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2026屆高考物理一輪復(fù)習(xí)第十章 磁場:第3講 微專題 磁聚焦與磁發(fā)散(課件 學(xué)案,共2份)

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2026屆高考物理一輪復(fù)習(xí)第十章 磁場:第3講 微專題 磁聚焦與磁發(fā)散(課件 學(xué)案,共2份)

資源簡介

物理
磁聚焦與磁發(fā)散
1.帶電粒子的聚焦
如圖甲所示,大量同種帶正電的粒子,速度大小相等,水平平行入射到圓形磁場區(qū)域,如果軌跡圓半徑與磁場圓半徑相等(r=R),則所有的帶電粒子將從磁場圓的最低點(diǎn)B點(diǎn)射出。(聚焦)
證明:四邊形OAO′B為菱形,對(duì)邊平行,OB必平行于AO′(即豎直方向),可知從A點(diǎn)入射的帶電粒子必然經(jīng)過B點(diǎn)。
2.帶電粒子的發(fā)散
如圖乙所示,圓形磁場區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,圓心為O,從最高點(diǎn)P點(diǎn)有大量質(zhì)量為m、電荷量為q的正粒子,以大小相等的速度v沿不同方向射入有界磁場,不計(jì)粒子的重力,如果正粒子軌跡圓半徑與磁場圓半徑相等,則所有粒子射出磁場的方向平行。(發(fā)散)
證明:所有粒子運(yùn)動(dòng)軌跡的圓心與磁場圓圓心O、入射點(diǎn)、出射點(diǎn)的連線為菱形,由幾何知識(shí)可知O1A、O2B、O3C均平行于PO,則出射速度方向相同(即水平方向)。
例 (2021·湖南高考)帶電粒子流的磁聚焦和磁控束是薄膜材料制備的關(guān)鍵技術(shù)之一。帶電粒子流(每個(gè)粒子的質(zhì)量為m、電荷量為+q)以初速度v垂直進(jìn)入磁場,不計(jì)重力及帶電粒子之間的相互作用。對(duì)處在xOy平面內(nèi)的粒子,求解以下問題。
(1)如圖a,寬度為2r1的帶電粒子流沿x軸正方向射入圓心為A(0,r1)、半徑為r1的圓形勻強(qiáng)磁場中,若帶電粒子流經(jīng)過磁場后都匯聚到坐標(biāo)原點(diǎn)O,求該磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B1的大小;
(2)如圖a,虛線框?yàn)檫呴L等于2r2的正方形,其幾何中心位于C(0,-r2)。在虛線框內(nèi)設(shè)計(jì)一個(gè)區(qū)域面積最小的勻強(qiáng)磁場,使匯聚到O點(diǎn)的帶電粒子流經(jīng)過該區(qū)域后寬度變?yōu)?r2,并沿x軸正方向射出。求該磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B2的大小和方向,以及該磁場區(qū)域的面積(無需寫出面積最小的證明過程);
(3)如圖b,虛線框Ⅰ和Ⅱ均為邊長等于r3的正方形,虛線框Ⅲ和Ⅳ均為邊長等于r4的正方形。在Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ中分別設(shè)計(jì)一個(gè)區(qū)域面積最小的勻強(qiáng)磁場,使寬度為2r3的帶電粒子流沿x軸正方向射入Ⅰ和Ⅱ后匯聚到坐標(biāo)原點(diǎn)O,再經(jīng)過Ⅲ和Ⅳ后寬度變?yōu)?r4,并沿x軸正方向射出,從而實(shí)現(xiàn)帶電粒子流的同軸控束。求Ⅰ和Ⅲ中磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,以及Ⅱ和Ⅳ中勻強(qiáng)磁場區(qū)域的面積(無需寫出面積最小的證明過程)。
跟進(jìn)訓(xùn)練 (多選)如圖,在邊長為L的正方形abcd的部分區(qū)域內(nèi)存在著方向垂直紙面的勻強(qiáng)磁場,a點(diǎn)處有離子源,可以向正方形abcd所在區(qū)域的任意方向發(fā)射速率均為v的相同的正離子,且所有離子均垂直bc邊射出,下列說法正確的是(  )
A.磁場區(qū)域的最小面積為L2
B.離子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為L
C.磁場區(qū)域的最大面積為L2
D.離子在磁場中運(yùn)動(dòng)的最長時(shí)間為
課時(shí)作業(yè)
[A組 基礎(chǔ)鞏固練]
1.(多選)如圖所示,勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向里,MN是它的下邊界。現(xiàn)有質(zhì)量為m、電荷量為q的帶電粒子與MN成30°角垂直射入磁場,則粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間可能為(  )
A. B.
C. D.
2.(人教版選擇性必修第二冊(cè)·第一章第4節(jié)[練習(xí)與應(yīng)用]T3改編)如圖所示,一束電子以垂直于磁感應(yīng)強(qiáng)度B并垂直于磁場邊界的速度v射入寬度為d的勻強(qiáng)磁場中,穿出磁場時(shí)速度方向和原來射入方向的夾角為θ=60°。下列判斷正確的有(  )
A.電子軌跡所對(duì)圓心角為30° B.電子的軌跡半徑為
C.電子的比荷為 D.電子穿越磁場的時(shí)間為
3.如圖,邊長為l的正方形abcd內(nèi)存在勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直于紙面(abcd所在平面)向外。ab邊中點(diǎn)有一電子發(fā)射源O,可向磁場內(nèi)沿垂直于ab邊的方向發(fā)射電子。已知電子的比荷為k。則從a、d兩點(diǎn)射出的電子的速度大小分別為(  )
A.kBl,kBl B.kBl,kBl
C.kBl,kBl D.kBl,kBl
4.(2024·廣西高考)Oxy坐標(biāo)平面內(nèi)一有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域如圖所示,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直紙面向里。質(zhì)量為m、電荷量為+q的粒子,以初速度v從O點(diǎn)沿x軸正向開始運(yùn)動(dòng),粒子過y軸時(shí)速度與y軸正向夾角為45°,交點(diǎn)為P。不計(jì)粒子重力,則P點(diǎn)至O點(diǎn)的距離為(  )
A. B.
C.(1+) D.
5.(2025·遼寧省遼陽市高三模擬)(多選)如圖所示,圓形區(qū)域內(nèi)存在一勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直于紙面向里。質(zhì)量為m、電荷量為q的帶電粒子由A點(diǎn)沿平行于直徑CD的方向射入磁場,射入時(shí)粒子運(yùn)動(dòng)的速率為,粒子經(jīng)過圓心O,最后離開磁場。已知圓形區(qū)域半徑為R,不計(jì)粒子受到的重力。下列說法正確的是(  )
A.粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的半徑為
B.A點(diǎn)到CD的距離為
C.粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的位移大小為R
D.粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為
6.(多選)如圖所示,半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi)有垂直于圓面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,AC是圓的一條直徑,D為圓上一點(diǎn),∠COD=60°。在A點(diǎn)有一個(gè)粒子源,沿與AC成30°角斜向上垂直磁場的方向射出速率均為v的各種帶正電粒子,所有粒子均從圓弧CD射出磁場,不計(jì)粒子的重力及粒子間的相互作用力。則從A點(diǎn)射出的粒子的比荷可能是(  )
A. B.
C. D.
7.如圖,虛線所圍區(qū)域內(nèi)有垂直紙面的勻強(qiáng)磁場,acb是半圓,圓心是O,半徑為r,∠bOc=60°,現(xiàn)有一質(zhì)量為m、電荷量為+q的離子,以速度v沿半徑Oc射入磁場,從bd邊垂直邊界離開磁場,不計(jì)離子重力,則(  )
A.離子做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為2r
B.離子離開磁場時(shí)距b點(diǎn)為3r
C.虛線所圍區(qū)域內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為
D.離子在磁場中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間為
[B組 綜合提升練]
8.(多選)國際空間站上的阿爾法磁譜儀(AMS)是探究宇宙中的反物質(zhì)和暗物質(zhì)(即由反粒子構(gòu)成的物質(zhì))的重要儀器,如氚核(H)的反粒子(反氚核)為(H)。該磁譜儀核心部分的截面區(qū)域是半徑為R的圓形勻強(qiáng)磁場區(qū)域,該區(qū)域磁場方向垂直紙面向外,且粒子打到磁場邊界就被吸收。
如圖所示,P為粒子的入射窗口,各粒子從P射入時(shí)的速度大小相同,且均沿直徑方向,P、a、b、c、d、e為圓周上的等分點(diǎn),若質(zhì)子(H)射入磁場區(qū)域后打在a點(diǎn),則反氚核(H)射入后(  )
A.反氚核將打在d點(diǎn)
B.反氚核射入磁場后運(yùn)動(dòng)軌跡的半徑為質(zhì)子的
C.反氚核在磁場中運(yùn)動(dòng)軌跡的弧長為質(zhì)子的
D.反氚核在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為質(zhì)子的
9.(2024·湖北省武漢市高三下三模)(多選)如圖所示,一光滑剛性絕緣圓筒內(nèi)存在著平行于軸的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,筒上P點(diǎn)和Q點(diǎn)開有小孔,過P的橫截面是以O(shè)為圓心的圓,PQ為直徑。質(zhì)量為m、電量為q的帶正電粒子從P點(diǎn)沿PO入射,與筒壁發(fā)生3次碰撞后,從Q點(diǎn)射出圓筒。假設(shè)粒子在每次碰撞前、后瞬間,速度大小不變,電量不變。不計(jì)重力,則粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間可能為(  )
A. B.
C. D.
10.(2024·湖北高考)如圖所示,在以O(shè)點(diǎn)為圓心、半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。圓形區(qū)域外有大小相等、方向相反、范圍足夠大的勻強(qiáng)磁場。一質(zhì)量為m、電荷量為q(q>0)的帶電粒子沿直徑AC方向從A點(diǎn)射入圓形區(qū)域。不計(jì)重力,下列說法正確的是(  )
A.粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡可能經(jīng)過O點(diǎn)
B.粒子射出圓形區(qū)域時(shí)的速度方向不一定沿該區(qū)域的半徑方向
C.粒子連續(xù)兩次由A點(diǎn)沿AC方向射入圓形區(qū)域的最小時(shí)間間隔為
D.若粒子從A點(diǎn)射入到從C點(diǎn)射出圓形區(qū)域用時(shí)最短,粒子運(yùn)動(dòng)的速度大小為
[C組 拔尖培優(yōu)練]
11.(2019·江蘇高考)如圖所示,勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。磁場中的水平絕緣薄板與磁場的左、右邊界分別垂直相交于M、N,MN=L,粒子打到板上時(shí)會(huì)被反彈(碰撞時(shí)間極短),反彈前后水平分速度不變,豎直分速度大小不變、方向相反。質(zhì)量為m、電荷量為-q的粒子速度一定,可以從左邊界的不同位置水平射入磁場,在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為d,且d(1)求粒子運(yùn)動(dòng)速度的大小v;
(2)欲使粒子從磁場右邊界射出,求入射點(diǎn)到M的最大距離dm;
(3)從P點(diǎn)射入的粒子最終從Q點(diǎn)射出磁場,PM=d,QN=,求粒子從P到Q的運(yùn)動(dòng)時(shí)間t。
(答案及解析)
例 (2021·湖南高考)帶電粒子流的磁聚焦和磁控束是薄膜材料制備的關(guān)鍵技術(shù)之一。帶電粒子流(每個(gè)粒子的質(zhì)量為m、電荷量為+q)以初速度v垂直進(jìn)入磁場,不計(jì)重力及帶電粒子之間的相互作用。對(duì)處在xOy平面內(nèi)的粒子,求解以下問題。
(1)如圖a,寬度為2r1的帶電粒子流沿x軸正方向射入圓心為A(0,r1)、半徑為r1的圓形勻強(qiáng)磁場中,若帶電粒子流經(jīng)過磁場后都匯聚到坐標(biāo)原點(diǎn)O,求該磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B1的大小;
(2)如圖a,虛線框?yàn)檫呴L等于2r2的正方形,其幾何中心位于C(0,-r2)。在虛線框內(nèi)設(shè)計(jì)一個(gè)區(qū)域面積最小的勻強(qiáng)磁場,使匯聚到O點(diǎn)的帶電粒子流經(jīng)過該區(qū)域后寬度變?yōu)?r2,并沿x軸正方向射出。求該磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B2的大小和方向,以及該磁場區(qū)域的面積(無需寫出面積最小的證明過程);
(3)如圖b,虛線框Ⅰ和Ⅱ均為邊長等于r3的正方形,虛線框Ⅲ和Ⅳ均為邊長等于r4的正方形。在Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ中分別設(shè)計(jì)一個(gè)區(qū)域面積最小的勻強(qiáng)磁場,使寬度為2r3的帶電粒子流沿x軸正方向射入Ⅰ和Ⅱ后匯聚到坐標(biāo)原點(diǎn)O,再經(jīng)過Ⅲ和Ⅳ后寬度變?yōu)?r4,并沿x軸正方向射出,從而實(shí)現(xiàn)帶電粒子流的同軸控束。求Ⅰ和Ⅲ中磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,以及Ⅱ和Ⅳ中勻強(qiáng)磁場區(qū)域的面積(無需寫出面積最小的證明過程)。
[答案] (1)
(2) 垂直于紙面向里 πr 
(3)  r r
[解析] (1)粒子沿x軸正方向射入圓形磁場,在坐標(biāo)原點(diǎn)O匯聚,分析可知粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的半徑等于圓形磁場的半徑r1。粒子在磁場中運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力,有
qvB1=m
解得B1=。
(2)分析可知,虛線框內(nèi)面積最小的磁場區(qū)域?yàn)椋阂訡為圓心、r2為半徑的圓。粒子在虛線框內(nèi)磁場中運(yùn)動(dòng)的半徑為r2,根據(jù)牛頓第二定律有qvB2=m
解得B2=
根據(jù)左手定則可知,虛線框內(nèi)磁場的方向?yàn)榇怪庇诩埫嫦蚶?br/>虛線框內(nèi)圓形磁場區(qū)域的面積為S2=πr。
(3)從Ⅰ區(qū)進(jìn)入磁場的粒子的臨界軌跡如圖所示,其中3和4為粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡圓,1和2為磁場的圓弧邊界
粒子在Ⅰ、Ⅲ區(qū)域磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑分別為r3、r4,根據(jù)qvB=m可知,Ⅰ和Ⅲ中磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小分別為
BⅠ=,BⅢ=
圖中陰影區(qū)域?yàn)棰瘛ⅱ糁械拇艌鰠^(qū)域,Ⅱ、Ⅲ中的磁場區(qū)域與Ⅰ、Ⅳ中的磁場區(qū)域關(guān)于x軸對(duì)稱,則Ⅱ中勻強(qiáng)磁場區(qū)域的面積
SⅡ=2×πr-r=r
Ⅳ中勻強(qiáng)磁場區(qū)域的面積SⅣ=2×πr-r=r。
跟進(jìn)訓(xùn)練 (多選)如圖,在邊長為L的正方形abcd的部分區(qū)域內(nèi)存在著方向垂直紙面的勻強(qiáng)磁場,a點(diǎn)處有離子源,可以向正方形abcd所在區(qū)域的任意方向發(fā)射速率均為v的相同的正離子,且所有離子均垂直bc邊射出,下列說法正確的是(  )
A.磁場區(qū)域的最小面積為L2
B.離子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為L
C.磁場區(qū)域的最大面積為L2
D.離子在磁場中運(yùn)動(dòng)的最長時(shí)間為
答案:BC
解析:由題圖可知,若所有正離子垂直bc邊射出,則以d為圓心,半徑為L的圓弧ac為磁場區(qū)域的邊界,其半徑與離子做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑相同,所以離子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為R=L;磁場區(qū)域的最小面積為Smin=2×=L2,故A錯(cuò)誤,B正確;磁場的最大區(qū)域是四分之一圓,面積Smax=πL2,離子運(yùn)動(dòng)的最長時(shí)間t==,故C正確,D錯(cuò)誤。
課時(shí)作業(yè)
[A組 基礎(chǔ)鞏固練]
1.(多選)如圖所示,勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向里,MN是它的下邊界。現(xiàn)有質(zhì)量為m、電荷量為q的帶電粒子與MN成30°角垂直射入磁場,則粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間可能為(  )
A. B.
C. D.
答案:AD
解析:設(shè)粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑為R,由洛倫茲力提供向心力,有qvB=m,帶電粒子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的周期T=,聯(lián)立可得T=。若帶電粒子所帶電荷為正,則其在磁場中的軌跡為圖中①所示,軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角為300°,在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t1=·T=;若帶電粒子所帶電荷為負(fù),則其在磁場中的軌跡為圖中②所示,軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角為60°,在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t2=·T=,故A、D正確。
2.(人教版選擇性必修第二冊(cè)·第一章第4節(jié)[練習(xí)與應(yīng)用]T3改編)如圖所示,一束電子以垂直于磁感應(yīng)強(qiáng)度B并垂直于磁場邊界的速度v射入寬度為d的勻強(qiáng)磁場中,穿出磁場時(shí)速度方向和原來射入方向的夾角為θ=60°。下列判斷正確的有(  )
A.電子軌跡所對(duì)圓心角為30° B.電子的軌跡半徑為
C.電子的比荷為 D.電子穿越磁場的時(shí)間為
答案:D
解析:作出輔助線如圖,根據(jù)幾何關(guān)系可知,電子軌跡所對(duì)圓心角為θ=60°,A錯(cuò)誤;設(shè)電子的軌跡半徑為r,由幾何關(guān)系有rsinθ=d,解得r=,B錯(cuò)誤;由洛倫茲力提供向心力有qvB=,解得=,C錯(cuò)誤;電子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的周期T==,電子穿越磁場的時(shí)間t=·T,聯(lián)立解得t=,D正確。
3.如圖,邊長為l的正方形abcd內(nèi)存在勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直于紙面(abcd所在平面)向外。ab邊中點(diǎn)有一電子發(fā)射源O,可向磁場內(nèi)沿垂直于ab邊的方向發(fā)射電子。已知電子的比荷為k。則從a、d兩點(diǎn)射出的電子的速度大小分別為(  )
A.kBl,kBl B.kBl,kBl
C.kBl,kBl D.kBl,kBl
答案:B
解析:若電子從a點(diǎn)射出,運(yùn)動(dòng)軌跡如圖線①,有qvaB=m,其中Ra=,解得va===;若電子從d點(diǎn)射出,運(yùn)動(dòng)軌跡如圖線②,有qvdB=m,由幾何關(guān)系可知R=+l2,聯(lián)立解得vd===,故B正確。
4.(2024·廣西高考)Oxy坐標(biāo)平面內(nèi)一有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域如圖所示,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直紙面向里。質(zhì)量為m、電荷量為+q的粒子,以初速度v從O點(diǎn)沿x軸正向開始運(yùn)動(dòng),粒子過y軸時(shí)速度與y軸正向夾角為45°,交點(diǎn)為P。不計(jì)粒子重力,則P點(diǎn)至O點(diǎn)的距離為(  )
A. B.
C.(1+) D.
答案:C
解析:粒子從O點(diǎn)到P點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示,粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)時(shí),根據(jù)洛倫茲力提供向心力有qvB=m,可得粒子做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑r=,根據(jù)幾何關(guān)系可得,P點(diǎn)至O點(diǎn)的距離LPO=r+=(1+)r=(1+),故選C。
5.(2025·遼寧省遼陽市高三模擬)(多選)如圖所示,圓形區(qū)域內(nèi)存在一勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直于紙面向里。質(zhì)量為m、電荷量為q的帶電粒子由A點(diǎn)沿平行于直徑CD的方向射入磁場,射入時(shí)粒子運(yùn)動(dòng)的速率為,粒子經(jīng)過圓心O,最后離開磁場。已知圓形區(qū)域半徑為R,不計(jì)粒子受到的重力。下列說法正確的是(  )
A.粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的半徑為
B.A點(diǎn)到CD的距離為
C.粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的位移大小為R
D.粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為
答案:BC
解析:根據(jù)牛頓第二定律有qvB=m,解得粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為r==R,A錯(cuò)誤;如圖所示,過A點(diǎn)作CD的垂線,作AO的垂直平分線,兩線相交處即為粒子軌跡的圓心,設(shè)為O′,由幾何關(guān)系可知,△AOO′為等邊三角形且O′在圓形區(qū)域的邊界上,∠OAO′=60°,則A點(diǎn)到CD的距離為d=Rcos∠O′AO=,B正確;由幾何關(guān)系可知,粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的軌跡關(guān)于OO′對(duì)稱,則粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的位移大小為x=2Rsin∠AO′O=R,C正確;粒子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的周期為T==,則粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t=T=,D錯(cuò)誤。
6.(多選)如圖所示,半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi)有垂直于圓面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,AC是圓的一條直徑,D為圓上一點(diǎn),∠COD=60°。在A點(diǎn)有一個(gè)粒子源,沿與AC成30°角斜向上垂直磁場的方向射出速率均為v的各種帶正電粒子,所有粒子均從圓弧CD射出磁場,不計(jì)粒子的重力及粒子間的相互作用力。則從A點(diǎn)射出的粒子的比荷可能是(  )
A. B.
C. D.
答案:AD
解析:若帶電粒子從C點(diǎn)射出磁場,則其軌跡如圖甲所示,O1為其軌跡圓的圓心,由幾何關(guān)系得∠AO1O=30°,sin∠AO1O=,解得該粒子軌跡的半徑r1=2R;若帶電粒子從D點(diǎn)射出磁場,則其軌跡如圖乙所示,O2為其軌跡圓的圓心,由幾何關(guān)系得△OAO2與△ODO2是等邊三角形,故四邊形AODO2是菱形,所以粒子軌跡圓心O2在磁場圓的邊界上,粒子軌跡的半徑r2=R。結(jié)合題意可知,所有粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑均滿足r2≤r≤r1,由洛倫茲力提供向心力得qvB=m,解得從A點(diǎn)射出的粒子的比荷滿足≤≤,故選A、D。
7.如圖,虛線所圍區(qū)域內(nèi)有垂直紙面的勻強(qiáng)磁場,acb是半圓,圓心是O,半徑為r,∠bOc=60°,現(xiàn)有一質(zhì)量為m、電荷量為+q的離子,以速度v沿半徑Oc射入磁場,從bd邊垂直邊界離開磁場,不計(jì)離子重力,則(  )
A.離子做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為2r
B.離子離開磁場時(shí)距b點(diǎn)為3r
C.虛線所圍區(qū)域內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為
D.離子在磁場中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間為
答案:D
解析:由題意,作出離子在磁場中的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示,則根據(jù)幾何關(guān)系可知,離子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為R=rtan60°=r,離子離開磁場時(shí)距b點(diǎn)為l=R+-r=(+1)r,故A、B錯(cuò)誤;離子在磁場中運(yùn)動(dòng)時(shí),由洛倫茲力提供向心力有qvB=m,可得B==,故C錯(cuò)誤;由幾何關(guān)系知,離子在磁場中運(yùn)動(dòng)軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角θ=180°-30°=150°=,則運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t==,故D正確。
[B組 綜合提升練]
8.(多選)國際空間站上的阿爾法磁譜儀(AMS)是探究宇宙中的反物質(zhì)和暗物質(zhì)(即由反粒子構(gòu)成的物質(zhì))的重要儀器,如氚核(H)的反粒子(反氚核)為(H)。該磁譜儀核心部分的截面區(qū)域是半徑為R的圓形勻強(qiáng)磁場區(qū)域,該區(qū)域磁場方向垂直紙面向外,且粒子打到磁場邊界就被吸收。
如圖所示,P為粒子的入射窗口,各粒子從P射入時(shí)的速度大小相同,且均沿直徑方向,P、a、b、c、d、e為圓周上的等分點(diǎn),若質(zhì)子(H)射入磁場區(qū)域后打在a點(diǎn),則反氚核(H)射入后(  )
A.反氚核將打在d點(diǎn)
B.反氚核射入磁場后運(yùn)動(dòng)軌跡的半徑為質(zhì)子的
C.反氚核在磁場中運(yùn)動(dòng)軌跡的弧長為質(zhì)子的
D.反氚核在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為質(zhì)子的
答案:AC
解析:質(zhì)子H與反氚核(H)的比荷之比為∶=3∶1,帶電粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力,有qvB=m,解得r=,已知各粒子從P射入時(shí)速度v相同,則反氚核和質(zhì)子在磁場中運(yùn)動(dòng)軌跡半徑關(guān)系為r2=3r1,質(zhì)子射入磁場區(qū)域后打在a點(diǎn),如圖所示,根據(jù)幾何關(guān)系可知,質(zhì)子(H)軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角θ1=180°-60°=120°,tan==,同理對(duì)反氚核的軌跡由幾何關(guān)系有tan==,則其軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角θ2=60°,由左手定則結(jié)合幾何關(guān)系可知,反氚核將打在d點(diǎn),故A正確,B錯(cuò)誤;由l=rθ可知,反氚核與質(zhì)子在磁場中運(yùn)動(dòng)的軌跡弧長關(guān)系為l2=r2θ2=l1,由t=可知,質(zhì)子和反氚核在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間關(guān)系為t2=t1,故C正確,D錯(cuò)誤。
9.(2024·湖北省武漢市高三下三模)(多選)如圖所示,一光滑剛性絕緣圓筒內(nèi)存在著平行于軸的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,筒上P點(diǎn)和Q點(diǎn)開有小孔,過P的橫截面是以O(shè)為圓心的圓,PQ為直徑。質(zhì)量為m、電量為q的帶正電粒子從P點(diǎn)沿PO入射,與筒壁發(fā)生3次碰撞后,從Q點(diǎn)射出圓筒。假設(shè)粒子在每次碰撞前、后瞬間,速度大小不變,電量不變。不計(jì)重力,則粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間可能為(  )
A. B.
C. D.
答案:BD
解析:粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力,有qvB=m,解得粒子的軌跡半徑為r=,做圓周運(yùn)動(dòng)的周期為T==。粒子與筒壁發(fā)生3次碰撞后,從Q點(diǎn)射出圓筒,相鄰兩次碰撞的點(diǎn)與圓心O連線的夾角為α=(k=0,1,2,…),α<π,相鄰兩次碰撞間的軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角為β=π-α,解得k=0時(shí),α1=45°,β1=135°,或k=1時(shí),α2=135°,β2=45°,則粒子可能的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖甲、乙所示,根據(jù)幾何關(guān)系可知,粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間可能為t1=T=,t2=T=,故B、D正確,A、C錯(cuò)誤。
10.(2024·湖北高考)如圖所示,在以O(shè)點(diǎn)為圓心、半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。圓形區(qū)域外有大小相等、方向相反、范圍足夠大的勻強(qiáng)磁場。一質(zhì)量為m、電荷量為q(q>0)的帶電粒子沿直徑AC方向從A點(diǎn)射入圓形區(qū)域。不計(jì)重力,下列說法正確的是(  )
A.粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡可能經(jīng)過O點(diǎn)
B.粒子射出圓形區(qū)域時(shí)的速度方向不一定沿該區(qū)域的半徑方向
C.粒子連續(xù)兩次由A點(diǎn)沿AC方向射入圓形區(qū)域的最小時(shí)間間隔為
D.若粒子從A點(diǎn)射入到從C點(diǎn)射出圓形區(qū)域用時(shí)最短,粒子運(yùn)動(dòng)的速度大小為
答案:D
解析:粒子在各磁場中均做勻速圓周運(yùn)動(dòng),由幾何知識(shí)可知,粒子在圓形區(qū)域內(nèi)的運(yùn)動(dòng)軌跡關(guān)于其軌跡圓心與O點(diǎn)的連線對(duì)稱,粒子沿直徑方向射入圓形區(qū)域,則射出圓形區(qū)域時(shí)的速度方向一定沿該區(qū)域的半徑方向,同理可知,粒子在圓形區(qū)域外的運(yùn)動(dòng)軌跡關(guān)于其軌跡圓心與O點(diǎn)的連線對(duì)稱,則射入圓形區(qū)域時(shí)的速度方向也一定沿該區(qū)域的半徑方向,易知,粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡不可能經(jīng)過O點(diǎn),故A、B錯(cuò)誤;設(shè)粒子的速度大小為v,根據(jù)qvB=m得,粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑為r=,則粒子在各磁場中的軌跡半徑相等,根據(jù)T=得,粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的周期為T=,與粒子速度和軌跡半徑無關(guān),根據(jù)粒子運(yùn)動(dòng)的周期性和對(duì)稱性可知,粒子連續(xù)兩次由A點(diǎn)沿AC方向射入圓形區(qū)域,時(shí)間間隔最小的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖1所示,則最小時(shí)間間隔為t=×T=2T=,故C錯(cuò)誤;粒子從A點(diǎn)射入到從C點(diǎn)射出圓形區(qū)域用時(shí)最短時(shí),其運(yùn)動(dòng)軌跡如圖2所示,由幾何關(guān)系可知θ==60°,設(shè)此時(shí)粒子的速度大小為v1,在磁場中運(yùn)動(dòng)的半徑為r1,根據(jù)幾何關(guān)系可知r1=Rtan=,根據(jù)洛倫茲力提供向心力有qv1B=m,可得v1=,故D正確。
[C組 拔尖培優(yōu)練]
11.(2019·江蘇高考)如圖所示,勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。磁場中的水平絕緣薄板與磁場的左、右邊界分別垂直相交于M、N,MN=L,粒子打到板上時(shí)會(huì)被反彈(碰撞時(shí)間極短),反彈前后水平分速度不變,豎直分速度大小不變、方向相反。質(zhì)量為m、電荷量為-q的粒子速度一定,可以從左邊界的不同位置水平射入磁場,在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為d,且d(1)求粒子運(yùn)動(dòng)速度的大小v;
(2)欲使粒子從磁場右邊界射出,求入射點(diǎn)到M的最大距離dm;
(3)從P點(diǎn)射入的粒子最終從Q點(diǎn)射出磁場,PM=d,QN=,求粒子從P到Q的運(yùn)動(dòng)時(shí)間t。
答案:(1) (2)d
(3)或
解析:(1)洛倫茲力提供向心力,qvB=m
r=d
解得v=。
(2)如圖所示,當(dāng)粒子第一次與薄板碰撞后的運(yùn)動(dòng)軌跡恰好與磁場左邊界相切時(shí),入射點(diǎn)到M的距離最大。
由幾何關(guān)系得:dm=d(1+sin60°)
解得:dm=d。
(3)粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的周期T=
設(shè)粒子從最后一次與薄板碰撞到射出磁場的時(shí)間為t′,則t=n+t′(n=1,3,5,…)。
(a)當(dāng)L=nd+d時(shí),粒子斜向上射出磁場t′=T
解得:t=;
(b)當(dāng)L=nd+d時(shí),粒子斜向下射出磁場t′=T
解得:t=。
1(共41張PPT)
第十章 磁場
第3講 專題:帶電粒子在
有界勻強(qiáng)磁場中的運(yùn)動(dòng)
微專題 磁聚焦與磁發(fā)散
目錄
1
2
微專題 磁聚焦與磁發(fā)散
課時(shí)作業(yè)
微專題 磁聚焦與磁發(fā)散
1.帶電粒子的聚焦
如圖甲所示,大量同種帶正電的粒子,速度大小相等,水平平行入射到圓形磁場區(qū)域,如果軌跡圓半徑與磁場圓半徑相等(r=
R),則所有的帶電粒子將從磁場圓的最低點(diǎn)B點(diǎn)射
出。(聚焦)
證明:四邊形OAO′B為菱形,對(duì)邊平行,OB
必平行于AO′(即豎直方向),可知從A點(diǎn)入射的帶電粒子必然經(jīng)過B點(diǎn)。
2.帶電粒子的發(fā)散
如圖乙所示,圓形磁場區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,圓心為O,從最高點(diǎn)P點(diǎn)有大量質(zhì)量為m、電荷量為q的正粒子,以大小相等的速度v沿不同方向射入有界磁場,不計(jì)粒子的重力,如果正粒子軌跡圓半徑與磁場圓半徑相等,則所有粒子射出磁場的方向平行。(發(fā)散)
證明:所有粒子運(yùn)動(dòng)軌跡的圓心與磁場圓圓心O、入射點(diǎn)、出射點(diǎn)的連線為菱形,由幾何知識(shí)可知O1A、O2B、O3C均平行于PO,則出射速度方向相同(即水平方向)。
例 (2021·湖南高考)帶電粒子流的磁聚焦和磁控束是薄膜材料制備的關(guān)鍵技術(shù)之一。帶電粒子流(每個(gè)粒子的質(zhì)量為m、電荷量為+q)以初速度v垂直進(jìn)入磁場,不計(jì)重力及帶電粒子之間的相互作用。對(duì)處在xOy平面內(nèi)的粒子,求解以下問題。
(1)如圖a,寬度為2r1的帶電粒子流沿x軸正方向射入圓心為A(0,r1)、半徑為r1的圓形勻強(qiáng)磁場中,若帶電粒子流經(jīng)過磁場后都匯聚到坐標(biāo)原點(diǎn)O,求該磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B1的大小;
(2)如圖a,虛線框?yàn)檫呴L等于2r2的正方形,其幾何中心位于C(0,-r2)。在虛線框內(nèi)設(shè)計(jì)一個(gè)區(qū)域面積最小的勻強(qiáng)磁場,使匯聚到O點(diǎn)的帶電粒子流經(jīng)過該區(qū)域后寬度變?yōu)?r2,并沿x軸正方向射出。求該磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B2的大小和方向,以及該磁場區(qū)域的面積(無需寫出面積最小的證明過程);
(3)如圖b,虛線框Ⅰ和Ⅱ均為邊長等于r3的正方形,虛線框Ⅲ和Ⅳ均為邊長等于r4的正方形。在Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ中分別設(shè)計(jì)一個(gè)區(qū)域面積最小的勻強(qiáng)磁場,使寬度為2r3的帶電粒子流沿x軸正方向射入Ⅰ和Ⅱ后匯聚到坐標(biāo)原點(diǎn)O,再經(jīng)過Ⅲ和Ⅳ后寬度變?yōu)?r4,并沿x軸正方向射出,從而實(shí)現(xiàn)帶電粒子流的同軸控束。求Ⅰ和Ⅲ中磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,以及Ⅱ和Ⅳ中勻強(qiáng)磁場區(qū)域的面積(無需寫出面積最小的證明過程)。
課時(shí)作業(yè)
[A組 基礎(chǔ)鞏固練]
[B組 綜合提升練]
11.(2019·江蘇高考)如圖所示,勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。磁場中的水平絕緣薄板與磁場的左、右邊界分別垂直相交于M、N,MN=L,粒子打到板上時(shí)會(huì)被反彈(碰撞時(shí)間極短),反彈前后水平分速度不變,豎直分速度大小不變、方向相反。質(zhì)量為m、電荷量為-q的粒子速度一定,可以從左邊界的不同位置水平射入磁場,在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為d,且d[C組 拔尖培優(yōu)練]

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