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微專題四　晶體熔、沸點(diǎn)的比較
1.根據(jù)物質(zhì)的聚集狀態(tài)
常溫常壓下，一般情況下，熔、沸點(diǎn)：固體>液體>氣體。
2.根據(jù)晶體的類型
一般來(lái)說(shuō)，熔、沸點(diǎn)：共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體。金屬晶體的熔、沸點(diǎn)比較特殊，有的很高，如鎢、鉑等；有的很低，如銫等。
3.同種類型晶體熔、沸點(diǎn)的比較規(guī)律
(1)共價(jià)晶體
比較共價(jià)晶體熔、沸點(diǎn)高低的關(guān)鍵是比較共價(jià)鍵的強(qiáng)弱。對(duì)于結(jié)構(gòu)相似的共價(jià)晶體來(lái)說(shuō)，成鍵原子半徑越小，鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，共價(jià)鍵越牢固，晶體的熔、沸點(diǎn)越高。如熔、沸點(diǎn)：金剛石>碳化硅>晶體硅。
(2)離子晶體
離子晶體熔、沸點(diǎn)的高低取決于晶格能大小。一般來(lái)說(shuō)，離子所帶電荷數(shù)越多，陰、陽(yáng)離子核間距越小，晶格能越大，則離子鍵越牢固，晶體的熔、沸點(diǎn)一般越高。如熔、沸點(diǎn)：MgO>MgCl2，NaCl>CsCl。
(3)分子晶體
①組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體(不存在分子間氫鍵)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，其熔、沸點(diǎn)越高。如熔、沸點(diǎn)：HI>HBr>HCl。
②組成和結(jié)構(gòu)不相似的分子晶體(不存在分子間氫鍵、相對(duì)分子質(zhì)量相近)，分子的極性越大，其熔、沸點(diǎn)越高。如熔、沸點(diǎn)：CO>N2。
③在同分異構(gòu)體中，一般支鏈越多，熔、沸點(diǎn)越低。如熔、沸點(diǎn)：正戊烷>異戊烷>新戊烷。
④具有氫鍵的分子晶體，與同類化合物相比，其熔、沸點(diǎn)反常高。如熔、沸點(diǎn)：NH3>AsH3>PH3。
(4)金屬晶體
金屬晶體熔、沸點(diǎn)的高低取決于金屬鍵的強(qiáng)弱。一般金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多，原子半徑越小，金屬陽(yáng)離子與自由電子之間的靜電作用越強(qiáng)，金屬鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高。如熔、沸點(diǎn)：Na1.下列各組物質(zhì)的沸點(diǎn)，按由低到高的順序排列的是(　　)
A.NH3、CH4、NaCl、Na
B.H2O、H2S、MgSO4、SO2
C.CH4、H2O、NaCl、SiO2
D.Li、Na、K、Rb、Cs
2.下列關(guān)于物質(zhì)熔、沸點(diǎn)的比較不正確的是(　　)
A.Si、SiC、金剛石的熔點(diǎn)依次降低
B.SiCl4、MgBr2、BN的熔點(diǎn)依次升高
C.F2、Cl2、Br2、I2的沸點(diǎn)依次升高
D.PH3、NH3、H2O的沸點(diǎn)依次升高
3.下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低比較，順序正確的是(　　)
A.CH4>C2H6>C3H8>C4H10
B.CBr4>CI4>CCl4>CF4
C.MgO>H2O>O2>N2
D.H2Se>H2S>H2O
4.離子晶體熔點(diǎn)的高低取決于晶格能的大小，下列關(guān)于物質(zhì)熔點(diǎn)的比較不正確的是(　　)
A.NaF>NaCl>NaBr>NaI
B.Na2O>Na2S>NaCl>NaI
C.NaCl>CsCl>MgCl2>AlCl3
D.NaCl>KCl>RbCl>CsCl
5.當(dāng)金屬晶體的原子很緊密的堆積方式相同時(shí)，通過(guò)比較下列各組金屬的價(jià)電子數(shù)和原子半徑，判斷其熔點(diǎn)高低。下列物質(zhì)熔點(diǎn)排列順序正確的一組是(　　)
A.K>Na B.CuC.Be>Mg D.生鐵>純鐵
6.下列分子晶體中，關(guān)于熔、沸點(diǎn)高低的排序正確的是(　　)
A.H2>N2>O2
B.NH3>AsH3>PH3
C.Cl2>Br2>I2
D.C(CH3)4>(CH3)2CHCH2CH3>CH3CH2CH2CH2CH3
7.(1)K與Cu位于同周期，金屬鉀的熔點(diǎn)比銅的低，這是因?yàn)椤　　?　　　　。
(2)As的鹵化物的熔點(diǎn)如下：
物質(zhì) AsCl3 AsBr3 AsI3
熔點(diǎn)/K 256.8 304 413
表中鹵化物熔點(diǎn)差異的原因是　　　 　　　　。
(3)一些氧化物的熔點(diǎn)如表所示：
氧化物 Li2O MgO P4O6 SO2
熔點(diǎn)/℃ 1 570 2 800 23.8 -75.5
解釋表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的原因：　　　 　　　 　　　　。
(4)冰、金剛石、MgO、干冰4種晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)椤　　　　?
8.已知A、B、C、D都是元素周期表中前20號(hào)的元素，且原子序數(shù)依次增大。A元素的一種核素沒(méi)有中子；B的基態(tài)原子核外電子有9種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；C元素是無(wú)機(jī)非金屬材料的主角，它的單質(zhì)可以用作電腦芯片；D為金屬性最強(qiáng)的ⅠA族元素。請(qǐng)回答：
(1)A與B形成的化合物比與B同主族的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)高，其原因是　　　 　　　　。
(2)A與C形成的最簡(jiǎn)單化合物的分子式是　　　，中心原子的雜化類型是　　　　，分子的空間結(jié)構(gòu)是　　　　　　。
(3)B與C形成的化合物和B與D形成的化合物，其晶體類型分別是　　　　　　和　　　　　，熔點(diǎn)：　　　　>　　　　(填化學(xué)式)，熔點(diǎn)高低的原因：　　　　 　　　　。
答案精析
跟蹤訓(xùn)練
1.C　［氨氣和甲烷都是分子晶體，但是氨氣中含有氫鍵，熔、沸點(diǎn)較高，則沸點(diǎn)由高到低的順序：氯化鈉、Na、氨氣、甲烷，故A錯(cuò)誤；水、硫化氫、二氧化硫都是分子晶體，水中含有氫鍵，沸點(diǎn)較高，則沸點(diǎn)由低到高的順序：硫化氫、二氧化硫、水、硫酸鎂，故B錯(cuò)誤；水和甲烷都是分子晶體，但是水中含有氫鍵，沸點(diǎn)較高，氯化鈉是離子晶體、二氧化硅是共價(jià)晶體，則沸點(diǎn)由低到高的順序：甲烷、水、氯化鈉、二氧化硅，故C正確；Li、Na、K、Rb、Cs均是堿金屬，且位于同主族，從上到下沸點(diǎn)依次降低，故D錯(cuò)誤。］
2.A　［Si、SiC、金剛石都是共價(jià)晶體，共價(jià)鍵越強(qiáng)熔點(diǎn)越高，共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)：C—CSiC>Si，故A錯(cuò)誤；一般來(lái)說(shuō)，熔點(diǎn)為共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體，則熔點(diǎn)：BN>MgBr2>SiCl4，故B正確；結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，沸點(diǎn)越高，所以F2、Cl2、Br2、I2的沸點(diǎn)依次升高，故C正確；水和氨氣分子間存在氫鍵，磷化氫分子間不存在氫鍵，常溫下水為液體，氨氣為氣體，所以PH3、NH3、H2O的沸點(diǎn)依次升高，故D正確。］
3.C　［組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，則熔、沸點(diǎn)為CH4CBr4>CCl4>CF4，故A、B錯(cuò)誤；離子晶體的熔、沸點(diǎn)高于分子晶體，水中含有氫鍵，熔、沸點(diǎn)比氮?dú)狻⒀鯕獾母撸瑒t熔、沸點(diǎn)為MgO>H2O>O2>N2，故C正確；水分子間存在氫鍵，所以水的沸點(diǎn)最高，則熔、沸點(diǎn)為H2O>H2Se>H2S，故D錯(cuò)誤。］
4.C
5.C　［A、B、C三組均為同族元素，價(jià)電子數(shù)相同，位于周期表下方的元素原子半徑更大，金屬鍵更弱，熔點(diǎn)更低，A、B錯(cuò)誤，C正確；生鐵為鐵和碳熔合后形成的合金，熔點(diǎn)低于純鐵，D錯(cuò)誤。］
6.B　［結(jié)構(gòu)相似的分子晶體的熔點(diǎn)隨相對(duì)分子質(zhì)量的增大而升高，熔、沸點(diǎn)：H2 AsH3> PH3，故B正確；相對(duì)分子質(zhì)量相同的烴，支鏈越多熔、沸點(diǎn)越低，C(CH3)4<(CH3)2CHCH2CH3 < CH3CH2CH2CH2CH3，故D錯(cuò)誤。］
7.(1)鉀的原子半徑比銅的大，價(jià)電子數(shù)比銅少，鉀的金屬鍵比銅的弱
(2)As的鹵化物組成和結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量逐漸增大，分子間作用力逐漸增強(qiáng)，熔點(diǎn)逐漸升高
(3)Li2O、MgO為離子晶體，P4O6、SO2為分子晶體；Mg2+所帶電荷數(shù)比Li+的多，MgO中離子鍵比Li2O中離子鍵強(qiáng)。分子間作用力：P4O6>SO2
(4)金剛石>MgO>冰>干冰
8.(1)HF可形成分子間氫鍵，較與F同族的氣態(tài)氫化物間的分子間作用力強(qiáng)　(2)SiH4　sp3　正四面體形　(3)分子晶體　離子晶體　KF　SiF4　KF為離子晶體，微粒間作用力為離子鍵，較強(qiáng)，熔點(diǎn)高，SiF4是分子晶體，微粒間的作用力為范德華力，較弱，熔點(diǎn)低
解析　由題意可知，A、B、C、D分別為H、F、Si、K。(1)A與B形成的化合物為HF，HF分子間可形成氫鍵，較與F同族的氣態(tài)氫化物間的分子間作用力強(qiáng)，比與F同主族的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)高。(2)A與C形成的最簡(jiǎn)單化合物的分子式是SiH4，一個(gè)中心原子(Si原子)與相鄰H原子形成4個(gè)Si—H鍵、沒(méi)有孤電子對(duì)，雜化軌道數(shù)目為4，所以Si原子的雜化類型是sp3，分子的空間結(jié)構(gòu)是正四面體形。(共24張PPT)
晶體熔、沸點(diǎn)的比較
微專題四
第3章　第2節(jié)
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1.根據(jù)物質(zhì)的聚集狀態(tài)
常溫常壓下，一般情況下，熔、沸點(diǎn)：固體>液體>氣體。
2.根據(jù)晶體的類型
一般來(lái)說(shuō)，熔、沸點(diǎn)：共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體。金屬晶體的熔、沸點(diǎn)比較特殊，有的很高，如鎢、鉑等；有的很低，如銫等。
3.同種類型晶體熔、沸點(diǎn)的比較規(guī)律
(1)共價(jià)晶體
比較共價(jià)晶體熔、沸點(diǎn)高低的關(guān)鍵是比較共價(jià)鍵的強(qiáng)弱。對(duì)于結(jié)構(gòu)相似的共價(jià)晶體來(lái)說(shuō)，成鍵原子半徑越小，鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，共價(jià)鍵越牢固，晶體的熔、沸點(diǎn)越高。如熔、沸點(diǎn)：金剛石>碳化硅>晶體硅。
(2)離子晶體
離子晶體熔、沸點(diǎn)的高低取決于晶格能大小。一般來(lái)說(shuō)，離子所帶電荷數(shù)越多，陰、陽(yáng)離子核間距越小，晶格能越大，則離子鍵越牢固，晶體的熔、沸點(diǎn)一般越高。如熔、沸點(diǎn)：MgO>MgCl2，NaCl>CsCl。
(3)分子晶體
①組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體(不存在分子間氫鍵)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，其熔、沸點(diǎn)越高。如熔、沸點(diǎn)：HI>HBr>HCl。
②組成和結(jié)構(gòu)不相似的分子晶體(不存在分子間氫鍵、相對(duì)分子質(zhì)量相近)，分子的極性越大，其熔、沸點(diǎn)越高。如熔、沸點(diǎn)：CO>N2。
③在同分異構(gòu)體中，一般支鏈越多，熔、沸點(diǎn)越低。如熔、沸點(diǎn)：正戊烷>異戊烷>新戊烷。
④具有氫鍵的分子晶體，與同類化合物相比，其熔、沸點(diǎn)反常高。如熔、沸點(diǎn)：NH3>AsH3>PH3。
(4)金屬晶體
金屬晶體熔、沸點(diǎn)的高低取決于金屬鍵的強(qiáng)弱。一般金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多，原子半徑越小，金屬陽(yáng)離子與自由電子之間的靜電作用越強(qiáng)，金屬鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高。如熔、沸點(diǎn)：Na1.下列各組物質(zhì)的沸點(diǎn)，按由低到高的順序排列的是
A.NH3、CH4、NaCl、Na
B.H2O、H2S、MgSO4、SO2
C.CH4、H2O、NaCl、SiO2
D.Li、Na、K、Rb、Cs
跟蹤訓(xùn)練
√
氨氣和甲烷都是分子晶體，但是氨氣中含有氫鍵，熔、沸點(diǎn)較高，則沸點(diǎn)由高到低的順序：氯化鈉、Na、氨氣、甲烷，故A錯(cuò)誤；
水、硫化氫、二氧化硫都是分子晶體，水中含有氫鍵，沸點(diǎn)較高，則沸點(diǎn)由低到高的順序：硫化氫、二氧化硫、水、硫酸鎂，故B錯(cuò)誤；
水和甲烷都是分子晶體，但是水中含有氫鍵，沸點(diǎn)較高，氯化鈉是離子晶體、二氧化硅是共價(jià)晶體，則沸點(diǎn)由低到高的順序：甲烷、水、氯化鈉、二氧化硅，故C正確；
跟蹤訓(xùn)練
Li、Na、K、Rb、Cs均是堿金屬，且位于同主族，從上到下沸點(diǎn)依次降低，故D錯(cuò)誤。
跟蹤訓(xùn)練
2.下列關(guān)于物質(zhì)熔、沸點(diǎn)的比較不正確的是
A.Si、SiC、金剛石的熔點(diǎn)依次降低
B.SiCl4、MgBr2、BN的熔點(diǎn)依次升高
C.F2、Cl2、Br2、I2的沸點(diǎn)依次升高
D.PH3、NH3、H2O的沸點(diǎn)依次升高
跟蹤訓(xùn)練
√
Si、SiC、金剛石都是共價(jià)晶體，共價(jià)鍵越強(qiáng)熔點(diǎn)越高，共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)：C—C
SiC>Si，故A錯(cuò)誤；
一般來(lái)說(shuō)，熔點(diǎn)為共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體，則熔點(diǎn)：BN>MgBr2>SiCl4，故B正確；
結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，沸點(diǎn)越高，所以F2、Cl2、Br2、I2的沸點(diǎn)依次升高，故C正確；
水和氨氣分子間存在氫鍵，磷化氫分子間不存在氫鍵，常溫下水為液體，氨氣為氣體，所以PH3、NH3、H2O的沸點(diǎn)依次升高，故D正確。
跟蹤訓(xùn)練
3.下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低比較，順序正確的是
A.CH4>C2H6>C3H8>C4H10
B.CBr4>CI4>CCl4>CF4
C.MgO>H2O>O2>N2
D.H2Se>H2S>H2O
跟蹤訓(xùn)練
√
組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，則熔、沸點(diǎn)為CH4CBr4>CCl4>CF4，故A、B錯(cuò)誤；
離子晶體的熔、沸點(diǎn)高于分子晶體，水中含有氫鍵，熔、沸點(diǎn)比氮?dú)狻⒀鯕獾母撸瑒t熔、沸點(diǎn)為MgO>H2O>O2>N2，故C正確；
水分子間存在氫鍵，所以水的沸點(diǎn)最高，則熔、沸點(diǎn)為H2O>H2Se>H2S，故D錯(cuò)誤。
跟蹤訓(xùn)練
4.離子晶體熔點(diǎn)的高低取決于晶格能的大小，下列關(guān)于物質(zhì)熔點(diǎn)的比較不正確的是
A.NaF>NaCl>NaBr>NaI
B.Na2O>Na2S>NaCl>NaI
C.NaCl>CsCl>MgCl2>AlCl3
D.NaCl>KCl>RbCl>CsCl
跟蹤訓(xùn)練
√
5.當(dāng)金屬晶體的原子很緊密的堆積方式相同時(shí)，通過(guò)比較下列各組金屬的價(jià)電子數(shù)和原子半徑，判斷其熔點(diǎn)高低。下列物質(zhì)熔點(diǎn)排列順序正確的一組是
A.K>Na B.CuC.Be>Mg D.生鐵>純鐵
跟蹤訓(xùn)練
√
A、B、C三組均為同族元素，價(jià)電子數(shù)相同，位于周期表下方的元素原子半徑更大，金屬鍵更弱，熔點(diǎn)更低，A、B錯(cuò)誤，C正確；
生鐵為鐵和碳熔合后形成的合金，熔點(diǎn)低于純鐵，D錯(cuò)誤。
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6.下列分子晶體中，關(guān)于熔、沸點(diǎn)高低的排序正確的是
A.H2>N2>O2
B.NH3>AsH3>PH3
C.Cl2>Br2>I2
D.C(CH3)4>(CH3)2CHCH2CH3>CH3CH2CH2CH2CH3
跟蹤訓(xùn)練
√
結(jié)構(gòu)相似的分子晶體的熔點(diǎn)隨相對(duì)分子質(zhì)量的增大而升高，熔、沸點(diǎn)：H2氨氣分子間存在氫鍵，熔、沸點(diǎn)反常升高，熔、沸點(diǎn)：NH3 > AsH3> PH3，故B正確；
相對(duì)分子質(zhì)量相同的烴，支鏈越多熔、沸點(diǎn)越低，
C(CH3)4<(CH3)2CHCH2CH3 < CH3CH2CH2CH2CH3，故D錯(cuò)誤。
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7.(1)K與Cu位于同周期，金屬鉀的熔點(diǎn)比銅的低，這是因?yàn)開(kāi)________
　　　　　　　　　　 　　　。
(2)As的鹵化物的熔點(diǎn)如下：
表中鹵化物熔點(diǎn)差異的原因是__________________________________
___________________________________________________。
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物質(zhì) AsCl3 AsBr3 AsI3
熔點(diǎn)/K 256.8 304 413
鉀的原子半徑比銅的大，價(jià)電子數(shù)比銅少，鉀的金屬鍵比銅的弱
As的鹵化物組成和結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量逐漸增大，分子間作用力逐漸增強(qiáng)，熔點(diǎn)逐漸升高
(3)一些氧化物的熔點(diǎn)如表所示：
解釋表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的原因：__________________________
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(4)冰、金剛石、MgO、干冰4種晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)開(kāi)______
　　　 　　　。
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氧化物 Li2O MgO P4O6 SO2
熔點(diǎn)/℃ 1 570 2 800 23.8 -75.5
Li2O、MgO為離子晶體，P4O6、SO2為分子晶體；Mg2+所帶電荷數(shù)比Li+的多，MgO中離子鍵比Li2O中離子鍵強(qiáng)。分子間作用力：P4O6>SO2
>MgO>冰>干冰
金剛石
8.已知A、B、C、D都是元素周期表中前20號(hào)的元素，且原子序數(shù)依次增大。A元素的一種核素沒(méi)有中子；B的基態(tài)原子核外電子有9種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；C元素是無(wú)機(jī)非金屬材料的主角，它的單質(zhì)可以用作電腦芯片；D為金屬性最強(qiáng)的ⅠA族元素。請(qǐng)回答：
(1)A與B形成的化合物比與B同主族的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)高，其原因是
____________________________________________________________。
跟蹤訓(xùn)練
HF可形成分子間氫鍵，較與F同族的氣態(tài)氫化物間的分子間作用力強(qiáng)
由題意可知，A、B、C、D分別為H、F、Si、K。A與B形成的化合物為HF，HF分子間可形成氫鍵，較與F同族的氣態(tài)氫化物間的分子間作用力強(qiáng)，比與F同主族的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)高。
跟蹤訓(xùn)練
(2)A與C形成的最簡(jiǎn)單化合物的分子式是　　，中心原子的雜化類型是　　，分子的空間結(jié)構(gòu)是　　　　　　。
跟蹤訓(xùn)練
SiH4
sp3
正四面體形
A與C形成的最簡(jiǎn)單化合物的分子式是SiH4，一個(gè)中心原子(Si原子)與相鄰H原子形成4個(gè)Si—H鍵、沒(méi)有孤電子對(duì)，雜化軌道數(shù)目為4，所以Si原子的雜化類型是sp3，分子的空間結(jié)構(gòu)是正四面體形。
(3)B與C形成的化合物和B與D形成的化合物，其晶體類型分別是
　　　 　和　　　　 ，熔點(diǎn)：　　>　　(填化學(xué)式)，熔點(diǎn)高低的原因：________________________________________________________
___________________________________________________。
跟蹤訓(xùn)練
分子晶體
離子晶體
KF
SiF4
KF為離子晶體，微粒間作用力為離子鍵，較強(qiáng)，熔點(diǎn)高，SiF4是分子晶體，微粒間的作用力為范德華力，較弱，熔點(diǎn)低

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