu(OH)2可將乙醛(CH3CHO)氧化為乙酸,而自身被還原成Cu2O。乙醛中碳原子的雜化軌道類型為    ,1 mol乙醛分子中含有的σ鍵的數(shù)目為   。乙酸的沸點(diǎn)明顯高于乙醛,其主要原因是      。Cu2O為半導(dǎo)體材料,在其立方晶胞內(nèi)部有4個(gè)氧原子,其余氧原子位于所有的面心和頂角,則該晶胞中有  個(gè)銅原子。
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sp3、sp2
6NA
CH3COOH存在分子間氫鍵
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非選擇題
由于1個(gè)乙醛分子中含4個(gè)C—H、1個(gè)C—C、1個(gè)C O,共有6個(gè)σ鍵,
故1 mol乙醛分子中含有6NA個(gè)σ鍵。根據(jù)均攤法計(jì)算,一個(gè)晶胞中含有的氧原子數(shù)為4+6×+8×=8,再結(jié)合化學(xué)式Cu2O知一個(gè)晶胞中含有16個(gè)銅原子。
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(3)Al單質(zhì)為面心立方晶體,其晶胞(如圖)參數(shù)a=0.405 nm,晶胞中鋁原子的配位數(shù)為  。列式
表示Al單質(zhì)的密度為     g·cm-3 (不必計(jì)算出結(jié)果,設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)。
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非選擇題
一個(gè)鋁晶胞中含有的鋁原子數(shù)為6×+8×=4,一個(gè)晶胞的質(zhì)量為×27 g,再利用密度與質(zhì)量、晶胞參數(shù)a的關(guān)系即可求出密度,計(jì)算中要注意1 nm=10-7 cm。
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