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第3章 第2節(jié) 微專題7 晶體熔、沸點高低的比較(課件 學案,共2份)高中化學魯科版(2019)選擇性必修2

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第3章 第2節(jié) 微專題7 晶體熔、沸點高低的比較(課件 學案,共2份)高中化學魯科版(2019)選擇性必修2

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微專題7 晶體熔、沸點高低的比較
1.不同類型晶體熔、沸點高低比較
(1)比較晶體熔、沸點時,首先應(yīng)該明確晶體的類型,因為不同晶體的粒子間作用力不同,影響晶體熔、沸點的因素不同。
(2)一般來說,熔沸點:共價晶體>離子晶體>分子晶體。金屬晶體的熔、沸點比較特殊,有的很高,如鎢、鉑等;有的很低,如汞、銫等。
2.同一類型晶體熔、沸點高低比較
(1)共價晶體
比較共價晶體熔、沸點高低的關(guān)鍵是比較共價鍵的強弱。一般來說,成鍵原子半徑越小,鍵長越短,鍵能越大,共價鍵越牢固,晶體的熔、沸點越高。例如,在金剛石、碳化硅、晶體硅中,原子半徑CC—Si鍵>Si—Si鍵,故熔、沸點:金剛石>碳化硅>晶體硅。又如,鍵長:Si—Si鍵>Si—O鍵>C—C鍵,熔、沸點:金剛石>二氧化硅>晶體硅。
(2)離子晶體
離子晶體熔、沸點的高低取決于晶格能的大小。一般來說,離子所帶電荷數(shù)越多,陰、陽離子核間距越小,晶格能越大,晶體的熔、沸點一般越高。如熔、沸點:MgO>MgCl2>NaCl>CsCl。
(3)金屬晶體
金屬晶體熔、沸點的高低取決于金屬鍵的強弱。一般來說,金屬陽離子的半徑越小,所帶電荷數(shù)越多,金屬陽離子與“自由電子”之間的靜電作用越強,金屬鍵越強,熔、沸點越高。如熔、沸點:Na1.下列說法不正確的是 (  )
A.沸點:PH3B.熔點:NaF>MgF2>AlF3
C.硬度:金剛石>碳化硅>晶體硅
D.晶格能:NaF>NaCl>NaBr
2.(2023·張家口期末)下列相關(guān)物質(zhì)熔點排序錯誤的是 (  )
A.SiCl4>SiO2 B.正戊烷>新戊烷
C.Rb>Cs D.MgO>NaCl
3.(2023·四川科學城一中高二期中)下列物質(zhì)的熔、沸點高低順序中,正確的是 (  )
A.金剛石>晶體硅>二氧化硅>碳化硅
B.>
C.MgO>H2O>O2>Br2
D.金剛石>生鐵>純鐵>鈉
4.根據(jù)表格數(shù)據(jù)回答下列有關(guān)問題:
(1)已知NaBr、NaCl、MgO等離子晶體的核間距離和晶格能如下表所示:
NaBr NaCl MgO
離子的核間距/pm 290 276 205
晶格能/kJ·mol-1 787 3 890
①NaBr晶體比NaCl晶體晶格能    (填“大”或“小”),主要原因是     。
②MgO晶體比NaCl晶體晶格能大,主要原因是              。
③NaBr、NaCl和MgO晶體中,熔點最高的是      。
(2)Cu2O的熔點比Cu2S的    (填“高”或“低”),請解釋原因:            
            。
(3)NaF的熔點    (填“>”“<”或“=”)的熔點,其原因是                                     。
微專題7 晶體熔、沸點高低的比較
遷移應(yīng)用
1.B [由于H2O、NH3分子之間存在氫鍵,使物質(zhì)的熔、沸點升高,而且常溫下H2O為液態(tài),NH3為氣態(tài),所以沸點:H2O>NH3,A正確;離子半徑Na+>Mg2+>Al3+,離子半徑越小,離子所帶電荷越多,晶格能越大,熔點越高,則熔點:AlF3>MgF2>NaF,B錯誤;金剛石、碳化硅、晶體硅都為共價晶體,由于共價鍵的鍵長C—C鍵碳化硅>晶體硅,C正確;NaF、NaCl、NaBr都是離子晶體,由于離子半徑F-NaCl>NaBr,D正確。]
2.A [SiCl4屬于分子晶體,SiO2屬于共價晶體,SiO2比SiCl4熔點高,A符合題意;正戊烷和新戊烷屬于碳原子數(shù)均為5的烷烴,正戊烷結(jié)構(gòu)中無支鏈,新戊烷結(jié)構(gòu)中含兩個支鏈,支鏈越多熔點越低,故新戊烷熔點低于正戊烷,B不符合題意;Rb和Cs均屬于堿金屬元素,熔點隨原子序數(shù)增加而降低,故Rb熔點高于Cs,C不符合題意;MgO和NaCl均屬于離子晶體,由于Mg2+半徑小于Na+,O2-半徑小于Cl-,且MgO中離子所帶電荷比NaCl中離子所帶電荷多,MgO的熔點高于NaCl,D不符合題意。]
3.B [比較物質(zhì)的熔沸點先判斷物質(zhì)所屬晶體類別,再具體分析,一般有共價晶體>離子晶體>分子晶體。四種物質(zhì)均是共價晶體,共價晶體的熔沸點取決于原子半徑的大小,半徑越大,熔沸點越小,故熔沸點碳化硅大于晶體硅,A錯誤;取代基在對位形成分子間氫鍵,使分子熔沸點變大;取代基在鄰位,形成分子內(nèi)氫鍵,使分子熔沸點降低,故B正確;離子晶體的沸點大于分子晶體,分子晶體的熔沸點取決于相對分子質(zhì)量和氫鍵,故溴單質(zhì)的沸點大于氧氣,C錯誤;金剛石是共價晶體,金屬晶體的熔沸點取決于原子半徑,合金的熔沸點一般小于純金屬,所以熔、沸點生鐵低于純鐵,故D錯誤。]
4.(1)①小 NaBr比NaCl離子的核間距大?、谘趸V晶體中的陰、陽離子所帶的電荷數(shù)多,并且離子的核間距小?、跰gO
(2)高 O2-半徑小于S2-的半徑, Cu2O的離子鍵強于Cu2S的離子鍵,所以Cu2O的熔點比Cu2S的高 (3)> 兩者均為離子晶體,且電荷數(shù)均為1,但后者離子半徑大,離子鍵較弱,因此熔點較低(共11張PPT)
微專題  晶體熔、沸點高低的比較
第 章 不同聚集狀態(tài)的物質(zhì)與性質(zhì)
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7
1.不同類型晶體熔、沸點高低比較
(1)比較晶體熔、沸點時,首先應(yīng)該明確晶體的類型,因為不同晶體的粒子間作用力不同,影響晶體熔、沸點的因素不同。
(2)一般來說,熔沸點:共價晶體>離子晶體>分子晶體。金屬晶體的熔、沸點比較特殊,有的很高,如鎢、鉑等;有的很低,如汞、銫等。
2.同一類型晶體熔、沸點高低比較
(1)共價晶體
比較共價晶體熔、沸點高低的關(guān)鍵是比較共價鍵的強弱。一般來說,成鍵原子半徑越小,鍵長越短,鍵能越大,共價鍵越牢固,晶體的熔、沸點越高。例如,在金剛石、碳化硅、晶體硅中,原子半徑C(2)離子晶體
離子晶體熔、沸點的高低取決于晶格能的大小。一般來說,離子所帶電荷數(shù)越多,陰、陽離子核間距越小,晶格能越大,晶體的熔、沸點一般越高。如熔、沸點:MgO>MgCl2>NaCl>CsCl。
(3)金屬晶體
金屬晶體熔、沸點的高低取決于金屬鍵的強弱。一般來說,金屬陽離子的半徑越小,所帶電荷數(shù)越多,金屬陽離子與“自由電子”之間的靜電作用越強,金屬鍵越強,熔、沸點越高。如熔、沸點:Na1.下列說法不正確的是(  )
A.沸點:PH3<NH3<H2O B.熔點:NaF>MgF2>AlF3
C.硬度:金剛石>碳化硅>晶體硅 D.晶格能:NaF>NaCl>NaBr
B
解析 由于H2O、NH3分子之間存在氫鍵,使物質(zhì)的熔、沸點升高,而且常溫下H2O為液態(tài),NH3為氣態(tài),所以沸點:H2O>NH3,A正確;離子半徑Na+>Mg2+>Al3+,離子半徑越小,離子所帶電荷越多,晶格能越大,熔點越高,則熔點:AlF3>MgF2>NaF,B錯誤;金剛石、碳化硅、晶體硅都為共價晶體,由于共價鍵的鍵長C—C鍵<Si—C鍵<Si—Si鍵,所以硬度由大到小的順序為金剛石>碳化硅>晶體硅,C正確;NaF、NaCl、NaBr都是離子晶體,由于離子半徑F-<Cl-<Br-,所以晶格能由大到小的順序是NaF>NaCl>NaBr,D正確。
2.(2023·張家口期末)下列相關(guān)物質(zhì)熔點排序錯誤的是(  )
A.SiCl4>SiO2 B.正戊烷>新戊烷 C.Rb>Cs D.MgO>NaCl
解析 SiCl4屬于分子晶體,SiO2屬于共價晶體,SiO2比SiCl4熔點高,A符合題意;正戊烷和新戊烷屬于碳原子數(shù)均為5的烷烴,正戊烷結(jié)構(gòu)中無支鏈,新戊烷結(jié)構(gòu)中含兩個支鏈,支鏈越多熔點越低,故新戊烷熔點低于正戊烷,B不符合題意;Rb和Cs均屬于堿金屬元素,熔點隨原子序數(shù)增加而降低,故Rb熔點高于Cs,C不符合題意;MgO和NaCl均屬于離子晶體,由于Mg2+半徑小于Na+,O2-半徑小于Cl-,且MgO中離子所帶電荷比NaCl中離子所帶電荷多,MgO的熔點高于NaCl,D不符合題意。
A
B
解析 比較物質(zhì)的熔沸點先判斷物質(zhì)所屬晶體類別,再具體分析,一般有共價晶體>離子晶體>分子晶體。四種物質(zhì)均是共價晶體,共價晶體的熔沸點取決于原子半徑的大小,半徑越大,熔沸點越小,故熔沸點碳化硅大于晶體硅,A錯誤;取代基在對位形成分子間氫鍵,使分子熔沸點變大;取代基在鄰位,形成分子內(nèi)氫鍵,使分子熔沸點降低,故B正確;離子晶體的沸點大于分子晶體,分子晶體的熔沸點取決于相對分子質(zhì)量和氫鍵,故溴單質(zhì)的沸點大于氧氣,C錯誤;金剛石是共價晶體,金屬晶體的熔沸點取決于原子半徑,合金的熔沸點一般小于純金屬,所以熔、沸點生鐵低于純鐵,故D錯誤。
4.根據(jù)表格數(shù)據(jù)回答下列有關(guān)問題:
(1)已知NaBr、NaCl、MgO等離子晶體的核間距離和晶格能如下表所示:
NaBr NaCl MgO
離子的核間距/pm 290 276 205
晶格能/kJ·mol-1 787 3 890
①NaBr晶體比NaCl晶體晶格能________(填“大”或“小”),主要原因是___________________________________________________________________。
②MgO晶體比NaCl晶體晶格能大,主要原因是___________________________
___________________________________________________________________。
③NaBr、NaCl和MgO晶體中,熔點最高的是____________。

NaBr比NaCl離子的核間距大
氧化鎂晶體中的陰、陽離子所帶的電荷數(shù)多,并且離子的核間距小
MgO
(2)Cu2O的熔點比Cu2S的________(填“高”或“低”),請解釋原因:____________________________________________________________________
___________________________________________________________________。
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________。

O2-半徑小于S2-的半徑, Cu2O的離子鍵強于Cu2S的離子鍵,所以Cu2O的熔點比Cu2S的高

兩者均為離子晶體,且電荷數(shù)均為1,但后者離子半徑大,離子鍵較弱,因此熔點較低

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