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【廣東專版】61 第十章 教考銜接課9 帶電粒子受控電磁運動、 課件《高考快車道》2026高考物理總復習

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【廣東專版】61 第十章 教考銜接課9 帶電粒子受控電磁運動、 課件《高考快車道》2026高考物理總復習

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(共17張PPT)
第十章 磁場
教考銜接課9 帶電粒子受控電磁運動
源于教材人教版選擇性必修第二冊第一章第4節“問題”
問題 在科學研究和工業生產中,常需要將一束帶等量電荷的粒子分開,以便知道其中所含物質的成分。利用所學的知識,你能設計一個方案,以便分開電荷量相同、質量不同的帶電粒子嗎?
一、真題鏈接
1.(2021·浙江1月選考)在芯片制造過程中,離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入工作原理示意圖,離子經加速后沿水平方向進入速度選擇器,然后通過磁分析器,選擇出特定比荷的離子,經偏轉系統后注入處在水平面內的晶圓(硅片)。速度選擇器、磁分析器和偏轉系統中的勻強磁場的磁感應強度大小均為B,方向均垂直紙面向外;速度選擇器和偏轉系統中的勻強電場場強大
小均為E,方向分別為豎直向上和垂直紙面向外。磁分析器截面是內外半徑分別為R1和R2的四分之一圓環,其兩端中心位置M和N處各有一個小孔;偏轉系統中電場和磁場的分布區域是同一邊長為L的正方體,其底面與晶圓所在水平面平行,間距也為L。當偏轉系統不加電場及磁場時,離子恰好豎直注入到晶圓上的O點(即圖中坐標原點,x軸垂直于紙面向外)。整個系統置于真空中,不計離子重力,打在晶圓上的離子,經過電場和磁場偏轉的角度都很小。當α很小時,有sin α≈tan α≈α,cos α≈1- α2。求:
(1)離子通過速度選擇器后的速度大小v和磁分析器選擇出來離子的比荷;
(2)偏轉系統僅加電場時離子注入晶圓的位置,用坐標(x,y)表示;
(3)偏轉系統僅加磁場時離子注入晶圓的位置,用坐標(x,y)表示;
(4)偏轉系統同時加上電場和磁場時離子注入晶圓的位置,用坐標(x,y)表示,并說明理由。
[解析] (1)設離子所帶電荷量為q,通過速度選擇器的離子滿足qE=qvB ①
解得v= ②
從磁分析器中心孔N射出的離子做圓周運動的半徑為R= ③
由洛倫茲力提供向心力可得qvB= ④
聯立②③④三式解得==。 ⑤
(2)偏轉系統僅加電場時,離子在x軸方向偏轉的距離
x1= ⑥
設離子離開偏轉系統時的速度方向與豎直方向的夾角為θ,根據運動的合成與分解可得tan θ= ⑦
離開電場后,離子在x軸方向偏移的距離
x2=L tan θ= ⑧
聯立②⑤⑥⑦⑧式可得
x=x1+x2== ⑨
所以離子注入晶圓的位置坐標為。 ⑩
(3)偏轉系統僅加磁場時,離子進入磁場后做勻速圓周運動的半徑r=
設離子離開磁場時速度方向偏轉角為α,如圖所示,
則sin α=
經過磁場過程,離子在y軸方向偏移的距離
y1=r(1-cos α)≈
離開磁場后,離子在y軸方向偏移的距離
y2=L tan α≈
聯立②⑤ 式可得y=y1+y2≈
離子注入晶圓的位置坐標為。
(4)聯立⑩ 式可得,偏轉系統同時加上電場和磁場時離子注入晶圓的位置坐標為,電場引起的速度增量對y軸方向的運動不產生影響。
[答案] (1) (2) (3) (4)見解析
二、真題拓展
2.(多選)如圖所示為一種質譜儀的工作原理示意圖,此質譜儀由以下幾部分構成:離子源、加速電場、靜電分析器、磁分析器、收集器。靜電分析器通道中心線MN所在圓的半徑為R,通道內有均勻輻射的電場,中心線處的電場強度大小為E;磁分析器中分布著方向垂直于紙面、磁感應強度為B的勻強磁場,磁分析器的左邊界與靜電分析器的右邊界平行。由離子源發出一個質量為m、電荷量為+q的離子(初速度為零,重力不計),經加速電場加速后進入靜電分析器,沿中心線MN做勻速圓周運動,而后由P點進入磁分析器中,最終經過Q點進入收集器。下列說法正確的
(  )
A.磁分析器中勻強磁場的方向
垂直于紙面向里
B.加速電場中的加速電壓U=ER
C.磁分析器中軌跡圓心O2到Q點間的距離d=
D.任何帶正電的離子若能到達P點,則一定能進入收集器


BC [該離子在磁分析器中沿順時針方向轉動,根據左手定則可知,磁分析器中勻強磁場的方向垂直于紙面向外,A錯誤;該離子在靜電分析器中做勻速圓周運動,有qE=m,在加速電場中加速有qU=mv2,聯立解得U=ER,B正確;該離子在磁分析器中做勻速圓周運動,有qvB=m,又qE=m,聯立解得r=,該離子
經過Q點進入收集器,故d=r=,C正確;任一初速度為零的帶正電離子,質量、電荷量分別記為mx、qx,經U=ER的加速電場加速后,在靜電分析器中做勻速圓周運動的軌跡半徑Rx=R,即一定能到達P點,而在磁分析器中運動的軌跡半徑rx=,rx的大小與離子的質量、電荷量有關,則不一定有rx=d,故能到達P點的離子不一定能進入收集器,D錯誤。]
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