資源簡(jiǎn)介

章末檢測(cè)試卷（三）　［分值：100分］
一、選擇題（本題包括15小題，每小題3分，共45分。每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意）
1.下列敘述正確的是 （　　）
A.離子晶體都是化合物
B.共價(jià)晶體都是單質(zhì)
C.金屬在常溫下都以晶體形式存在
D.分子晶體在常溫下不可能為固態(tài)
2.下列關(guān)于物質(zhì)特殊聚集狀態(tài)的敘述錯(cuò)誤的是 （　　）
A.在電場(chǎng)存在的情況下，液晶分子沿著電場(chǎng)方向有序排列
B.非晶體的內(nèi)部原子或分子的排列雜亂無章
C.液晶最重要的用途是制造液晶顯示器
D.由納米粒子構(gòu)成的納米陶瓷有極高的硬度，但低溫下不具有優(yōu)良的延展性
3.下列事實(shí)不能直接從原子結(jié)構(gòu)角度解釋的是 （　　）
A.化合物ICl中I為+1價(jià)
B.第一電離能：B>Al
C.沸點(diǎn)：CS2>CO2
D.熱穩(wěn)定性：NH3>PH3
4.（2024·山東威海質(zhì)檢）三聚氰胺是一種有機(jī)合成劑和分析劑，結(jié)構(gòu)中含大π鍵。下列說法錯(cuò)誤的是 （　　）
A.晶體類型為分子晶體
B.1 mol該分子中存在15 mol σ鍵
C.分子中所有化學(xué)鍵均為極性鍵
D.六元環(huán)上的N原子提供孤電子對(duì)形成大π鍵
5.（2023·廣東檢測(cè)）某種具有許多優(yōu)良特性的離子液體如圖所示，下列說法不正確的是 （　　）
A.該離子液體不具備與水分子形成氫鍵的條件
B.該晶體屬于離子晶體
C.基態(tài)B原子的價(jià)電子排布為2s22p1
D.電負(fù)性大小順序?yàn)镹>C>B
6.有關(guān)晶體或分子的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法不正確的是 （　　）
A.在NaCl晶胞中，距Na+最近的Cl-形成正八面體
B.在CaF2晶胞中，每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Ca2+
C.在金剛石晶體中，碳原子與碳碳鍵的個(gè)數(shù)之比為1∶2
D.由E原子和F原子構(gòu)成的氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為EF或FE
7.根據(jù)下表幾種物質(zhì)的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)數(shù)據(jù)，判斷下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是 （　　）
NaCl KCl AlCl3 SiCl4 單質(zhì)B
熔點(diǎn)/℃ 801 714 190 -70 2 300
沸點(diǎn)/℃ 1 465 1 420 178 57.6 2 500
注：AlCl3熔點(diǎn)在2.02×105 Pa條件下測(cè)定。
A.SiCl4是分子晶體
B.單質(zhì)B是共價(jià)晶體
C.AlCl3加熱能升華
D.KCl晶體中晶格能比NaCl晶體中的大
8.磷錫青銅合金廣泛用于儀器儀表中的耐磨零件和抗磁元件等。其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知晶胞參數(shù)為a pm，下列說法不正確的是 （　　）
A.磷錫青銅的化學(xué)式為Cu3SnP
B.該晶胞中與Cu等距離且最近的Cu有4個(gè)
C.三種元素Cu、Sn、P在元素周期表中分別處于ds區(qū)、p區(qū)、p區(qū)
D.Sn和P原子間的最短距離為a pm
9.下列推論正確的是 （　　）
A.SiH4的沸點(diǎn)高于CH4，可推測(cè)PH3的沸點(diǎn)高于NH3
B.N為正四面體形結(jié)構(gòu)，可推測(cè)出P也為正四面體形結(jié)構(gòu)
C.CO2晶體是分子晶體，可推測(cè)SiO2晶體也是分子晶體
D.C2H6是碳鏈為直線形的非極性分子，可推測(cè)C3H8也是碳鏈為直線形的非極性分子
10.（2024·湖北，11）黃金按質(zhì)量分?jǐn)?shù)分級(jí)，純金為24K。Au-Cu合金的三種晶胞結(jié)構(gòu)如圖，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列說法錯(cuò)誤的是 （　　）
A.Ⅰ為18K金
B.Ⅱ中Au的配位數(shù)是12
C.Ⅲ中最小核間距Au-CuD.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中，Au與Cu原子個(gè)數(shù)比依次為1∶1、1∶3、3∶1
11.已知金屬鈉和氦可形成化合物，該化合物晶胞如圖所示，其結(jié)構(gòu)中Na+按簡(jiǎn)單立方分布，形成Na8立方體空隙，電子對(duì)（2e-）和氦原子交替分布填充在小立方體的中心。下列說法錯(cuò)誤的是 （　　）
A.該晶胞中的Na+數(shù)為8
B.該化合物的化學(xué)式為［Na+］2He［e2］2-
C.若將氦原子放在晶胞頂點(diǎn)，則所有電子對(duì)（2e-）在晶胞的體心
D.該晶胞中與Na+最近的He原子數(shù)目為4
12.（2023·廣東茂名期中）銠的配合物離子［Rh（CO）2I2］-可催化甲醇羰基化，反應(yīng)過程如圖所示。下列敘述不正確的是 （　　）
A.催化循環(huán)中Rh的配位數(shù)有3種
B.［Rh（CO）2I2］-中Rh的化合價(jià)為+1價(jià)
C.H2O和CH3I的空間結(jié)構(gòu)相同
D.甲醇羰基化反應(yīng)為CH3OH+CO===CH3CO2H
13.Al2O3在一定條件下可轉(zhuǎn)化為硬度、熔點(diǎn)都很高的氮化鋁晶體，氮化鋁的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法正確的是 （　　）
A.氮化鋁屬于分子晶體
B.氮化鋁可用于制造切割金屬的刀具
C.1個(gè)氮化鋁晶胞中含有9個(gè)Al原子
D.氮化鋁晶體中Al的配位數(shù)為2
14.科學(xué)家合成出了一種新化合物，其中W、X、Y、Z為同一短周期元素，Z核外最外層電子數(shù)是X核外電子數(shù)的一半。下列說法正確的是 （　　）
A.元素非金屬性強(qiáng)弱的順序?yàn)閄>Y>Z
B.W、Z對(duì)應(yīng)的簡(jiǎn)單離子半徑：WC.元素Z、X、W的單質(zhì)晶體熔點(diǎn)依次升高
D.該新化合物中Y不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
15.砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，熔點(diǎn)1 238 ℃。它在600 ℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)如圖。下列說法正確的是 （　　）
A.砷化鎵是一種分子晶體
B.砷化鎵中不存在配位鍵
C.晶胞中Ga原子與As原子的數(shù)量比為4∶1
D.晶胞中Ga原子與周圍等距且最近的As原子形成的空間結(jié)構(gòu)為正四面體
二、非選擇題（本題包括4小題，共55分）
16.（12分）Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知：
①Z的原子序數(shù)為29，其余的均為短周期主族元素；
②Y原子價(jià)電子排布為msnmpn；
③R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)；
④Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4。
請(qǐng)回答下列問題：
（1）Z2+的核外電子排布式是　　　　　，Z單質(zhì)的晶體是　　　　晶體。
（2）在［Z（NH3）4］2+中，Z2+的空軌道接受NH3分子提供的　　　　形成配位鍵。
（3）Q、Y形成的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙，下列判斷正確的是　　　　（填字母）。
a.穩(wěn)定性：甲>乙，沸點(diǎn)：甲>乙
b.穩(wěn)定性：甲>乙，沸點(diǎn)：甲<乙
c.穩(wěn)定性：甲<乙，沸點(diǎn)：甲<乙
d.穩(wěn)定性：甲<乙，沸點(diǎn)：甲>乙
（4）Q的一種氫化物相對(duì)分子質(zhì)量為26，其分子中σ鍵與π鍵的鍵數(shù)之比為　　　　。
（5）五種元素中，電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的晶體屬于　　　　（填晶體類型）。
17.（16分）氮、氧、磷、砷及其化合物在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)等方面有著重要應(yīng)用。請(qǐng)按要求回答下列問題。
（1）基態(tài)砷原子價(jià)電子軌道表示式不能寫為，是因?yàn)樵撆挪挤绞竭`背了　　　　　　這一原理。
（2）元素第一電離能：N　　　　　　　（填“>”“<”或“=”，下同）O，電負(fù)性：P　　　　As。
（3）肼（N2H4）可用作火箭燃料等，它的沸點(diǎn)遠(yuǎn)高于乙烯的原因是　　　　　　　　　。
（4）尿素（）中碳原子雜化類型為　　　　　　　；的空間結(jié)構(gòu)為　　　　　　。
（5）GaAs的熔點(diǎn)為1 238 ℃，可作半導(dǎo)體材料；而GaCl3的熔點(diǎn)為77.9 ℃。
①預(yù)測(cè)GaCl3的晶體類型為　　　　　　　。
②GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞邊長(zhǎng)為a pm。則晶胞中每個(gè)Ga原子周圍有　　　　　　　個(gè)緊鄰等距的As原子；該晶體的密度為　　　　　　　g·cm-3（列出計(jì)算式）。
18.（15分）早期發(fā)現(xiàn)的一種天然二十面體準(zhǔn)晶顆粒由Al、Cu、Fe三種金屬元素組成。回答下列問題：
（1）基態(tài)Fe原子有　　　　個(gè)未成對(duì)電子，基態(tài)Fe3+的電子排布式為　　　　　　。可用硫氰化鉀檢驗(yàn)Fe3+，形成的配合物的顏色為　　　　。
（2）新制備的Cu（OH）2可將乙醛（CH3CHO）氧化為乙酸，而自身被還原成Cu2O。乙醛中碳原子的雜化軌道類型為　　　　，1 mol乙醛分子中含有的σ鍵的數(shù)目為　　　　。乙酸的沸點(diǎn)明顯高于乙醛，其主要原因是　　　　　　　　　　　　　。Cu2O為半導(dǎo)體材料，在其立方晶胞內(nèi)部有4個(gè)氧原子，其余氧原子位于所有的面心和頂角，則該晶胞中有　　　　個(gè)銅原子。
（3）Al單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞（如圖）參數(shù)a=0.405 nm，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為　　　　。列式表示Al單質(zhì)的密度為　　　　 g·cm-3（不必計(jì)算出結(jié)果，設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值）。
19.（12分）Mg、Ni、Cu、Zn等元素在生產(chǎn)、生活中有著廣泛的應(yīng)用，回答下列問題：
（1）Mg、Ni、Cu等金屬可能形成金屬互化物。金屬互化物的結(jié)構(gòu)類型豐富多樣，確定某種金屬互化物是晶體還是非晶體可通過　　　　測(cè)定。
（2）根據(jù)Cu、Zn的原子結(jié)構(gòu)比較第一電離能：I1（Cu）　　　　（填“大于”“等于”或“小于”）I1（Zn），理由是　　　　 　　　　。
（3）鎳基合金儲(chǔ)氫的研究已取得很大進(jìn)展。
①圖甲是一種鎳基合金儲(chǔ)氫后的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖。該合金儲(chǔ)氫后，H2與Ni的物質(zhì)的量之比為　　　。
②Mg2NiH4是一種儲(chǔ)氫的金屬氫化物。在Mg2NiH4晶胞（如圖乙所示）中，Ni原子占據(jù)頂點(diǎn)和面心，Mg2+處于八個(gè)小立方體的體心。Mg2+位于Ni原子形成的　　　　（填“八面體空隙”或“四面體空隙”）中。晶體的密度為ρ g·cm-3，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，Mg2+和Ni原子的最短距離為　　　　cm（用含ρ和NA的代數(shù)式表示）。
答案精析
1.A　［共價(jià)晶體可能是單質(zhì)(如金剛石等)，也可能是化合物(如SiO2、SiC等)，B錯(cuò)誤；大多金屬在常溫下以晶體形式存在，但金屬汞呈液態(tài)，C錯(cuò)誤；分子晶體在常溫下可能是氣態(tài)、液態(tài)或固態(tài)，如 H2、H2O、I2 等，D錯(cuò)誤。］
2.D　［納米粒子構(gòu)成的納米陶瓷在低溫下具有良好的延展性。］
3.C　［氯原子半徑小，得電子能力強(qiáng)，故氯顯負(fù)價(jià)，碘顯正價(jià)，能從原子結(jié)構(gòu)角度解釋，故A不符合題意；原子半徑越大，失電子能力越強(qiáng)，Al的半徑大于B，第一電離能小，故第一電離能：B>Al，能從原子結(jié)構(gòu)角度解釋，故B不符合題意；分子結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，CS2的相對(duì)分子質(zhì)量大于CO2，故沸點(diǎn)：CS2>CO2，不能從原子結(jié)構(gòu)角度解釋，故C符合題意；原子半徑越大鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)，越不穩(wěn)定，原子半徑：P>N，故熱穩(wěn)定性：NH3>PH3，能從原子結(jié)構(gòu)角度解釋，故D不符合題意。］
4.D　［三聚氰胺中原子間的化學(xué)鍵只有共價(jià)鍵，其晶體的構(gòu)成粒子為分子，晶體類型為分子晶體，A項(xiàng)正確；1個(gè)三聚氰胺分子中含6個(gè)N—H σ鍵、9個(gè)碳氮σ鍵，1 mol該分子中存在15 mol σ鍵，B項(xiàng)正確；該分子中存在N—H極性鍵和碳氮極性鍵，所有化學(xué)鍵均為極性鍵，C項(xiàng)正確；N原子的價(jià)電子排布式為2s22p3，該分子中—NH2中N原子采取sp3雜化，六元環(huán)上的N原子采取sp2雜化，六元環(huán)上的每個(gè)N原子通過2個(gè)雜化軌道與2個(gè)碳原子形成碳氮σ鍵、每個(gè)N上剩余的1個(gè)雜化軌道容納1對(duì)孤電子對(duì)，六元環(huán)上的N原子未參與雜化的p軌道上的1個(gè)電子形成大π鍵，孤電子對(duì)不形成大π鍵，D項(xiàng)錯(cuò)誤。］
5.A　［中含有非金屬性強(qiáng)、原子半徑小的氮原子，且有個(gè)N上有孤電子對(duì)，能與水分子形成氫鍵，故A錯(cuò)誤；B是5號(hào)元素，B元素的基態(tài)原子核外電子排布為1s22s22p1，價(jià)電子排布為2s22p1，C正確；同周期元素從左至右，電負(fù)性逐漸增大，故電負(fù)性：N>C>B，D正確。］
6.D　［B項(xiàng)正確，CaF2晶胞中，Ca2+占據(jù)8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心，故CaF2晶胞中所含Ca2+的個(gè)數(shù)為8×+6×=4；C項(xiàng)正確，金剛石晶體中，每個(gè)C原子與相鄰的4個(gè)C原子通過碳碳鍵相連，而每個(gè)碳碳鍵為2個(gè)碳原子共用，C原子與C—C鍵的個(gè)數(shù)之比為1∶2；D項(xiàng)錯(cuò)誤，由于該分子是氣態(tài)團(tuán)簇分子，其分子式應(yīng)為E4F4或F4E4。］
7.D　［根據(jù)表中數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，NaCl的熔、沸點(diǎn)均比KCl的高，所以NaCl晶體中的晶格能比KCl晶體中的大，D項(xiàng)錯(cuò)誤。］
8.B　［根據(jù)“切割法”計(jì)算得到晶胞中原子個(gè)數(shù)分別為P：1個(gè)，Sn：8×=1，Cu：6×=3，則磷錫青銅的化學(xué)式為Cu3SnP，故A正確；以面心的銅分析，該晶胞中與Cu等距離且最近的Cu有8個(gè)，故B錯(cuò)誤；三種元素Cu、Sn、P的價(jià)電子分別為3d104s1、5s25p2、3s23p3，則三種元素在元素周期表中分別處于ds區(qū)、p區(qū)、p區(qū)，故C正確；Sn和P原子間的最短距離為體對(duì)角線的一半即a pm，故D正確。］
9.B　［由于NH3分子間存在氫鍵，沸點(diǎn)反常，大于PH3分子，A錯(cuò)；N、P是同主族元素，形成的N和P結(jié)構(gòu)相似，都是正四面體形，B正確；CO2是分子晶體，SiO2是共價(jià)晶體，C錯(cuò)；C2H6中兩個(gè)—CH3對(duì)稱，是非極性分子，而C3H8是折線形結(jié)構(gòu)，中間碳原子上極性不能互消，為極性分子，D錯(cuò)。］
10.C　［由24K金的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為100%，則18K金的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為×100%=75%，Ⅰ中Au和Cu原子個(gè)數(shù)比值為1∶1，則Au的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為×100%≈75%，A正確；Ⅱ中Au處于立方體的八個(gè)頂角，則Au的配位數(shù)為12，B正確；設(shè)Ⅲ的晶胞參數(shù)為a，Au-Cu的核間距為a，Au-Au的最小核間距也為 a，最小核間距Au-Cu=Au-Au，C錯(cuò)誤；Ⅰ中，Au處于內(nèi)部，Cu處于晶胞的八個(gè)頂角，其原子個(gè)數(shù)比為1∶1，Ⅱ中，Au處于立方體的八個(gè)頂角，Cu 處于面心，其原子個(gè)數(shù)比為(8×)∶(6×)=1∶3，Ⅲ中，Au處于立方體的面心，Cu處于頂角，其原子個(gè)數(shù)比為(6×)∶(8×)=3∶1，D正確。］
11.C　［該晶胞中Na+的數(shù)目為6×+12×+8×+1=8，A項(xiàng)正確；晶胞中的電子對(duì)(2e-)和氦原子交替分布填充在小立方體的中心，不均攤，可知晶胞中有4對(duì)電子對(duì)、4個(gè)He原子、8個(gè)Na+，則Na+、He、電子對(duì)數(shù)之比為8∶4∶4=2∶1∶1，故化學(xué)式為［Na+］2He［e2］2-，B項(xiàng)正確；若將氦原子放在晶胞頂點(diǎn)，則電子對(duì)(2e-)在晶胞的體心、棱心，C項(xiàng)錯(cuò)誤；該晶胞中與Na+最近的He原子數(shù)目為4，D項(xiàng)正確。］
12.C
13.B　［根據(jù)氮化鋁晶體的性質(zhì)，可知它屬于共價(jià)晶體，能用于制造切割金屬的刀具，A錯(cuò)誤、B正確；根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，1個(gè)氮化鋁晶胞中含有鋁原子的數(shù)目為8×+1=2，C錯(cuò)誤；觀察晶胞結(jié)構(gòu)可得氮化鋁晶體中Al的配位數(shù)為4，D錯(cuò)誤。］
14.B　［由題給信息可知，W、X、Y、Z分別為Na、Si、P、Cl元素。元素非金屬性強(qiáng)弱的順序?yàn)镾i15.D　［根據(jù)砷化鎵熔點(diǎn)數(shù)據(jù)和晶胞結(jié)構(gòu)(空間網(wǎng)狀)可知砷化鎵為共價(jià)晶體，A錯(cuò)誤；Ga最外層有3個(gè)電子，每個(gè)Ga與4個(gè)As成鍵，所以砷化鎵必有配位鍵，B錯(cuò)誤；晶胞中Ga位于頂點(diǎn)和面心，則數(shù)目為8×+6×=4，As位于晶胞內(nèi)，數(shù)目為4，所以晶胞中Ga原子與As原子的數(shù)目之比為1∶1，C錯(cuò)誤。］
16.(1)1s22s22p63s23p63d9(或［Ar］3d9)　金屬　(2)孤電子對(duì)　(3)b　(4)3∶2　(5)共價(jià)晶體
解析　①Z的原子序數(shù)為29，則Z為Cu，結(jié)合②③④分析可知Q、R、X、Y分別為C、N、O、Si。(2)NH3分子中N原子最外層有孤電子對(duì)，故NH3常與一些陽離子形成配位鍵。(3)Q、Y的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為CH4和SiH4，穩(wěn)定性：CH4>SiH4，但由于SiH4的相對(duì)分子質(zhì)量大于CH4的，故沸點(diǎn)：CH4(4)Q的相對(duì)分子質(zhì)量為26的氫化物為乙炔(CH≡CH)，分子中有3個(gè)σ鍵、2個(gè)π鍵。(5)SiO2是共價(jià)晶體。
17.(1)洪特規(guī)則　(2)>　>　(3)肼分子間存在氫鍵，乙烯分子間無氫鍵　(4)sp2　角形
(5)①分子晶體　②4　
解析　(1)電子在能量相同的軌道上排布時(shí)，總是先單獨(dú)分占且自旋狀態(tài)相同，該排布方式違背了洪特規(guī)則。(2)N元素p軌道為半充滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以第一電離能：N>O；同主族元素從上到下，電負(fù)性逐漸減小，所以電負(fù)性：P>As。(4)尿素中C原子上沒有孤電子對(duì)，形成3個(gè)σ鍵，所以尿素分子中碳原子的雜化方式為sp2雜化；N中孤電子對(duì)數(shù)為=1，價(jià)電子對(duì)數(shù)為2+1=3，故N的空間結(jié)構(gòu)為角形。(5)①GaCl3的熔點(diǎn)較低，應(yīng)為分子晶體。②由晶胞結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)Ga原子周圍有4個(gè)緊鄰等距離的As原子；晶胞中含有As原子的個(gè)數(shù)為4，含有Ga原子的個(gè)數(shù)為×8+×6=4，晶胞體積為V=(a pm)3=(a×10-10cm)3=a3×10-30cm3 ，則晶胞密度為ρ== g·cm-3。
18.(1)4　1s22s22p63s23p63d5(或［Ar］3d5)　紅色
(2)sp3、sp2　6NA　CH3COOH存在分子間氫鍵　16
(3)12　
解析　(2)由于1個(gè)乙醛分子中含4個(gè)C—H鍵、1個(gè)C—C鍵、1個(gè)CO鍵，共有6個(gè)σ鍵，故1 mol乙醛分子中含有6NA個(gè)σ鍵。根據(jù)切割法計(jì)算，一個(gè)晶胞中含有的氧原子數(shù)為4+6×+8×=8，再結(jié)合化學(xué)式Cu2O知一個(gè)晶胞中含有16個(gè)銅原子。
(3)一個(gè)鋁晶胞中含有的鋁原子數(shù)為6×+8×=4，一個(gè)晶胞的質(zhì)量為×27 g，再利用密度與質(zhì)量、晶胞參數(shù)a的關(guān)系即可求出密度，計(jì)算中要注意1 nm=10-7 cm。
19.(1)X射線衍射實(shí)驗(yàn)　(2)小于　Zn原子軌道中電子處于全充滿狀態(tài)，較難失電子，而Cu失去一個(gè)電子后內(nèi)層電子達(dá)到全充滿穩(wěn)定狀態(tài)　(3)①3∶5　②四面體空隙　×
解析　(3)①晶胞中H2分子數(shù)目為2×+8×=3，Ni原子數(shù)目為1+8×=5，二者物質(zhì)的量之比為3∶5。②圖乙所示晶胞中，Ni原子占據(jù)頂點(diǎn)和面心，Mg2+處于八個(gè)小立方體的體心，頂點(diǎn)Ni原子與面心Ni原子形成正四面體，即Mg2+位于Ni原子形成的四面體空隙中。頂點(diǎn)Ni原子與四面體體心的Mg2+距離最短，二者連線處于晶胞體對(duì)角線上，且二者距離等于體對(duì)角線長(zhǎng)度的，晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度等于晶胞棱長(zhǎng)的倍。晶胞中Ni原子數(shù)目為8×+6×=4，晶胞相當(dāng)于含有4個(gè)Mg2NiH4，晶胞質(zhì)量為 g，設(shè)晶胞棱長(zhǎng)為a cm，則 g=ρ g·cm-3×(a cm)3，解得a=，故Mg2+和Ni原子的最短距離為× cm。(共53張PPT)
章末檢測(cè)試卷(三)
第3章　
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1.下列敘述正確的是
A.離子晶體都是化合物
B.共價(jià)晶體都是單質(zhì)
C.金屬在常溫下都以晶體形式存在
D.分子晶體在常溫下不可能為固態(tài)
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共價(jià)晶體可能是單質(zhì)(如金剛石等)，也可能是化合物(如SiO2、SiC等)，B錯(cuò)誤；
大多金屬在常溫下以晶體形式存在，但金屬汞呈液態(tài)，C錯(cuò)誤；
分子晶體在常溫下可能是氣態(tài)、液態(tài)或固態(tài)，如 H2、H2O、I2 等，D錯(cuò)誤。
2.下列關(guān)于物質(zhì)特殊聚集狀態(tài)的敘述錯(cuò)誤的是
A.在電場(chǎng)存在的情況下，液晶分子沿著電場(chǎng)方向有序排列
B.非晶體的內(nèi)部原子或分子的排列雜亂無章
C.液晶最重要的用途是制造液晶顯示器
D.由納米粒子構(gòu)成的納米陶瓷有極高的硬度，但低溫下不具有優(yōu)良的延
展性
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納米粒子構(gòu)成的納米陶瓷在低溫下具有良好的延展性。
3.下列事實(shí)不能直接從原子結(jié)構(gòu)角度解釋的是
A.化合物ICl中I為+1價(jià)
B.第一電離能：B>Al
C.沸點(diǎn)：CS2>CO2
D.熱穩(wěn)定性：NH3>PH3
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氯原子半徑小，得電子能力強(qiáng)，故氯顯負(fù)價(jià)，碘顯正價(jià)，能從原子結(jié)構(gòu)角度解釋，故A不符合題意；
原子半徑越大，失電子能力越強(qiáng)，Al的半徑大于B，第一電離能小，故第一電離能：B>Al，能從原子結(jié)構(gòu)角度解釋，故B不符合題意；
分子結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，CS2的相對(duì)分子質(zhì)量大于CO2，故沸點(diǎn)：CS2>CO2，不能從原子結(jié)構(gòu)角度解釋，故C符合題意；
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原子半徑越大鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)，越不穩(wěn)定，原子半徑：P>N，故熱穩(wěn)定性：NH3>PH3，能從原子結(jié)構(gòu)角度解釋，故D不符合題意。
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4.(2024·山東威海質(zhì)檢)三聚氰胺是一種有機(jī)合成劑和分析劑，結(jié)構(gòu)中含大π鍵。下列說法錯(cuò)誤的是
A.晶體類型為分子晶體
B.1 mol該分子中存在15 mol σ鍵
C.分子中所有化學(xué)鍵均為極性鍵
D.六元環(huán)上的N原子提供孤電子對(duì)形成大π鍵
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三聚氰胺中原子間的化學(xué)鍵只有共價(jià)鍵，其晶體的構(gòu)成
粒子為分子，晶體類型為分子晶體，A項(xiàng)正確；
1個(gè)三聚氰胺分子中含6個(gè)N—H σ鍵、9個(gè)碳氮σ鍵，1 mol
該分子中存在15 mol σ鍵，B項(xiàng)正確；
該分子中存在N—H極性鍵和碳氮極性鍵，所有化學(xué)鍵均為極性鍵，C項(xiàng)正確；
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N原子的價(jià)電子排布式為2s22p3，該分子中—NH2中N原
子采取sp3雜化，六元環(huán)上的N原子采取sp2雜化，六元環(huán)
上的每個(gè)N原子通過2個(gè)雜化軌道與2個(gè)碳原子形成碳氮
σ鍵、每個(gè)N上剩余的1個(gè)雜化軌道容納1對(duì)孤電子對(duì)，六元環(huán)上的N原子未參與雜化的p軌道上的1個(gè)電子形成大π鍵，孤電子對(duì)不形成大π鍵，D項(xiàng)錯(cuò)誤。
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5.(2023·廣東檢測(cè))某種具有許多優(yōu)良特性的離子液體如圖所示，下列說法不正確的是
A.該離子液體不具備與水分子形成氫鍵的條件
B.該晶體屬于離子晶體
C.基態(tài)B原子的價(jià)電子排布為2s22p1
D.電負(fù)性大小順序?yàn)镹>C>B
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中含有非金屬性強(qiáng)、原子半徑小的氮
原子，且有個(gè)N上有孤電子對(duì)，能與水分子形
成氫鍵，故A錯(cuò)誤；
B是5號(hào)元素，B元素的基態(tài)原子核外電子排布
為1s22s22p1，價(jià)電子排布為2s22p1，C正確；
同周期元素從左至右，電負(fù)性逐漸增大，故電負(fù)性：N>C>B，D正確。
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6.有關(guān)晶體或分子的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法不正確的是
A.在NaCl晶胞中，距Na+最近的Cl-形成正
八面體
B.在CaF2晶胞中，每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)
Ca2+
C.在金剛石晶體中，碳原子與碳碳鍵的個(gè)
數(shù)之比為1∶2
D.由E原子和F原子構(gòu)成的氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為EF或FE
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B項(xiàng)正確，CaF2晶胞中，Ca2+占據(jù)8個(gè)頂
點(diǎn)和6個(gè)面心，故CaF2晶胞中所含Ca2+的
個(gè)數(shù)為8×+6×=4；
C項(xiàng)正確，金剛石晶體中，每個(gè)C原子與
相鄰的4個(gè)C原子通過碳碳鍵相連，而每個(gè)
碳碳鍵為2個(gè)碳原子共用，C原子與C—C
鍵的個(gè)數(shù)之比為1∶2；D項(xiàng)錯(cuò)誤，
由于該分子是氣態(tài)團(tuán)簇分子，其分子式應(yīng)為E4F4或F4E4。
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7.根據(jù)下表幾種物質(zhì)的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)數(shù)據(jù)，判斷下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是
注：AlCl3熔點(diǎn)在2.02
×105 Pa條件下測(cè)定。
A.SiCl4是分子晶體
B.單質(zhì)B是共價(jià)晶體
C.AlCl3加熱能升華
D.KCl晶體中晶格能比NaCl晶體中的大
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NaCl KCl AlCl3 SiCl4 單質(zhì)B
熔點(diǎn)/℃ 801 714 190 -70 2 300
沸點(diǎn)/℃ 1 465 1 420 178 57.6 2 500
根據(jù)表中數(shù)據(jù)進(jìn)行
分析，NaCl的熔、
沸點(diǎn)均比KCl的高，
所以NaCl晶體中的
晶格能比KCl晶體中的大，D項(xiàng)錯(cuò)誤。
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NaCl KCl AlCl3 SiCl4 單質(zhì)B
熔點(diǎn)/℃ 801 714 190 -70 2 300
沸點(diǎn)/℃ 1 465 1 420 178 57.6 2 500
8.磷錫青銅合金廣泛用于儀器儀表中的耐磨零件和抗磁元件等。其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知晶胞參數(shù)為a pm，下列說法不正確的是
A.磷錫青銅的化學(xué)式為Cu3SnP
B.該晶胞中與Cu等距離且最近的Cu有4個(gè)
C.三種元素Cu、Sn、P在元素周期表中分別處于ds區(qū)、
p區(qū)、p區(qū)
D.Sn和P原子間的最短距離為a pm
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根據(jù)“切割法”計(jì)算得到晶胞中原子個(gè)數(shù)分別為P：
1個(gè)，Sn：8×=1，Cu：6×=3，則磷錫青銅的化
學(xué)式為Cu3SnP，故A正確；
以面心的銅分析，該晶胞中與Cu等距離且最近的Cu有8個(gè)，故B錯(cuò)誤；三種元素Cu、Sn、P的價(jià)電子分別為3d104s1、5s25p2、3s23p3，則三種元素在元素周期表中分別處于ds區(qū)、p區(qū)、p區(qū)，故C正確；
Sn和P原子間的最短距離為體對(duì)角線的一半即a pm，故D正確。
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9.下列推論正確的是
A.SiH4的沸點(diǎn)高于CH4，可推測(cè)PH3的沸點(diǎn)高于NH3
B.N為正四面體形結(jié)構(gòu)，可推測(cè)出P也為正四面體形結(jié)構(gòu)
C.CO2晶體是分子晶體，可推測(cè)SiO2晶體也是分子晶體
D.C2H6是碳鏈為直線形的非極性分子，可推測(cè)C3H8也是碳鏈為直線形的
非極性分子
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由于NH3分子間存在氫鍵，沸點(diǎn)反常，大于PH3分子，A錯(cuò)；
N、P是同主族元素，形成的N和P結(jié)構(gòu)相似，都是正四面體形，B正確；
CO2是分子晶體，SiO2是共價(jià)晶體，C錯(cuò)；
C2H6中兩個(gè)—CH3對(duì)稱，是非極性分子，而C3H8是折線形結(jié)構(gòu)，中間碳原子上極性不能互消，為極性分子，D錯(cuò)。
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10.(2024·湖北，11)黃金按質(zhì)量分?jǐn)?shù)分級(jí)，純金為24K。Au-Cu合金的三種晶胞結(jié)構(gòu)如圖，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列說法錯(cuò)誤的是
A.Ⅰ為18K金
B.Ⅱ中Au的配位數(shù)是12
C.Ⅲ中最小核間距Au-CuD.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中，Au與Cu原子個(gè)
數(shù)比依次為1∶1、1∶3、3∶1
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由24K金的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為100%，則
18K金的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為×100%=
75%，Ⅰ中Au和Cu原子個(gè)數(shù)比值
為1∶1，則Au的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為×100%≈75%，A正確；
Ⅱ中Au處于立方體的八個(gè)頂角，則Au的配位數(shù)為12，B正確；
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設(shè)Ⅲ的晶胞參數(shù)為a，Au-Cu的
核間距為a，Au-Au的最小核
間距也為 a，最小核間距Au-Cu=Au-Au，C錯(cuò)誤；
Ⅰ中，Au處于內(nèi)部，Cu處于晶胞的八個(gè)頂角，其原子個(gè)數(shù)比為1∶1，Ⅱ中，Au處于立方體的八個(gè)頂角，Cu 處于面心，其原子個(gè)數(shù)比為(8×
)∶(6×)=1∶3，Ⅲ中，Au處于立方體的面心，Cu處于頂角，其原子個(gè)數(shù)比為(6×)∶(8×)=3∶1，D正確。
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11.已知金屬鈉和氦可形成化合物，該化合物晶胞如圖所示，其結(jié)構(gòu)中Na+按簡(jiǎn)單立方分布，形成Na8立方體空隙，電子對(duì)(2e-)和氦原子交替分布填充在小立方體的中心。下列說法錯(cuò)誤的是
A.該晶胞中的Na+數(shù)為8
B.該化合物的化學(xué)式為［Na+］2He［e2］2-
C.若將氦原子放在晶胞頂點(diǎn)，則所有電子對(duì)(2e-)
在晶胞的體心
D.該晶胞中與Na+最近的He原子數(shù)目為4
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該晶胞中Na+的數(shù)目為6×+12×+8×+1=8，A項(xiàng)正確；
晶胞中的電子對(duì)(2e-)和氦原子交替分布填充在小立方體
的中心，不均攤，可知晶胞中有4對(duì)電子對(duì)、4個(gè)He原
子、8個(gè)Na+，則Na+、He、電子對(duì)數(shù)之比為8∶4∶4=2∶
1∶1，故化學(xué)式為［Na+］2He［e2］2-，B項(xiàng)正確；
若將氦原子放在晶胞頂點(diǎn)，則電子對(duì)(2e-)在晶胞的體心、棱心，C項(xiàng)錯(cuò)誤；
該晶胞中與Na+最近的He原子數(shù)目為4，D項(xiàng)正確。
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12.(2023·廣東茂名期中)銠的配合物離子［Rh(CO)2I2］-可催化甲醇羰基化，反應(yīng)過程如圖所示。
下列敘述不正確的是
A.催化循環(huán)中Rh的配位數(shù)有3種
B.［Rh(CO)2I2］-中Rh的化合價(jià)為+1價(jià)
C.H2O和CH3I的空間結(jié)構(gòu)相同
D.甲醇羰基化反應(yīng)為CH3OH+CO===CH3CO2H
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13.Al2O3在一定條件下可轉(zhuǎn)化為硬度、熔點(diǎn)都很高的氮化鋁晶體，氮化鋁的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法正確的是
A.氮化鋁屬于分子晶體
B.氮化鋁可用于制造切割金屬的刀具
C.1個(gè)氮化鋁晶胞中含有9個(gè)Al原子
D.氮化鋁晶體中Al的配位數(shù)為2
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根據(jù)氮化鋁晶體的性質(zhì)，可知它屬于共價(jià)晶體，能用于
制造切割金屬的刀具，A錯(cuò)誤、B正確；
根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，1個(gè)氮化鋁晶胞中含有鋁原子的數(shù)目
為8×+1=2，C錯(cuò)誤；
觀察晶胞結(jié)構(gòu)可得氮化鋁晶體中Al的配位數(shù)為4，D錯(cuò)誤。
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14.科學(xué)家合成出了一種新化合物，其中W、X、Y、Z為同一短周期元素，Z核外最外層電子數(shù)是X核外電子數(shù)的一半。下列說法正確的是
A.元素非金屬性強(qiáng)弱的順序?yàn)閄>Y>Z
B.W、Z對(duì)應(yīng)的簡(jiǎn)單離子半徑：WC.元素Z、X、W的單質(zhì)晶體熔點(diǎn)依次升高
D.該新化合物中Y不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
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由題給信息可知，W、X、Y、Z分別為Na、Si、
P、Cl元素。元素非金屬性強(qiáng)弱的順序?yàn)镾iCl，A錯(cuò)誤；
Na+有2個(gè)電子層，Cl-有3個(gè)電子層，W、Z對(duì)應(yīng)的簡(jiǎn)單離子半徑：r(Na+)元素Z、X、W的單質(zhì)分別為Cl2、Si、Na，分別屬于分子晶體、共價(jià)晶體、金屬晶體，Si的熔點(diǎn)最高，氯氣的熔點(diǎn)最低，C錯(cuò)誤；
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2個(gè)硅原子和1個(gè)P原子形成2個(gè)共價(jià)鍵，陰離子得到1個(gè)電子，所以該化合物中磷原子最外層達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，D錯(cuò)誤。
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15.砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，熔點(diǎn)1 238 ℃。它在600 ℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)如圖。下列說法正確的是
A.砷化鎵是一種分子晶體
B.砷化鎵中不存在配位鍵
C.晶胞中Ga原子與As原子的數(shù)量比為4∶1
D.晶胞中Ga原子與周圍等距且最近的As原
子形成的空間結(jié)構(gòu)為正四面體
√
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根據(jù)砷化鎵熔點(diǎn)數(shù)據(jù)和晶胞結(jié)構(gòu)(空間網(wǎng)狀)可知砷化
鎵為共價(jià)晶體，A錯(cuò)誤；
Ga最外層有3個(gè)電子，每個(gè)Ga與4個(gè)As成鍵，所以砷
化鎵必有配位鍵，B錯(cuò)誤；
晶胞中Ga位于頂點(diǎn)和面心，則數(shù)目為8×+6×=4，
As位于晶胞內(nèi)，數(shù)目為4，所以晶胞中Ga原子與As原子的數(shù)目之比為1∶1，C錯(cuò)誤。
16.Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知：
①Z的原子序數(shù)為29，其余的均為短周期主族元素；
②Y原子價(jià)電子排布為msnmpn；
③R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)；
④Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4。
請(qǐng)回答下列問題：
(1)Z2+的核外電子排布式是　　　　 　，Z單質(zhì)的晶體是　 　晶體。
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1s22s22p63s23p63d9(或［Ar］3d9)
金屬
Z的原子序數(shù)為29，則Z為Cu，結(jié)合②③④分析可知Q、R、X、Y分別為C、N、O、Si。
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(2)在［Z(NH3)4］2+中，Z2+的空軌道接受NH3分子提供的　 　　　形成配位鍵。
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孤電子對(duì)
NH3分子中N原子最外層有孤電子對(duì)，故NH3常與一些陽離子形成配位鍵。
(3)Q、Y形成的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙，下列判斷正確的是____(填字母)。
a.穩(wěn)定性：甲>乙，沸點(diǎn)：甲>乙
b.穩(wěn)定性：甲>乙，沸點(diǎn)：甲<乙
c.穩(wěn)定性：甲<乙，沸點(diǎn)：甲<乙
d.穩(wěn)定性：甲<乙，沸點(diǎn)：甲>乙
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b
Q、Y的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為CH4和SiH4，穩(wěn)定性：CH4>SiH4，但由于SiH4的相對(duì)分子質(zhì)量大于CH4的，故沸點(diǎn)：CH4(4)Q的一種氫化物相對(duì)分子質(zhì)量為26，其分子中σ鍵與π鍵的鍵數(shù)之比為　　　。
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3∶2
Q的相對(duì)分子質(zhì)量為26的氫化物為乙炔(CH≡CH)，分子中有3個(gè)σ鍵、2個(gè)π鍵。
(5)五種元素中，電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的晶體屬于
　　 　　(填晶體類型)。
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共價(jià)晶體
SiO2是共價(jià)晶體。
17.氮、氧、磷、砷及其化合物在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)等方面有著重要應(yīng)用。請(qǐng)按要求回答下列問題。
(1)基態(tài)砷原子價(jià)電子軌道表示式不能寫為 ，是因?yàn)樵撆挪挤绞竭`背了　　　　　這一原理。
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洪特規(guī)則
電子在能量相同的軌道上排布時(shí)，總是先單獨(dú)分占且自旋狀態(tài)相同，該排布方式違背了洪特規(guī)則。
(2)元素第一電離能：N　 (填“>”“<”或“=”，下同)O，電負(fù)性：
P　 As。
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>
>
N元素p軌道為半充滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以第一電離能：N>O；同主族元素從上到下，電負(fù)性逐漸減小，所以電負(fù)性：P>As。
(3)肼(N2H4)可用作火箭燃料等，它的沸點(diǎn)遠(yuǎn)高于乙烯的原因是_________
　　　　　　　 　　。
存在氫鍵，乙烯分子間無氫鍵
肼分子間
(4)尿素( )中碳原子雜化類型為　 　；的空間結(jié)構(gòu)為
　　 。
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sp2
角形
尿素中C原子上沒有孤電子對(duì)，形成3個(gè)σ鍵，所以尿素分子中碳原子
的雜化方式為sp2雜化；N中孤電子對(duì)數(shù)為=1，價(jià)電子對(duì)數(shù)為
2+1=3，故N的空間結(jié)構(gòu)為角形。
(5)GaAs的熔點(diǎn)為1 238 ℃，可作半導(dǎo)體材料；而GaCl3的熔點(diǎn)為77.9 ℃。
①預(yù)測(cè)GaCl3的晶體類型為　　　　　。
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分子晶體
GaCl3的熔點(diǎn)較低，應(yīng)為分子晶體。
②GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞邊長(zhǎng)為a pm。則晶胞中每個(gè)Ga原子周圍有　　 個(gè)緊鄰等距的As原子；該晶
體的密度為　　　　 　g·cm-3(列出計(jì)算式)。
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4
　
由晶胞結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)Ga原子周圍有4個(gè)緊鄰等距離的As原子；晶胞
中含有As原子的個(gè)數(shù)為4，含有Ga原子的個(gè)數(shù)為×8+×6=4，
晶胞體積為V=(a pm)3=(a×10-10cm)3=a3×10-30cm3 ，
則晶胞密度為ρ== g·cm-3。
18.早期發(fā)現(xiàn)的一種天然二十面體準(zhǔn)晶顆粒由Al、Cu、Fe三種金屬元素組成。回答下列問題：
(1)基態(tài)Fe原子有　 　個(gè)未成對(duì)電子，基態(tài)Fe3+的電子排布式為
　　　　　　 。可用硫氰化鉀檢驗(yàn)Fe3+，形成的配合物的顏色為　　　　。
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1s22s22p63s23p63d5(或［Ar］3d5)
紅色
(2)新制備的Cu(OH)2可將乙醛(CH3CHO)氧化為乙酸，而自身被還原成Cu2O。乙醛中碳原子的雜化軌道類型為　　　　，1 mol乙醛分子中含有的σ鍵的數(shù)目為　 　。乙酸的沸點(diǎn)明顯高于乙醛，其主要原因是
　　　　　　　　　　　　。Cu2O為半導(dǎo)體材料，在其立方晶胞內(nèi)部有4個(gè)氧原子，其余氧原子位于所有的面心和頂角，則該晶胞中有　 　個(gè)銅原子。
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sp3、sp2
6NA
CH3COOH存在分子間氫鍵
16
由于1個(gè)乙醛分子中含4個(gè)C—H鍵、1個(gè)C—C鍵、1個(gè)C==O鍵，共有6個(gè)σ鍵，故1 mol乙醛分子中含有6NA個(gè)σ鍵。根據(jù)切割法計(jì)算，一個(gè)晶
胞中含有的氧原子數(shù)為4+6×+8×=8，再結(jié)合化學(xué)式Cu2O知一個(gè)晶
胞中含有16個(gè)銅原子。
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(3)Al單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞(如圖)參數(shù)a=0.405 nm，
晶胞中鋁原子的配位數(shù)為　　。列式表示Al單質(zhì)的密度為
　　　 　 g·cm-3(不必計(jì)算出結(jié)果，設(shè)NA為阿伏加
德羅常數(shù)的值)。
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一個(gè)鋁晶胞中含有的鋁原子數(shù)為6×+8×=4，一個(gè)晶胞的質(zhì)量為×
27 g，再利用密度與質(zhì)量、晶胞參數(shù)a的關(guān)系即可求出密度，計(jì)算中要注意1 nm=10-7 cm。
19.Mg、Ni、Cu、Zn等元素在生產(chǎn)、生活中有著廣泛的應(yīng)用，回答下列問題：
(1)Mg、Ni、Cu等金屬可能形成金屬互化物。金屬互化物的結(jié)構(gòu)類型豐富多樣，確定某種金屬互化物是晶體還是非晶體可通過_______________
測(cè)定。
(2)根據(jù)Cu、Zn的原子結(jié)構(gòu)比較第一電離能：I1(Cu)　　(填“大于”“等于”或“小于”)I1(Zn)，理由是___________________________________
_________________________________________________________。
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X射線衍射實(shí)驗(yàn)
小于
Zn原子軌道中電子處于全充滿狀態(tài)，較難失電子，而Cu失去一個(gè)電子后內(nèi)層電子達(dá)到全充滿穩(wěn)定狀態(tài)
(3)鎳基合金儲(chǔ)氫的研究已取得很大進(jìn)展。
①圖甲是一種鎳基合金儲(chǔ)氫后的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖。
該合金儲(chǔ)氫后，H2與Ni的物質(zhì)的量之比為　　　。
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3∶5
晶胞中H2分子數(shù)目為2×+8×=3，Ni原子數(shù)目為1+8×=5，二者物質(zhì)的量之比為3∶5。
②Mg2NiH4是一種儲(chǔ)氫的金屬氫化物。在Mg2NiH4晶胞(如
圖乙所示)中，Ni原子占據(jù)頂點(diǎn)和面心，Mg2+處于八個(gè)小立
方體的體心。Mg2+位于Ni原子形成的　　　 　(填“八
面體空隙”或“四面體空隙”)中。晶體的密度為ρ g·cm-3，
NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，Mg2+和Ni原子的最短距離為
　　　 　cm(用含ρ和NA的代數(shù)式表示)。
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四面體空隙
×
圖乙所示晶胞中，Ni原子占據(jù)頂點(diǎn)和面心，Mg2+處于八個(gè)
小立方體的體心，頂點(diǎn)Ni原子與面心Ni原子形成正四面體，
即Mg2+位于Ni原子形成的四面體空隙中。頂點(diǎn)Ni原子與四
面體體心的Mg2+距離最短，二者連線處于晶胞體對(duì)角線上，
且二者距離等于體對(duì)角線長(zhǎng)度的晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度等于晶胞棱長(zhǎng)的倍。晶胞中Ni原子數(shù)目為8×+6×=4，晶胞相當(dāng)于含有4個(gè)Mg2NiH4，晶胞質(zhì)量為 g，設(shè)晶胞棱長(zhǎng)為a cm，
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則 g=ρ g·cm-3×(a cm)3，
解得a=，
故Mg2+和Ni原子的最短距離為× cm。
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