資源簡介 (共15張PPT)3.3 數字集成電路廣東省東莞市光明中學 黃利輝3.3 數字集成電路學習目標:1、了解晶體三極管的開關特性及其在數字電路中的作用。2、知道常見數字集成電路的類型,并能用數字集成電路安裝簡單的實用電路裝置。廣東省東莞市光明中學 黃利輝一、晶體三極管的開關特性及其在數字電路中的應用分析非門開關電路的電壓輸出U。RSUCCS合上時: U0=__S斷開時: U0=__0UCC門電路的開關能不能使用機械開關?為什么?不能因為機械開關體積大、壽命短、操作不方便,而且速度低。在高速電子控制系統中,開關每秒要開合上億次,機械開關是無法勝任的。必須使用電子開關,即用晶體管或MOS管(金屬氧化物半導體場效應管)做成的開關。U。RUCCAFU。RSUCC試驗: 觀察晶體三極管的開關特性試驗過程:按圖搭接電路。1、將輸入端接地,用多用電表測量Rc的電壓Ur=__V,此時晶體三極管集電極的電流Ice__,三極管處于__狀態;Uce=__V,屬于__電平.3VUceRcFAR3DK4CVUrIce2、將輸入端接3V電壓,用多用電表測量Rc的電壓Ur=__ V,此時晶體三極管集電極的電流Ice__ ,三極管處于__ 狀態;Uce= __ V,屬于 __ 電平.3、把發光二極管接在CE兩極間,觀察發光二極管的發光情況。330 B0很小截止3高2.8很大導通0.2低開關接B時,二極管亮;開關接A時,二極管不亮認識晶體三極管U。RUCCAFe(發射極)C(集電極)基極b晶體三極管存在截止和飽和兩種狀態:飽和——開關閉合。截止——開關斷開;飽和:條件——現象——截止:條件——現象——晶體三極管的開關特性輸入信號足夠大(高電平);三極管流過的電流較大,集電極 與發射極之間的電壓只有0.2V左右(低電平)。輸入信號足夠小(低電平);三極管沒有電流流過,集電極與發射極之間的電壓與電源電壓接近(高電平)。金屬氧化物半導體場效應晶體三極管(MOS管)也有三個極:源極S、柵極G、漏極D。源極相當于發射極,通常接地;漏極相當于集電極,通常通過電阻接電源;柵極相當于基極,用來控制漏極電流的大小。普通晶體三極管是電流控制的器件,基極必須注入電流方能使三極管導通;MOS管是電壓控制器件,在柵極與源極之間加適當的電壓就能使MOS管導通。SGD集成電路是將元器件集中制作在芯片上,減少了元器件的連接導線,使可靠性得到了很大提高。二、常用數字集成電路的類型二、常用數字集成電路的類型小規模集成電路(SSI):集成晶體管數在100個以內中規模集成電路(MSI):晶體管數在102~103個大規模集成電路(LSI):晶體管數在103~105個超大規模集成電路(VLSI):晶體管數在105~107個特大規模集成電路(ULSI):晶體管數在107~109巨大規模集成電路(GSI):晶體管數超過109個一萬個以上門電路集成的又叫片上系統(SOC)晶體管數——門電路數1、按集成度分可分為六類:數字電路的類型構成 運行速度 允許負載流過電流 消耗功率TTL晶體管—晶體管邏輯CMOS互補MOS電路快較大較小較慢較大較小CMOS管容易損壞,電源極性不能接反,焊接時要將烙鐵的電源切斷。2、按晶體管類型可分為二類:普通晶體管MOS管小資料1、TTL與CMOS部分參數對照。2、常用集成門電路的型號。3、部分集成邏輯門引腳圖。(規律:從頂部看下去按逆時針方向編號1、2……13、14)集成電路的發展史1、1958年9月, ______ 研制了世界上第一塊集成電路,為此獲得了2000年的_____獎。2、摩爾定律的內容是什么?杰克.基爾比諾貝爾物理學集成電路芯片的集成度大約每3年提高4倍,相應的集成電路加工的特征尺寸縮小為原來的一半。 展開更多...... 收起↑ 資源預覽 縮略圖、資源來源于二一教育資源庫