資源簡介

模塊綜合試卷　［滿分：100分］
（滿分：100分）
一、選擇題（本題共16小題，每小題3分，共48分。每小題只有一個選項符合題意）
1.下列說法正確的是 （　　）
A.任何一個電子層最多只有s、p、d、f四個能級
B.用n表示電子層數(shù)，則每一電子層最多可容納的電子數(shù)為2n2
C.核外電子運動的概率分布圖就是原子軌道
D.電子的運動狀態(tài)可從電子層、能級、原子軌道三個方面進行描述
2.（2024·吉林，2）下列化學(xué)用語或表述正確的是 （　　）
A.中子數(shù)為1的氦核素:
B.SiO2的晶體類型：分子晶體
C.F2的共價鍵類型：p p σ鍵
D.PCl3的空間結(jié)構(gòu)：平面三角形
3.（2023·重慶巴蜀中學(xué)高二期末）下列說法錯誤的是 （　　）
A.同種原子間形成的共價鍵鍵長遵循：三鍵<雙鍵<單鍵
B.H2O、H2S、H2Se分子中的鍵能依次減小
C.兩個p軌道只能形成π鍵，不能形成σ鍵
D.O原子的電子排布式由1s22s22p4→1s22s22p33s1能吸收特定能量產(chǎn)生吸收光譜
4.下列關(guān)于原子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的敘述中，正確的是 （　　）
①2p、3p、4p能級的軌道數(shù)依次增多
②ds區(qū)全部是金屬元素
③在一個原子軌道中最多能容納2個電子且自旋狀態(tài)不同，稱為洪特規(guī)則
④Be和Al在化學(xué)性質(zhì)上具有一定的相似性
⑤中的σ鍵與π鍵個數(shù)比為1∶3
A.②④ B.①②④ C.②④⑤ D.③④⑤
5.下列說法錯誤的是 （　　）
A.周期表中第5周期有18種元素
B.①乙炔、②水、③甲醛、④氨四種分子中，鍵角由大到小的順序是①>③>④>②
C.第4周期未成對電子數(shù)最多的原子的空間運動狀態(tài)有15種
D.兩元素的基態(tài)原子的最外層電子排布分別為3s2、4s2，則一定為同一族元素
6.（2023·遼寧遼陽高二期末）下列說法錯誤的是 （　　）
A.σ鍵的電子云重疊程度比π鍵大，穩(wěn)定性強
B.N與3個H結(jié)合形成NH3分子，體現(xiàn)了共價鍵的飽和性
C.第3周期主族元素中第一電離能介于Mg和P之間的有3種
D.短周期主族元素中位于s區(qū)的有5種
7.（2023·河北唐山二中高二期末）下列說法正確的是 （　　）
A.元素第一電離能：NB.鍵角：BeCl2>CCl4>NH3
C.CO2和H2O2均為非極性分子
D.SiO2熔化和干冰升華克服的作用力相同
8.（2024·山東日照高二期末）下列說法正確的是 （　　）
A.鍵角：H2O>H3O+
B.XeF2的價電子對數(shù)為3
C.不同狀態(tài)的鎂中電離最外層一個電子所需能量
D.SnCl2的價層電子對互斥模型和空間結(jié)構(gòu)相同
9.（2023·煙臺高二期末）NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是 （　　）
A.0.2 mol中含有的σ鍵數(shù)目為0.8NA
B.3.0 g SiO2晶體中含有的Si—O鍵數(shù)目為0.2NA
C.2.3 g CH3OCH3中sp3雜化的原子數(shù)目為0.1NA
D.1 mol ［CoCl2］Cl中含有的配位鍵數(shù)目為4NA
10.結(jié)合下表中數(shù)據(jù)，判斷下列說法不正確的是（氫鍵鍵長定義為X—H…Y的長度） （　　）
微粒間作用 鍵能/（kJ·mol-1） 鍵長/pm
SiO2中Si—O 452 162
Si中Si—Si 222 235
H2O中O—H 463 96
H2O間O—H…O 18.8 276
C2H5OH間O—H…O 25.9 266
A.依據(jù)鍵長：Si—Si>Si—O，推測原子半徑：Si>O
B.依據(jù)鍵能：O—H>Si—O，推測沸點：H2O>SiO2
C.依據(jù)鍵長，推測水分子間O…H距離大于分子內(nèi)O—H鍵長
D.依據(jù)氫鍵鍵能及沸點，推測等物質(zhì)的量的水或乙醇中，水中氫鍵數(shù)目多
11.（2024·西安高二期末）四氮唑（）和呋喃（）都是典型芳香雜環(huán)有機物，均含有大π鍵。下列有關(guān)說法錯誤的是 （　　）
A.四氮唑在乙醇中溶解度小于在CCl4中的溶解度
B.四氮唑中N原子和呋喃中O原子均采用sp2雜化
C.鍵角：∠1>∠2
D.四氮唑與呋喃中含σ鍵數(shù)目之比為7∶9
12.（2023·四川遂寧中學(xué)高二期末）下列說法不正確的是 （　　）
①原子光譜的特征譜線用于鑒定元素，從1s22s22p33s1躍遷至1s22s22p4時釋放能量
②第2周期元素中，第一電離能介于B、N之間的有1種元素
③NH3、H2S、SO2三種分子的鍵角依次減小
④萘（）和碘易溶于四氯化碳，難溶于水，因為萘、碘、四氯化碳都是非極性分子
⑤I3AsF6晶體中存在，的空間結(jié)構(gòu)為V形
⑥AsH3分子中的鍵角小于NH3中的鍵角
⑦配合物Fe（CO）n可用作催化劑，F(xiàn)e（CO）n內(nèi)中心原子外圍電子數(shù)與配體提供電子總數(shù)之和為18，則n=4
A.①②③ B.②④⑤
C.③⑤⑥⑦ D.②③⑦
13.（2024·青島高二期末）K2［Cu］可用于功能材料的制備。下列說法正確的是 （　　）
A.第2周期元素中，第一電離能大于氧的元素有2種
B.鉀晶體中1個K+只與1個自由電子存在強烈的相互作用
C.碳原子與氮原子形成的（CN）2屬于非極性分子
D.基態(tài)銅原子的4s電子能量較高，總是在比3s電子離核更遠的地方運動
14.（2023·福建福州二中高二期末）已知某紫色配合物的組成為CoCl3·5NH3·H2O，其水溶液顯弱酸性，加入強堿并加熱至沸騰有NH3放出，同時產(chǎn)生Co2O3沉淀；向一定量該配合物溶液中加過量AgNO3溶液，有AgCl沉淀生成，待沉淀完全后過濾，再加過量AgNO3溶液于濾液中，無明顯變化，但加熱至沸騰又有AgCl沉淀生成，且第二次沉淀量為第一次沉淀量的二分之一，則該配合物的化學(xué)式最可能為 （　　）
A.［CoCl］Cl2·H2O
B.［Co（H2O）］Cl3
C.［CoCl2（H2O）］Cl·2NH3
D.［CoCl2］Cl·NH3·H2O
15.（2023·煙臺高二期末）化學(xué)式為Ni（CN）x的籠形包合物基本結(jié)構(gòu)如圖所示（H原子未畫出）。Ni2+與CN-連接形成平面層，兩個平面層通過NH3分子連接，中間的空隙填充苯分子。下列說法正確的是 （　　）
A.x∶y∶z=2∶2∶1
B.該結(jié)構(gòu)不是晶胞結(jié)構(gòu)單位
C.結(jié)構(gòu)中N原子均參與形成配位鍵
D.所有的Ni2+配位數(shù)相同
16.（2023·石家莊期末）如圖所示化合物為某新型電池的電解質(zhì)，其中X、Y、Z、Q、R是原子序數(shù)依次增大的五種短周期主族元素。下列說法錯誤的是 （　　）
A.簡單氫化物的沸點：Z>Q>Y
B.簡單離子半徑：RC.第一電離能：RD.X和Q形成最簡單化合物的空間結(jié)構(gòu)為平面三角形
二、非選擇題（本題共5小題，共52分）
17.（10分）（2023·山東濟寧一中高二期末）鐵與鎂組成的合金是目前已發(fā)現(xiàn)的儲氫密度最高的儲氫材料之一，回答下列問題：
（1）下列鐵的外圍電子軌道表示式中，再失去一個電子需要能量最大的是　　　　（填字母）。
A.
B.
C.
D.
在第4周期過渡元素中，基態(tài)原子未成對電子數(shù)比鐵多的元素為　　　　（填元素符號）。
（2）甘氨酸亞鐵絡(luò)合物［（H2NCH2COO）2Fe］是一種新型的鐵營養(yǎng)強化劑，廣泛用于缺鐵性貧血的預(yù)防和治療。
①（H2NCH2COO）2Fe中碳原子的雜化類型為　　　　。
②甘氨酸H2NCH2COOH的沸點比相同相對分子質(zhì)量的烷烴的沸點大很多，原因是　　　　。
③原子中的電子有兩種相反的自旋狀態(tài)，若一種自旋狀態(tài)用+表示，與之相反的用-表示，稱為電子的自旋磁量子數(shù)。對于基態(tài)的氧原子，其外圍電子自旋磁量子數(shù)的代數(shù)和為　　　　。
④硫酸亞鐵（FeSO4）可用于制造甘氨酸亞鐵，的空間結(jié)構(gòu)為　　　　。
18.（10分）（2023·濟南高二期末）前4周期元素X、Y、Z、W、Q的原子序數(shù)依次增大，基態(tài)X原子核外電子占據(jù)3個軌道，基態(tài)Y原子核外電子占據(jù)3個能級且每個能級上電子數(shù)相等，基態(tài)Z原子s能級的電子總數(shù)比p能級的多1，基態(tài)W原子和基態(tài)Q原子中成對電子數(shù)均是未成對電子數(shù)的3倍。回答下列問題：
（1）基態(tài)Q原子核外電子排布式為　　　　　　，基態(tài)W原子核外電子的空間運動狀態(tài)有　　　　種。
（2）元素X、Y、Z的電負性由大到小的順序為　　　（填元素符號，下同），元素Y、Z、W中第一電離能最大的是　　　　。
（3）XCl3、ZCl3中，中心原子采用sp2雜化的是　　　　（填分子式）。
（4）手性分子具有旋光性，下列物質(zhì)中具有旋光性的是　　　　（填字母）。
A.乙醇（C2H5OH）
B.1，2 二氯丙烷（CH2ClCHClCH3）
C.乙酸（CH3COOH）
D.乳酸（CH3CHOHCOOH）
19.（8分）氧是地殼中含量最多的元素。
（1）氧元素基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)為　　　。
（2）H2O分子內(nèi)的O—H鍵、分子間的范德華力和氫鍵從強到弱依次為　　　　。
的沸點比高，原因是　　　 　　　　。
（3）H+可與H2O形成H3O+，H3O+中O原子采用　　　　　　雜化。
（4）CaO與NaCl的晶胞同為面心立方結(jié)構(gòu)，已知CaO晶體密度為a g·cm-3，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則CaO晶胞的體積為　　　　 cm3。
20.（12分）氮的相關(guān)化合物在材料等方面有重要用途。回答下列問題：
（1）基態(tài)N原子的核外電子排布式為　　　　，第一電離能：I1（N）　　　　　　（填“大于”或“小于”）I1（O）。
（2）N及其同族的P、As均可形成類似的氫化物，NH3、PH3、AsH3的沸點由高到低的順序為　　　（填化學(xué)式）。
（3）是一種全氮陽離子形成的高能物質(zhì)，其結(jié)構(gòu)如圖所示，其中N原子的雜化軌道類型為　　　　。
（4）含有多個配位原子的配體與同一中心離子（或原子）通過螯合配位成環(huán)而形成的配合物為螯合物。一種Ni2+與EDTA形成的螯合物的結(jié)構(gòu)如圖所示，1個該配合物中通過螯合作用形成的配位鍵有　　　　個，其中提供孤電子對的原子為　　　　（寫元素符號）。
（5）鈷的一種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：
①已知A點的原子坐標參數(shù)為（0，0，0），B點為（，0，），則C點的原子坐標參數(shù)為　　　　。
②已知晶胞參數(shù)a=0.55 pm，則該晶體的密度為　　　　g·cm-3（用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，只列出計算表達式即可。）
21.（12分）鎵（Ga）、鍺（Ge）、硅（Si）、硒（Se）的單質(zhì)及某些化合物如砷化鎵、磷化鎵等都是常用的半導(dǎo)體材料，應(yīng)用于航空航天測控、光纖通訊等領(lǐng)域。回答下列問題：
（1）科學(xué)家常利用　　　，區(qū)分晶體硅和無定形硅。
（2）硒常用作光敏材料，根據(jù)元素周期律，原子半徑：Ga　　　　As（填“>”或“<”，下同）。第一電離能：Ga　　　　As。與硒同周期的p區(qū)元素中第一電離能大于硒的元素有　　　　種；的空間結(jié)構(gòu)是　　　　。
（3）GaN、GaP、GaAs都是很好的半導(dǎo)體材料，熔點如表所示，分析其變化原因：　　　　。
物質(zhì) GaN GaP GaAs
熔點/℃ 1 700 1 480 1 238
（4）硒化鋅（ZnSe）也是一種重要的半導(dǎo)體材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，該晶胞中硒原子的配位數(shù)是　　　　；已知晶胞邊長為a pm，乙圖為甲圖的俯視圖，A點坐標為（0，0，0），B點坐標為（，a，），則D點坐標為　　　　　　；若該晶體密度為ρ g·cm-3，則阿伏加德羅常數(shù)的值NA=　　　　（只列出計算式）。
答案精析
1.B　［在多電子原子中，隨著電子層數(shù)的增大，能級逐漸增多，能級分為s、p、d、f等，A項錯誤；電子云就是用小點疏密來表示空間各電子出現(xiàn)概率大小的一種圖形，電子在原子核外的一個空間運動狀態(tài)稱為一個原子軌道，C項錯誤；電子的運動狀態(tài)可從電子層、能級、軌道、自旋狀態(tài)4個方面進行描述，D項錯誤。］
2.C　［ 中子數(shù)為1的He核素其質(zhì)量數(shù)為1+2=3，故應(yīng)表示為He，A錯誤；兩個F原子中2p軌道單電子相互重疊形成p p σ鍵，C正確；PCl3的中心原子價層電子對數(shù)為4，存在1個孤電子對，其VSEPR模型為四面體形，PCl3的空間結(jié)構(gòu)為三角錐形，D錯誤。］
3.C　［兩個p軌道能形成頭碰頭的σ鍵，也能形成肩并肩的π鍵，C錯誤。］
4.A　［2p、3p、4p能級的軌道數(shù)都是3，①不正確；依據(jù)泡利不相容原理，在一個原子軌道中最多能容納2個電子且自旋狀態(tài)不同，③不正確；中具有3個σ鍵和1個π鍵，則σ鍵與π鍵個數(shù)比為3∶1，⑤不正確。］
5.D　［①乙炔分子鍵角是180°，②水分子鍵角是104°30'，③甲醛分子鍵角約為120°，④氨分子鍵角是107°18'，則鍵角由大到小的順序是①>③>④>②，B正確；第4周期未成對電子數(shù)最多的原子是Cr，外圍電子排布式為3d54s1，原子核外電子空間運動狀態(tài)共有15種，C正確；兩元素的基態(tài)原子的最外層電子排布分別為3s2、4s2，3s2是Mg、4s2可能是Ca或Zn等，D錯誤。］
6.C　［同周期主族元素，第一電離能呈增大趨勢，但由于ns2處于全充滿，np3處于半充滿的穩(wěn)定狀態(tài)，存在反常現(xiàn)象，第一電離能：ⅡA族>ⅢA族，ⅤA族>ⅥA族，第3周期元素的第一電離能介于Mg和P之間的元素有Si、S，C錯誤。］
7.B　［同一周期主族元素第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢，但ⅡA族、ⅤA族元素第一電離能大于其相鄰元素，所以第一電離能：F>N>O，A錯誤；H2O2為極性分子，C錯誤；干冰為分子晶體，干冰升華克服的是分子間作用力，SiO2是共價晶體，SiO2熔化克服的是極性鍵，D錯誤。］
8.C　［H2O與H3O+中中心原子O都采用sp3雜化，H2O分子中心原子有2對孤電子對，H3O+的中心原子上的孤電子對數(shù)為1，故鍵角：H2O9.B　［單鍵均為σ鍵，雙鍵中含有1個σ鍵、1個π鍵；1分子中含有11個σ鍵，則0.2 mol 中含有的σ鍵數(shù)目為2.2NA，A錯誤；二氧化硅中1個硅原子形成4個硅氧鍵，3.0 g SiO2（為0.05 mol）晶體中含有的Si—O鍵數(shù)目為0.2NA，B正確；2.3 g CH3OCH3（為0.05 mol）中碳、氧均為sp3雜化，原子數(shù)目為0.15NA，C錯誤；1分子［CoCl2］Cl含有6個配位鍵，則1 mol ［CoCl2］Cl中含有的配位鍵數(shù)目為6NA，D錯誤。］
10.B 　［原子半徑越大，鍵長越長，A正確；水分子的沸點高與分子間氫鍵有關(guān)，且H2O為分子晶體，SiO2為共價晶體，沸點：H2OC2H5OH，說明水中氫鍵數(shù)目多，D正確。］
11.A　［四氮唑和乙醇為極性分子，而CCl4為非極性分子，所以四氮唑在乙醇中的溶解度大于在CCl4中的溶解度，A錯誤。］
12.D　［②同一周期元素，隨著原子序數(shù)變大，第一電離能呈增大的趨勢，Be的2s軌道為全充滿狀態(tài)，N的2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能大于同周期相鄰元素，則第2周期元素中，第一電離能介于B、N之間的有Be、C、O共3種元素，錯誤；③NH3、H2S中氮、硫均為sp3雜化，而NH3有1對孤電子對、H2S有2對孤電子對，SO2中硫為sp2雜化，有1對孤電子對，則鍵角：SO2>NH3>H2S，錯誤；⑦基態(tài)Fe原子外圍電子排布為3d64s2，配合物Fe（CO）n可用作催化劑，F(xiàn)e（CO）n內(nèi)中心原子外圍電子數(shù)與配體提供電子總數(shù)之和為18，則n==5，錯誤。］
13.C　［第2周期元素中，第一電離能大于氧的元素有N、F、Ne 3種，A錯誤；鉀晶體為金屬晶體，晶體中自由電子為整個晶體共有，不單獨屬于某個離子，B錯誤；碳原子與氮原子形成的（CN）2分子為直線形對稱分子，屬于非極性分子，C正確；基態(tài)銅原子的4s電子能量較高，但不一定總是在比3s電子離核更遠的地方運動，D錯誤。］
14.A　［向CoCl3·5NH3·H2O溶液中加過量AgNO3，有AgCl沉淀生成，說明外界離子有Cl-，過濾后再加AgNO3溶液于濾液中無變化，但加熱至沸騰又有AgCl沉淀生成，說明配體中含有Cl-，且其質(zhì)量為第一次沉淀量的二分之一，說明外界離子中的Cl-與配體Cl-之比為2∶1，選項中只有A符合。］
15.B　［根據(jù)“均攤法”，該結(jié)構(gòu)中CN-的個數(shù)為8×=2，NH3的個數(shù)為4×=1，C6H6的個數(shù)為1，則x∶y∶z=2∶1∶1，A錯誤；該結(jié)構(gòu)四條豎直的棱上并不相同，故不是晶胞結(jié)構(gòu)單位，B正確；結(jié)構(gòu)中CN-中C原子提供孤電子對，與鎳的空軌道形成配位鍵，CN-中氮沒有參與形成配位鍵，C錯誤；由圖可知，每個鎳離子與4個CN-形成配位鍵，但不是所有鎳離子都與NH3形成配位鍵，故不是所有的Ni2+配位數(shù)相同，D錯誤。］
16.B 　［X、Y、Z、Q、R是原子序數(shù)依次增大的五種短周期主族元素，每個Y形成4個共價鍵，每個Z形成2個共價鍵，每個Q形成1個共價鍵，則Y為C，Z為O元素，Q為F元素；X形成4個共價鍵，整體陰離子為-1價，則X為B，R原子序數(shù)較大，且形成+1價離子，則為Na。根據(jù)分析可知，X為B，Y為C，Z為O，Q為F，R為Na；水分子間、HF分子間都能形成氫鍵，沸點較高，常溫下水為液態(tài)，而HF為氣態(tài)，則簡單氫化物的沸點：Z（H2O）>Q（HF）>Y（CH4），故A正確；電子層結(jié)構(gòu)相同的離子，核電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則簡單離子半徑：R17.（1）D　Cr、Mn　（2）①sp2、sp3
②H2NCH2COOH分子間能形成氫鍵
③+1或-1　④正四面體形
解析　（1）A表示基態(tài)Fe原子，B表示Fe2+，C表示Fe+，D表示Fe3+，F(xiàn)e3+的3d軌道有5個電子，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，難失電子，所以再失去一個電子需要能量最大的是D；基態(tài)鐵原子未成對電子數(shù)是4、Cr原子未成對電子數(shù)是6、Mn原子未成對電子數(shù)是5，在第4周期過渡元素中，基態(tài)原子未成對電子數(shù)比鐵多的元素為Cr、Mn。（2）③基態(tài)O原子外圍電子軌道表示式為，則對于基態(tài)氧原子，其外圍電子自旋磁量子數(shù)的代數(shù)和為++（+）=+1或者為-+（-）=-1。④中S原子的價電子對數(shù)是4，無孤電子對，所以空間結(jié)構(gòu)為正四面體形。
18.（1）1s22s22p63s23p63d54s1（或［Ar］3d54s1）　5
（2）N>C>B　N　（3）BCl3　（4）BD
解析　根據(jù)題意可得X為B ，Y為C，Z為N，W為O，Q為Cr。（1）基態(tài) Cr 原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1，基態(tài) O 原子核外電子排布式為1s22s22p4，空間運動狀態(tài)種數(shù)即有電子排布的軌道數(shù)量，有1+1+3=5種。（3）BCl3的價電子對數(shù)：=3，為 sp2 雜化，NCl3的價電子對數(shù)：=4，為 sp3 雜化。（4）A、C都沒有手性碳原子，B中CH2ClCHClCH3的2號C為手性碳原子，D中CH3CHOHCOOH的2號C為手性碳原子，是手性分子，具有旋光性，故選B、D。
19.（1）2　（2）O—H鍵、氫鍵、范德華力　形成分子內(nèi)氫鍵，而形成分子間氫鍵，分子間氫鍵使分子間作用力增大　（3）sp3　（4）
解析　（1）氧元素基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p4，2p軌道上有2個未成對電子。（4）以1個晶胞為研究對象，1個晶胞中含有4個Ca2+、4個O2-，則 g=a g·cm-3 ×V，V= cm3。
20.（1）1s22s22p3　大于　（2）NH3>AsH3>PH3
（3）sp、sp2　（4）6　N、O　（5）①（，，）
②
解析　（2）NH3、AsH3、PH3組成和結(jié)構(gòu)類似，NH3能形成分子間氫鍵，PH3和AsH3不能形成分子間氫鍵，相對分子質(zhì)量：PH3AsH3>PH3。（3）如圖所示，右下角形成的N原子和左側(cè)形成NNN的N原子的價電子對數(shù)為2，為sp雜化，最上方的N原子的價電子對數(shù)為3，為sp2雜化。（4）1個該配合物中通過螯合作用形成的配位鍵有6個，其中提供孤電子對的原子為N、O。（5）①C點在晶胞體心上，距離x、y、z軸都是，則C點的原子坐標參數(shù)為（，，）。②已知晶胞參數(shù)a=0.55 pm，則晶胞體積為（0.55×10-10 cm）3，該晶胞中Ti4+個數(shù)為8×=1、Co2+個數(shù)為1、O2-個數(shù)為6×=3，該晶體的密度為 g·cm-3。
21.（1）X射線衍射實驗　（2）>　<　3　三角錐形　（3）GaN、GaP、GaAs均為共價晶體，晶體中共價鍵Ga—N、Ga—P、Ga—As的鍵長依次增大、鍵能依次減小，則共價鍵依次減弱，所以GaN、GaP、GaAs的熔點逐漸降低　（4）4　（，，）　　
解析　（2）同周期元素，從左到右原子半徑依次減小，元素的第一電離能呈增大趨勢，鎵原子的原子半徑大于砷原子，鎵元素的第一電離能小于砷元素；砷原子的4p軌道為穩(wěn)定的半充滿結(jié)構(gòu)，元素的第一電離能大于相鄰元素，則砷元素的第一電離能大于硒元素，所以與硒同周期的p區(qū)元素中第一電離能大于硒的元素有砷元素、溴元素、氪元素，共有3種；中硒原子的價電子對數(shù)為4、孤電子對數(shù)為1，空間結(jié)構(gòu)為三角錐形。（4）由圖可知，位于頂點的A點坐標為（0，0，0）、位于面心B點坐標為（，a，），則位于體對角線處的D點坐標為（，，）；晶胞中位于頂點和面心的硒原子個數(shù)為8×+6×=4，位于體內(nèi)的鋅原子個數(shù)為4，由晶胞的質(zhì)量公式可得：=（a×10—10）3ρ，解得NA=。(共62張PPT)
模塊綜合試卷
1.下列說法正確的是
A.任何一個電子層最多只有s、p、d、f四個能級
B.用n表示電子層數(shù)，則每一電子層最多可容納的電子數(shù)為2n2
C.核外電子運動的概率分布圖就是原子軌道
D.電子的運動狀態(tài)可從電子層、能級、原子軌道三個方面進行描述
√
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在多電子原子中，隨著電子層數(shù)的增大，能級逐漸增多，能級分為s、p、d、f等，A項錯誤；
電子云就是用小點疏密來表示空間各電子出現(xiàn)概率大小的一種圖形，電子在原子核外的一個空間運動狀態(tài)稱為一個原子軌道，C項錯誤；
電子的運動狀態(tài)可從電子層、能級、軌道、自旋狀態(tài)4個方面進行描述，D項錯誤。
2.(2024·吉林，2)下列化學(xué)用語或表述正確的是
A.中子數(shù)為1的氦核素:
B.SiO2的晶體類型：分子晶體
C.F2的共價鍵類型：p p σ鍵
D.PCl3的空間結(jié)構(gòu)：平面三角形
√
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中子數(shù)為1的He核素其質(zhì)量數(shù)為1+2=3，故應(yīng)表示為He，A錯誤；
兩個F原子中2p軌道單電子相互重疊形成p p σ鍵，C正確；
PCl3的中心原子價層電子對數(shù)為4，存在1個孤電子對，其VSEPR模型為四面體形，PCl3的空間結(jié)構(gòu)為三角錐形，D錯誤。
3.(2023·重慶巴蜀中學(xué)高二期末)下列說法錯誤的是
A.同種原子間形成的共價鍵鍵長遵循：三鍵<雙鍵<單鍵
B.H2O、H2S、H2Se分子中的鍵能依次減小
C.兩個p軌道只能形成π鍵，不能形成σ鍵
D.O原子的電子排布式由1s22s22p4→1s22s22p33s1能吸收特定能量產(chǎn)生吸
收光譜
√
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兩個p軌道能形成頭碰頭的σ鍵，也能形成肩并肩的π鍵，C錯誤。
4.下列關(guān)于原子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的敘述中，正確的是
①2p、3p、4p能級的軌道數(shù)依次增多
②ds區(qū)全部是金屬元素
③在一個原子軌道中最多能容納2個電子且自旋狀態(tài)不同，稱為洪特規(guī)則
④Be和Al在化學(xué)性質(zhì)上具有一定的相似性
⑤ 中的σ鍵與π鍵個數(shù)比為1∶3
A.②④ B.①②④ C.②④⑤ D.③④⑤
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2p、3p、4p能級的軌道數(shù)都是3，①不正確；
依據(jù)泡利不相容原理，在一個原子軌道中最多能容納2個電子且自旋狀態(tài)不同，③不正確；
中具有3個σ鍵和1個π鍵，則σ鍵與π鍵個數(shù)比為3∶1，⑤不正確。
21
5.下列說法錯誤的是
A.周期表中第5周期有18種元素
B.①乙炔、②水、③甲醛、④氨四種分子中，鍵角由大到小的順序是①>
③>④>②
C.第4周期未成對電子數(shù)最多的原子的空間運動狀態(tài)有15種
D.兩元素的基態(tài)原子的最外層電子排布分別為3s2、4s2，則一定為同一族
元素
√
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①乙炔分子鍵角是180°，②水分子鍵角是104°30'，③甲醛分子鍵角約為120°，④氨分子鍵角是107°18'，則鍵角由大到小的順序是①>③>④>②，B正確；
第4周期未成對電子數(shù)最多的原子是Cr，外圍電子排布式為3d54s1，原子核外電子空間運動狀態(tài)共有15種，C正確；
兩元素的基態(tài)原子的最外層電子排布分別為3s2、4s2，3s2是Mg、4s2可能是Ca或Zn等，D錯誤。
6.(2023·遼寧遼陽高二期末)下列說法錯誤的是
A.σ鍵的電子云重疊程度比π鍵大，穩(wěn)定性強
B.N與3個H結(jié)合形成NH3分子，體現(xiàn)了共價鍵的飽和性
C.第3周期主族元素中第一電離能介于Mg和P之間的有3種
D.短周期主族元素中位于s區(qū)的有5種
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同周期主族元素，第一電離能呈增大趨勢，但由于ns2處于全充滿，np3處于半充滿的穩(wěn)定狀態(tài)，存在反常現(xiàn)象，第一電離能：ⅡA族>ⅢA族，ⅤA族>ⅥA族，第3周期元素的第一電離能介于Mg和P之間的元素有Si、S，C錯誤。
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7.(2023·河北唐山二中高二期末)下列說法正確的是
A.元素第一電離能：NB.鍵角：BeCl2>CCl4>NH3
C.CO2和H2O2均為非極性分子
D.SiO2熔化和干冰升華克服的作用力相同
√
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同一周期主族元素第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢，但ⅡA族、ⅤA族元素第一電離能大于其相鄰元素，所以第一電離能：F>N>O，A錯誤；
H2O2為極性分子，C錯誤；
干冰為分子晶體，干冰升華克服的是分子間作用力，SiO2是共價晶體，SiO2熔化克服的是極性鍵，D錯誤。
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8.(2024·山東日照高二期末)下列說法正確的是
A.鍵角：H2O>H3O+
B.XeF2的價電子對數(shù)為3
C.不同狀態(tài)的鎂中電離最外層一個電子所需能量
D.SnCl2的價層電子對互斥模型和空間結(jié)構(gòu)相同
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H2O與H3O+中中心原子O都采用sp3雜化，H2O分子中心原子有2對孤電子對，H3O+的中心原子上的孤電子對數(shù)為1，故鍵角：H2OXeF2中中心原子Xe上的價電子對數(shù)為×(8+2×1)=5，B項錯誤；
為基態(tài)Mg+， 為激發(fā)態(tài)Mg+，3s能級的能量低于3p能級的
能量，3p能級上電子較3s上易失去，故電離最外層一個電子所需能量：
，C項正確；
21
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SnCl2中中心原子Sn上的孤電子對數(shù)為×(4-2×1)=1，價電子對數(shù)為3，價層電子對互斥模型為平面三角形，空間結(jié)構(gòu)為V形，D項錯誤。
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9.(2023·煙臺高二期末)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是
A.0.2 mol 中含有的σ鍵數(shù)目為0.8NA
B.3.0 g SiO2晶體中含有的Si—O鍵數(shù)目為0.2NA
C.2.3 g CH3OCH3中sp3雜化的原子數(shù)目為0.1NA
D.1 mol [CoCl2]Cl中含有的配位鍵數(shù)目為4NA
√
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單鍵均為σ鍵，雙鍵中含有1個σ鍵、1個π鍵；1分子 中含有11個
σ鍵，則0.2 mol 中含有的σ鍵數(shù)目為2.2NA，A錯誤；
二氧化硅中1個硅原子形成4個硅氧鍵，3.0 g SiO2(為0.05 mol)晶體中含有的Si—O鍵數(shù)目為0.2NA，B正確；
2.3 g CH3OCH3(為0.05 mol)中碳、氧均為sp3雜化，原子數(shù)目為0.15NA，C錯誤；
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1分子[CoCl2]Cl含有6個配位鍵，則1 mol [CoCl2]Cl中含有的配位鍵數(shù)目為6NA，D錯誤。
21
10.結(jié)合下表中數(shù)據(jù)，判斷下列說法不正確的是(氫鍵鍵長定義為X—H…Y的長度)
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微粒間作用 鍵能/(kJ·mol-1) 鍵長/pm
SiO2中Si—O 452 162
Si中Si—Si 222 235
H2O中O—H 463 96
H2O間O—H…O 18.8 276
C2H5OH間O—H…O 25.9 266
A.依據(jù)鍵長：Si—Si>Si—O，推測原子半徑：Si>O
B.依據(jù)鍵能：O—H>Si—O，推測沸點：H2O>SiO2
C.依據(jù)鍵長，推測水分子間O…H距離大于分子內(nèi)O—H鍵長
D.依據(jù)氫鍵鍵能及沸點，推測等物質(zhì)的量的水或乙醇中，水中氫鍵數(shù)目多
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微粒間作用 鍵能/(kJ·mol-1) 鍵長/pm
SiO2中Si—O 452 162
Si中Si—Si 222 235
H2O中O—H 463 96
H2O間O—H…O 18.8 276
C2H5OH間O—H…O 25.9 266
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原子半徑越大，鍵長越長，A正確；
水分子的沸點高與分子間氫鍵有關(guān)，且H2O為分子晶體，SiO2為共價晶體，沸點：H2O氫鍵鍵能：H2OC2H5OH，說明水中氫鍵數(shù)目多，D正確。
21
11.(2024·西安高二期末)四氮唑( )和呋喃( )都是典型芳香雜環(huán)
有機物，均含有大π鍵。下列有關(guān)說法錯誤的是
A.四氮唑在乙醇中溶解度小于在CCl4中的溶解度
B.四氮唑中N原子和呋喃中O原子均采用sp2雜化
C.鍵角：∠1>∠2
D.四氮唑與呋喃中含σ鍵數(shù)目之比為7∶9
√
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四氮唑和乙醇為極性分子，而CCl4為非極性分子，所以四氮唑在乙醇中的溶解度大于在CCl4中的溶解度，A錯誤。
21
12.(2023·四川遂寧中學(xué)高二期末)下列說法不正確的是
①原子光譜的特征譜線用于鑒定元素，從1s22s22p33s1躍遷至1s22s22p4時釋放能量
②第2周期元素中，第一電離能介于B、N之間的有1種元素
③NH3、H2S、SO2三種分子的鍵角依次減小
④萘( )和碘易溶于四氯化碳，難溶于水，因為萘、碘、四氯化碳都是非極性分子
⑤I3AsF6晶體中存在，的空間結(jié)構(gòu)為V形
⑥AsH3分子中的鍵角小于NH3中的鍵角
⑦配合物Fe(CO)n可用作催化劑，F(xiàn)e(CO)n內(nèi)中心原子外圍電子數(shù)與配體提供電子總數(shù)之和為18，則n=4
A.①②③ B.②④⑤ C.③⑤⑥⑦ D.②③⑦
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②同一周期元素，隨著原子序數(shù)變大，第一電離能呈增大的趨勢，Be的2s軌道為全充滿狀態(tài)，N的2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能大于同周期相鄰元素，則第2周期元素中，第一電離能介于B、N之間的有Be、C、O共3種元素，錯誤；
③NH3、H2S中氮、硫均為sp3雜化，而NH3有1對孤電子對、H2S有2對孤電子對，SO2中硫為sp2雜化，有1對孤電子對，則鍵角：SO2>NH3>H2S，錯誤；
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⑦基態(tài)Fe原子外圍電子排布為3d64s2，配合物Fe(CO)n可用作催化劑，F(xiàn)e(CO)n內(nèi)中心原子外圍電子數(shù)與配體提供電子總數(shù)之和為18，則n==5，錯誤。
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13.(2024·青島高二期末)K2[Cu]可用于功能材料的制備。下列說法正確的是
A.第2周期元素中，第一電離能大于氧的元素有2種
B.鉀晶體中1個K+只與1個自由電子存在強烈的相互作用
C.碳原子與氮原子形成的(CN)2屬于非極性分子
D.基態(tài)銅原子的4s電子能量較高，總是在比3s電子離核更遠的地方運動
√
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第2周期元素中，第一電離能大于氧的元素有N、F、Ne 3種，A錯誤；
鉀晶體為金屬晶體，晶體中自由電子為整個晶體共有，不單獨屬于某個離子，B錯誤；
碳原子與氮原子形成的(CN)2分子為直線形對稱分子，屬于非極性分子，C正確；
基態(tài)銅原子的4s電子能量較高，但不一定總是在比3s電子離核更遠的地方運動，D錯誤。
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14.(2023·福建福州二中高二期末)已知某紫色配合物的組成為CoCl3·5NH3·H2O，其水溶液顯弱酸性，加入強堿并加熱至沸騰有NH3放出，同時產(chǎn)生Co2O3沉淀；向一定量該配合物溶液中加過量AgNO3溶液，有AgCl沉淀生成，待沉淀完全后過濾，再加過量AgNO3溶液于濾液中，無明顯變化，但加熱至沸騰又有AgCl沉淀生成，且第二次沉淀量為第一次沉淀量的二分之一，則該配合物的化學(xué)式最可能為
A.[CoCl]Cl2·H2O B.[Co(H2O)]Cl3
C.[CoCl2(H2O)]Cl·2NH3 D.[CoCl2]Cl·NH3·H2O
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向CoCl3·5NH3·H2O溶液中加過量AgNO3，有AgCl沉淀生成，說明外界離子有Cl-，過濾后再加AgNO3溶液于濾液中無變化，但加熱至沸騰又有AgCl沉淀生成，說明配體中含有Cl-，且其質(zhì)量為第一次沉淀量的二分之一，說明外界離子中的Cl-與配體Cl-之比為2∶1，選項中只有A符合。
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15.(2023·煙臺高二期末)化學(xué)式為Ni(CN)x的籠形包合物基本結(jié)構(gòu)如圖所示(H原子未畫出)。Ni2+與CN-連接形成平面層，兩個平面層通過NH3分子連接，中間的空隙填充苯分子。下列說法正確的是
A.x∶y∶z=2∶2∶1
B.該結(jié)構(gòu)不是晶胞結(jié)構(gòu)單位
C.結(jié)構(gòu)中N原子均參與形成配位鍵
D.所有的Ni2+配位數(shù)相同
√
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根據(jù)“均攤法”，該結(jié)構(gòu)中CN-的個數(shù)為8×=2，NH3
的個數(shù)為4×=1，C6H6的個數(shù)為1，則x∶y∶z=2∶1∶1，
A錯誤；
該結(jié)構(gòu)四條豎直的棱上并不相同，故不是晶胞結(jié)構(gòu)單
位，B正確；
結(jié)構(gòu)中CN-中C原子提供孤電子對，與鎳的空軌道形成配位鍵，CN-中氮沒有參與形成配位鍵，C錯誤；
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由圖可知，每個鎳離子與4個CN-形成配位鍵，但不是所有鎳離子都與NH3形成配位鍵，故不是所有的Ni2+配位數(shù)相同，D錯誤。
20
21
16.(2023·石家莊期末)如圖所示化合物為某新型電池的電解質(zhì)，其中X、Y、Z、Q、R是原子序數(shù)依次增大的五種短周期主族元素。下列說法錯誤的是
A.簡單氫化物的沸點：Z>Q>Y
B.簡單離子半徑：RC.第一電離能：RD.X和Q形成最簡單化合物的空間結(jié)構(gòu)為平面三角形
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√
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X、Y、Z、Q、R是原子序數(shù)依次增大的五種短周
期主族元素，每個Y形成4個共價鍵，每個Z形成2個
共價鍵，每個Q形成1個共價鍵，則Y為C，Z為O元素，Q為F元素；X形成4個共價鍵，整體陰離子為-1價，則X為B，R原子序數(shù)較大，且形成+1價離子，則為Na。根據(jù)分析可知，X為B，Y為C，Z為O，Q為F，R為Na；水分子間、HF分子間都能形成氫鍵，沸點較高，常溫下水為液態(tài)，而HF為氣態(tài)，則簡單氫化物的沸點：Z(H2O)>Q(HF)>Y(CH4)，故A正確；
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電子層結(jié)構(gòu)相同的離子，核電荷數(shù)越多，離子半徑
越小，則簡單離子半徑：R五種元素中，Na元素的第一電離能最小，同周期元素的第一電離能隨原子序數(shù)遞增呈增大趨勢，其中第ⅡA族、第ⅤA族元素的第一電離能大于同周期相鄰元素，故第一電離能：RBF3中中心原子價層電子對數(shù)為3，無孤電子對，則空間結(jié)構(gòu)為平面三角形，故D正確。
21
17.(2023·山東濟寧一中高二期末)鐵與鎂組成的合金是目前已發(fā)現(xiàn)的儲氫密度最高的儲氫材料之一，回答下列問題：
(1)下列鐵的外圍電子軌道表示式中，再失去一個電子需要能量最大的是　　(填字母)。
A. B.
C. D.
在第4周期過渡元素中，基態(tài)原子未成對電子數(shù)比鐵多的元素為　 　(填元素符號)。
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D
Cr、Mn
A表示基態(tài)Fe原子，B表示Fe2+，C表示Fe+，D表示Fe3+，F(xiàn)e3+的3d軌道有5個電子，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，難失電子，所以再失去一個電子需要能量最大的是D；基態(tài)鐵原子未成對電子數(shù)是4、Cr原子未成對電子數(shù)是6、Mn原子未成對電子數(shù)是5，在第4周期過渡元素中，基態(tài)原子未成對電子數(shù)比鐵多的元素為Cr、Mn。
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(2)甘氨酸亞鐵絡(luò)合物[(H2NCH2COO)2Fe]是一種新型的鐵營養(yǎng)強化劑，廣泛用于缺鐵性貧血的預(yù)防和治療。
①(H2NCH2COO)2Fe中碳原子的雜化類型為　　 　　。
②甘氨酸H2NCH2COOH的沸點比相同相對分子質(zhì)量的烷烴的沸點大很多，原因是　　　 　。
③原子中的電子有兩種相反的自旋狀態(tài)，若一種自旋狀態(tài)用+表示，與之相反的用-表示，稱為電子的自旋磁量子數(shù)。對于基態(tài)的氧原子，其
外圍電子自旋磁量子數(shù)的代數(shù)和為　　　 。
sp2、sp3
H2NCH2COOH分子間能形成氫鍵
+1或-1
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基態(tài)O原子外圍電子軌道表示式為 ，則對于基態(tài)氧原子，其外圍電子自旋磁量子數(shù)的代數(shù)和為++(+)=+1或者為-+(-)=-1。
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④硫酸亞鐵(FeSO4)可用于制造甘氨酸亞鐵，的空間結(jié)構(gòu)為________
　　　。
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正四面
體形
中S原子的價電子對數(shù)是4，無孤電子對，所以空間結(jié)構(gòu)為正四面體形。
18.(2023·濟南高二期末)前4周期元素X、Y、Z、W、Q的原子序數(shù)依次增大，基態(tài)X原子核外電子占據(jù)3個軌道，基態(tài)Y原子核外電子占據(jù)3個能級且每個能級上電子數(shù)相等，基態(tài)Z原子s能級的電子總數(shù)比p能級的多1，基態(tài)W原子和基態(tài)Q原子中成對電子數(shù)均是未成對電子數(shù)的3倍。回答下列問題：
(1)基態(tài)Q原子核外電子排布式為　 　　　　　，基態(tài)W原子核外電子的空間運動狀態(tài)有 　種。
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1s22s22p63s23p63d54s1(或[Ar]3d54s1)
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根據(jù)題意可得X為B ，Y為C，Z為N，W為O，Q為Cr。
基態(tài) Cr 原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1，基態(tài) O 原子核外電子排布式為1s22s22p4，空間運動狀態(tài)種數(shù)即有電子排布的軌道數(shù)量，有1+1+3=5種。
(2)元素X、Y、Z的電負性由大到小的順序為　 　　(填元素符號，下同)，元素Y、Z、W中第一電離能最大的是　　。
(3)XCl3、ZCl3中，中心原子采用sp2雜化的是　　　(填分子式)。
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N>C>B
N
BCl3
BCl3的價電子對數(shù)：=3，為 sp2 雜化，NCl3的價電子對數(shù)：=4，
為 sp3 雜化。
(4)手性分子具有旋光性，下列物質(zhì)中具有旋光性的是　 　(填字母)。
A.乙醇(C2H5OH)
B.1，2 二氯丙烷(CH2ClCHClCH3)
C.乙酸(CH3COOH)
D.乳酸(CH3CHOHCOOH)
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BD
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A、C都沒有手性碳原子，B中CH2ClCHClCH3的2號C為手性碳原子，D中CH3CHOHCOOH的2號C為手性碳原子，是手性分子，具有旋光性，故選B、D。
19.氧是地殼中含量最多的元素。
(1)氧元素基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)為　　。
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氧元素基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p4，2p軌道上有2個未成對電子。
(2)H2O分子內(nèi)的O—H鍵、分子間的范德華力和氫鍵從強到弱依次為
　　 　　。
的沸點比 高，原因是___________________
_______________________________________________________________
　　　 　 。
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O—H鍵、氫鍵、范德華力
形成分子
內(nèi)氫鍵，而 形成分子間氫鍵，分子間氫鍵使分子間作
用力增大
(3)H+可與H2O形成H3O+，H3O+中O原子采用　　雜化。
(4)CaO與NaCl的晶胞同為面心立方結(jié)構(gòu)，已知CaO晶體密度為a g·cm-3，
NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則CaO晶胞的體積為　　 cm3。
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sp3
以1個晶胞為研究對象，1個晶胞中含有4個Ca2+、4個O2-，則 g=
a g·cm-3 ×V，V= cm3。
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20.氮的相關(guān)化合物在材料等方面有重要用途。回答下列問題：
(1)基態(tài)N原子的核外電子排布式為　 　　　，第一電離能：I1(N)______
(填“大于”或“小于”)I1(O)。
(2)N及其同族的P、As均可形成類似的氫化物，NH3、PH3、AsH3的沸點由高到低的順序為　 　　(填化學(xué)式)。
1s22s22p3
大于
NH3>AsH3>PH3
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NH3、AsH3、PH3組成和結(jié)構(gòu)類似，NH3能形成分子間氫鍵，PH3和AsH3不能形成分子間氫鍵，相對分子質(zhì)量：PH3AsH3>PH3。
21
(3)是一種全氮陽離子形成的高能物
質(zhì)，其結(jié)構(gòu)如圖所示，其中N原子的雜化軌道類
型為　　　　。
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sp、sp2
如圖所示 ，右下角形成N≡N的N原子和左側(cè)形成
N==N==N的N原子的價電子對數(shù)為2，為sp雜化，最上方的N原子的價電子對數(shù)為3，為sp2雜化。
(4)含有多個配位原子的配體與同一中心離子(或原子)通過螯合配位成環(huán)而形成的配合物為螯合物。一種Ni2+與EDTA形成的螯合物的結(jié)構(gòu)如圖所示，1個該配合物中通過螯合作用形成的配位鍵有　　個，其中提供孤電子對的原子為　　　　(寫元素符號)。
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N、O
1個該配合物中通過螯合作用形成的配位鍵有6個，其中提供孤電子對的原子為N、O。
(5)鈷的一種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：
①已知A點的原子坐標參數(shù)為(0，0，0)，
B點為(，0，)，則C點的原子坐標參數(shù)
為　 　　　。
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(，，)
C點在晶胞體心上，距離x、y、z軸都是，則C點的原子坐標參數(shù)為()。
②已知晶胞參數(shù)a=0.55 pm，則該晶體的密度
為　 　　　g·cm-3(用NA表示阿伏加德
羅常數(shù)的值，只列出計算表達式即可。)
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已知晶胞參數(shù)a=0.55 pm，則晶胞體積為(0.55×10-10 cm)3，該晶胞中Ti4+個數(shù)為8×=1、Co2+個數(shù)為1、O2-個數(shù)為6×=3，該晶體的密度為 g·cm-3。
21.鎵(Ga)、鍺(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的單質(zhì)及某些化合物如砷化鎵、磷化鎵等都是常用的半導(dǎo)體材料，應(yīng)用于航空航天測控、光纖通訊等領(lǐng)域。回答下列問題：
(1)科學(xué)家常利用　 　　，區(qū)分晶體硅和無定形硅。
(2)硒常用作光敏材料，根據(jù)元素周期律，原子半徑：Ga　　As(填“>”或“<”，下同)。第一電離能：Ga　　As。與硒同周期的p區(qū)元素中第一電離能大于硒的元素有　　種；的空間結(jié)構(gòu)是　　　 　。
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X射線衍射實驗
>
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三角錐形
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同周期元素，從左到右原子半徑依次減小，元素的第一電離能呈增大趨勢，鎵原子的原子半徑大于砷原子，鎵元素的第一電離能小于砷元素；砷原子的4p軌道為穩(wěn)定的半充滿結(jié)構(gòu)，元素的第一電離能大于相鄰元素，則砷元素的第一電離能大于硒元素，所以與硒同周期的p區(qū)元素中第一電離能大于硒的元素有砷元素、溴元素、氪元素，共有3種；中硒原子的價電子對數(shù)為4、孤電子對數(shù)為1，空間結(jié)構(gòu)為三角錐形。
(3)GaN、GaP、GaAs都是很好的半導(dǎo)體材料，熔點如表所示，分析其變化原因：_______________________________________________________
_________________________________________________________________________________________。
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物質(zhì) GaN GaP GaAs
熔點/℃ 1 700 1 480 1 238
GaN、GaP、GaAs均為共價晶體，晶體中共價鍵Ga—N、Ga—P、Ga—As的鍵長依次增大、鍵能依次減小，則共價鍵依次減弱，所以GaN、GaP、GaAs的熔點逐漸降低
(4)硒化鋅(ZnSe)也是一種重要的半導(dǎo)體材料，其晶
胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，該晶胞中硒原子的配位數(shù)是　 ；
已知晶胞邊長為a pm，乙圖為甲圖的俯視圖，A點坐
標為(0，0，0)，B點坐標為(，a，)，則D點坐標為　 　　　　；若該
晶體密度為ρ g·cm-3，則阿伏加德羅常數(shù)的值NA=　　 　　(只列出計算式)。
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由圖可知，位于頂點的A點坐標為(0，0，0)、位于
面心B點坐標為(，a，處的
D點坐標為()；晶胞中位于頂點和面心
的硒原子個數(shù)為8×+6×=4，位于體內(nèi)的鋅原子個數(shù)為4，由晶胞的質(zhì)量公式可得：=(a×10—10)3ρ，解得NA=。

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