資源簡介 磁聚焦 磁發散目標要求 1.理解磁聚焦、磁發散的原理。2.會分析解決磁聚焦、磁發散的問題。考點一 磁聚焦如圖甲所示,大量的同種帶正電的粒子,速度大小相同,平行入射到圓形磁場區域,如果軌跡圓半徑與磁場圓半徑相等(R=r),則所有的帶電粒子將從磁場圓的最低點B點射出。(會聚)證明:四邊形OAO'B為菱形,必是平行四邊形,對邊平行,OB必平行于AO'(即豎直方向),可知從A點入射的帶電粒子必然經過B點。例1 (多選)(2024·安徽淮北市二模)在電子技術中,科研人員經常通過在適當的區域施加磁場控制帶電粒子的運動。如圖所示,正方形abcd邊長為L,一束相同的正離子以相同的速度v垂直ab邊射入,如果在abcd的某區域內存在著磁感應強度大小為B、方向垂直紙面的勻強磁場,最終所有離子均從c點射出,不計離子的重力和離子間的相互作用,則( )A.磁場方向垂直紙面向里B.離子的比荷為C.磁場區域的最小面積為D.離子在磁場中運動的最長時間為考點二 磁發散如圖乙所示,圓形磁場圓心為O,從P點有大量質量為m、電荷量為q的正粒子,以大小相等的速度v沿不同方向射入有界磁場,不計粒子的重力,如果正粒子軌跡圓半徑與有界圓形磁場半徑相等,則所有粒子射出磁場的方向平行。(發散)例2 (多選)(2024·江西鷹潭市二模)如圖,坐標原點O有一粒子源,能向坐標平面第一、二象限內發射大量質量為m、電荷量為q的正粒子(不計重力),所有粒子速度大小相等,不計粒子間的相互作用。圓心在(0,R)、半徑為R的圓形區域內,有垂直于坐標平面向外的勻強磁場(未畫出),磁感應強度大小為B。磁場右側有一長度為R、平行于y軸的光屏,其中心位于(2R,R)。已知初速度沿y軸正方向的粒子經過磁場后,恰能垂直射在光屏上,則( )A.粒子速度大小為B.所有粒子均能垂直射在光屏上C.能射在光屏上的粒子中,在磁場中運動時間最長為D.能射在光屏上的粒子初速度方向與x軸正方向夾角滿足45°≤θ≤135°1.帶電粒子流的磁聚焦是薄膜材料制備的關鍵技術之一。磁聚焦原理如圖,真空中半徑為r的圓形區域內存在垂直紙面的勻強磁場。一束寬度為2r、沿x軸正方向運動的電子流射入該磁場后聚焦于坐標原點O。已知電子的質量為m、電荷量為e、進入磁場的速度均為v,不計電子的重力和電子間的相互作用力,則磁感應強度的大小為( )A. B. C. D.2.(多選)(2025·重慶楊家坪中學月考)如圖所示,坐標原點O處有一粒子源,能向坐標平面一、二象限內發射大量質量為m、電荷量為q的正粒子(不計重力及粒子間相互作用),所有粒子速度大小相等。圓心在(0,R)、半徑為R的圓形區域內,有垂直于坐標平面向外的勻強磁場,磁感應強度大小為B,磁場右側有一點A(2R,R),已知初速度沿y軸正方向的粒子經過磁場后,粒子的速度方向沿x軸的正方向,則( )A.初速度方向與x軸夾角為120°的粒子經過A點B.初速度方向與x軸夾角為135°的粒子經過A點C.經過A點的粒子在磁場中運動時間為D.經過A點的粒子在磁場中運動時間為3.(多選)(2024·山東威海市模擬)利用磁聚焦和磁控束可以改變一束平行帶電粒子的寬度,人們把此原理運用到薄膜材料制備上,使芯片技術得到飛速發展。如圖,寬度為r0的帶正電粒子流水平向右射入半徑為r0的圓形勻強磁場區域,磁感應強度大小為B0,這些帶電粒子都將從磁場圓上O點進入正方形區域,正方形過O點的一邊與半徑為r0的磁場圓相切。在正方形區域內存在一個面積最小的勻強磁場區域,使會聚到O點的粒子經過該磁場區域后寬度變為2r0,且粒子仍沿水平向右射出,不考慮粒子間的相互作用力及粒子的重力,下列說法正確的是( )A.正方形區域中勻強磁場的磁感應強度大小為2B0,方向垂直紙面向里B.正方形區域中勻強磁場的磁感應強度大小為B0,方向垂直紙面向里C.正方形區域中勻強磁場的最小面積為2(π-2)D.正方形區域中勻強磁場的最小面積為答案精析例1 BD [由題意可知,離子向下偏轉,由左手定則知,磁場方向垂直紙面向外,故A錯誤;畫出離子軌跡,如圖,由圖可知為磁聚焦模型,故運動半徑r=L,再由qvB=m得,故B正確;由圖可知,磁場區域的最小面積為“葉”形面積S=2()=,故C錯誤;離子在磁場中運動的最大圓心角為,則最長時間為t=,故D正確。]例2 AC [由題意,初速度沿y軸正方向的粒子經過磁場后,恰能垂直射在光屏上,有qBv=m,r=R,解得v=,A正確;由于所有粒子的速度大小相等,方向不同,但粒子離開磁場區域的出射點距離O點的豎直高度最大值為2R,并不會全部垂直打在光屏上,B錯誤;如圖甲,由幾何關系可得,能射在光屏上的粒子中,運動時間最長的對應軌跡的圓心角為π,根據周期公式T=,可得t=T=,C正確;若能打在光屏下端,如圖乙,由幾何關系可得θ1=60°,即初速度與x軸正方向夾角為θ1=60°,同理,粒子打在光屏上端時,初速度與x軸正方向夾角為θ2=120°,則60°≤θ≤120°,D錯誤。]跟蹤訓練1.C [由題可知,從左側任選一束電子流從A點進入磁場經磁場偏轉后,通過坐標原點O,如圖所示由于電子沿水平方向射入磁場,半徑與速度方向垂直,可知AO2∥O1O由幾何關系可知,平行四邊形AO2OO1為菱形,因此電子在磁場中運動的軌道半徑R=r又由于evB=,可知磁感應強度的大小為B=,故選C。]2.AC [初速度沿y軸正方向的粒子經過磁場后,粒子的速度方向沿x軸的正方向,則粒子的軌跡半徑r=R,由qvB=可得粒子軌跡半徑都為R;結合題意和幾何關系可知,平面第一、二象限射入的粒子從磁場射出時,速度一定沿x軸正方向,設經過A點的粒子在磁場中運動的軌跡所對的圓心角為α,根據幾何關系有R+Rsin (α-90°)=R,解得α=120°,故A正確,B錯誤;該粒子在磁場中的運動時間為t=×,故C正確,D錯誤。]3.BC [根據磁聚焦原理,粒子在半徑為r0的圓形磁場區域中運動,粒子運動的軌跡半徑為r0,由qB0v=m解得B0=,要使會聚到O點的粒子經正方形區域內的磁場偏轉后寬度變為2r0,且粒子仍沿水平向右射出,作出軌跡如圖所示,由幾何關系可知粒子的軌跡半徑為2r0,正方形中磁場區域內應該為圓形磁場的一部分,有qB1v=m,解得B1=B0,由左手定則可知,方向垂直紙面向里,A錯誤,B正確;由圖可知,磁場區域的最小面積為Smin=2[(2r0)2]=2(π-2),C正確,D錯誤。](共18張PPT)第十一章物理大一輪復習磁場微點突破8磁聚焦 磁發散目標要求1.理解磁聚焦、磁發散的原理。2.會分析解決磁聚焦、磁發散的問題。內容索引考點一 磁聚焦考點二 磁發散跟蹤訓練如圖甲所示,大量的同種帶正電的粒子,速度大小相同,平行入射到圓形磁場區域,如果軌跡圓半徑與磁場圓半徑相等(R=r),則所有的帶電粒子將從磁場圓的最低點B點射出。(會聚)磁聚焦考點一證明:四邊形OAO'B為菱形,必是平行四邊形,對邊平行,OB必平行于AO'(即豎直方向),可知從A點入射的帶電粒子必然經過B點。(多選)(2024·安徽淮北市二模)在電子技術中,科研人員經常通過在適當的區域施加磁場控制帶電粒子的運動。如圖所示,正方形abcd邊長為L,一束相同的正離子以相同的速度v垂直ab邊射入,如果在abcd的某區域內存在著磁感應強度大小為B、方向垂直紙面的勻強磁場,最終所有離子均從c點射出,不計離子的重力和離子間的相互作用,則A.磁場方向垂直紙面向里B.離子的比荷為C.磁場區域的最小面積為D.離子在磁場中運動的最長時間為例1√√由題意可知,離子向下偏轉,由左手定則知,磁場方向垂直紙面向外,故A錯誤;畫出離子軌跡,如圖,由圖可知為磁聚焦模型,故運動半徑r=L,再由qvB=m,故B正確;由圖可知,磁場區域的最小面積為“葉”形面積S=2()=,故C錯誤;離子在磁場中運動的最大圓心角為,則最長時間為t=,故D正確。返回磁發散考點二如圖乙所示,圓形磁場圓心為O,從P點有大量質量為m、電荷量為q的正粒子,以大小相等的速度v沿不同方向射入有界磁場,不計粒子的重力,如果正粒子軌跡圓半徑與有界圓形磁場半徑相等,則所有粒子射出磁場的方向平行。(發散)(多選)(2024·江西鷹潭市二模)如圖,坐標原點O有一粒子源,能向坐標平面第一、二象限內發射大量質量為m、電荷量為q的正粒子(不計重力),所有粒子速度大小相等,不計粒子間的相互作用。圓心在(0,R)、半徑為R的圓形區域內,有垂直于坐標平面向外的勻強磁場(未畫出),磁感應強度大小為B。磁場右側有一長度為R、平行于y軸的光屏,其中心位于(2R,R)。已知初速度沿y軸正方向的粒子經過磁場后,恰能垂直射在光屏上,則A.粒子速度大小為B.所有粒子均能垂直射在光屏上C.能射在光屏上的粒子中,在磁場中運動時間最長為D.能射在光屏上的粒子初速度方向與x軸正方向夾角滿足45°≤θ≤135°例2√√由題意,初速度沿y軸正方向的粒子經過磁場后,恰能垂直射在光屏上,有qBv=m,r=R,解得v=,A正確;由于所有粒子的速度大小相等,方向不同,但粒子離開磁場區域的出射點距離O點的豎直高度最大值為2R,并不會全部垂直打在光屏上,B錯誤;如圖甲,由幾何關系可得,能射在光屏上的粒子中,運動時間最長的對應軌跡的圓心角為π,根據周期公式T=,可得t=T=,C正確;若能打在光屏下端,如圖乙,由幾何關系可得θ1=60°,即初速度與x軸正方向夾角為θ1=60°,同理,粒子打在光屏上端時,初速度與x軸正方向夾角為θ2=120°,則60°≤θ≤120°,D錯誤。返回跟蹤訓練1.帶電粒子流的磁聚焦是薄膜材料制備的關鍵技術之一。磁聚焦原理如圖,真空中半徑為r的圓形區域內存在垂直紙面的勻強磁場。一束寬度為2r、沿x軸正方向運動的電子流射入該磁場后聚焦于坐標原點O。已知電子的質量為m、電荷量為e、進入磁場的速度均為v,不計電子的重力和電子間的相互作用力,則磁感應強度的大小為A. B. C. D.√由題可知,從左側任選一束電子流從A點進入磁場經磁場偏轉后,通過坐標原點O,如圖所示由于電子沿水平方向射入磁場,半徑與速度方向垂直,可知AO2∥O1O由幾何關系可知,平行四邊形AO2OO1為菱形,因此電子在磁場中運動的軌道半徑R=r又由于evB=,可知磁感應強度的大小為B=,故選C。2.(多選)(2025·重慶楊家坪中學月考)如圖所示,坐標原點O處有一粒子源,能向坐標平面一、二象限內發射大量質量為m、電荷量為q的正粒子(不計重力及粒子間相互作用),所有粒子速度大小相等。圓心在(0,R)、半徑為R的圓形區域內,有垂直于坐標平面向外的勻強磁場,磁感應強度大小為B,磁場右側有一點A(2R,R),已知初速度沿y軸正方向的粒子經過磁場后,粒子的速度方向沿x軸的正方向,則A.初速度方向與x軸夾角為120°的粒子經過A點B.初速度方向與x軸夾角為135°的粒子經過A點C.經過A點的粒子在磁場中運動時間為D.經過A點的粒子在磁場中運動時間為√√初速度沿y軸正方向的粒子經過磁場后,粒子的速度方向沿x軸的正方向,則粒子的軌跡半徑r=R,由qvB=可得粒子軌跡半徑都為R;結合題意和幾何關系可知,平面第一、二象限射入的粒子從磁場射出時,速度一定沿x軸正方向,設經過A點的粒子在磁場中運動的軌跡所對的圓心角為α,根據幾何關系有R+Rsin (α-90°)=R,解得α=120°,故A正確,B錯誤;該粒子在磁場中的運動時間為t=×,故C正確,D錯誤。3.(多選)(2024·山東威海市模擬)利用磁聚焦和磁控束可以改變一束平行帶電粒子的寬度,人們把此原理運用到薄膜材料制備上,使芯片技術得到飛速發展。如圖,寬度為r0的帶正電粒子流水平向右射入半徑為r0的圓形勻強磁場區域,磁感應強度大小為B0,這些帶電粒子都將從磁場圓上O點進入正方形區域,正方形過O點的一邊與半徑為r0的磁場圓相切。在正方形區域內存在一個面積最小的勻強磁場區域,使會聚到O點的粒子經過該磁場區域后寬度變為2r0,且粒子仍沿水平向右射出,不考慮粒子間的相互作用力及粒子的重力,下列說法正確的是A.正方形區域中勻強磁場的磁感應強度大小為2B0,方向垂直紙面向里B.正方形區域中勻強磁場的磁感應強度大小為B0,方向垂直紙面向里C.正方形區域中勻強磁場的最小面積為2(π-2)D.正方形區域中勻強磁場的最小面積為√√根據磁聚焦原理,粒子在半徑為r0的圓形磁場區域中運動,粒子運動的軌跡半徑為r0,由qB0v=m解得B0=,要使會聚到O點的粒子經正方形區域內的磁場偏轉后寬度變為2r0,且粒子仍沿水平向右射出,作出軌跡如圖所示,由幾何關系可知粒子的軌跡半徑為2r0,正方形中磁場區域內應該為圓形磁場的一部分,有qB1v=m,解得B1=B0,由左手定則可知,方向垂直紙面向里,A錯誤,B正確;由圖可知,磁場區域的最小面積為Smin=2[(2r0)2]=2(π-2),C正確,D錯誤。返回 展開更多...... 收起↑ 資源列表 第十一章 微點突破8 磁聚焦 磁發散.docx 第十一章 微點突破8 磁聚焦 磁發散.pptx 縮略圖、資源來源于二一教育資源庫